gpp制程簡介reappt課件(參考版)
2025-05-08 12:15本頁面
【正文】 Andy Kang GPP 製程簡介 Prepared by： Bi Lidong Date： Sep142022 Andy Kang What is GPP ? GPP ( Glass Passivation Pellet ) ？ 為使用玻璃作為鈍化保護(hù)層之小顆粒 ?引申為 使用玻璃作為鈍化保護(hù)層之元件 ?GPP Andy Kang Why GPP GPP OJ 設(shè)備投資 高 低 製程差異 較複雜 較簡單 封裝之比較 較簡單 較複雜 晶片製作成本 較高 較低 電性比較 IR 較低 IR 較高 信賴性比較 較好尤其是高溫特性 較差 未來產(chǎn)品擴(kuò)充性 較高 較低 Andy Kang GPP 結(jié)構(gòu)介紹 ? GPP之結(jié)構(gòu)一般可分為兩種： 1.) 單溝 ( SM , Single Moat ) 2.) 雙溝 ( DM , Double Moat ) Andy Kang SM P+ N N+ Glass Andy Kang DM P+ N N+ Glass Andy Kang GPP Process Flow Wafer Clean Oxidation 1st Photo BOE Etch Grid Etch PR Strip Oxide Etch SIPOS Dep. 2nd Photo 1st Ni Plating Ni Sintering 2nd Ni Plating Au Plating PG Burn off Glass Firing LTO 3rd Photo PG Coating RCA Clean 進(jìn)黃光室 PR Strip Contact Etch Non SIPOS Andy Kang Wafer Clean ( 晶片清洗 ) 檢查 HF浸泡 HF浸泡 純水 QDR沖洗 RCA 清洗 純水 QDR沖洗 旋乾機(jī)旋乾 檢查生產(chǎn)流程卡確認(rèn)料、量、卡是否一致 利用 HF 蝕刻晶片表面氧化層 利用高純水 ( 12MΩ)快速沖洗晶片表面前站之殘餘物 利用高純水 ( 12MΩ)快速沖洗晶片表面前站之殘餘物 利用 RCA (NH4OH+H2O2) 清洗方法將晶片表面之雜物去除 利用旋乾機(jī)將晶片表面之水分帶離 純水 QDR沖洗 利用 HF 蝕刻晶片表面氧化層 利用高純水 ( 12MΩ)快速沖洗晶片表面前站之殘餘物 Andy Kang 擴(kuò)散後晶片 晶片清洗 N N+ P+ 磷 硼 ? 檢查生產(chǎn)流程卡確認(rèn)是否料、量、卡是否一致 Andy Kang Oxidation ( 熱氧化 ) 排晶片 進(jìn) 熱氧化 爐 熱氧化 出 熱氧化 爐 收料 將晶片一片一片排入石英舟之溝槽內(nèi)，並規(guī)定好方向 將排好之 熱氧化石英舟送入 熱氧化 爐 利用高溫將 SiO2 形成至晶片表面 將 熱氧
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