ddr3布局布線規(guī)則與實(shí)例(參考版)
2025-04-10 05:31本頁面
【正文】 ■ VTT 電源走線（或銅皮）處應(yīng)放置 10~22uF 的大電容，且保證 2 個(gè)以上。 ■ VTT 電源芯片盡量靠近終端電阻，減小回路消耗。 VTT（DDR_VTT）布線建議羅列如下，圖 23 / 24 / 25 是 VTT 原理圖： ■ 在總線末端放置終端電阻，在電阻末端布 VTT 電源線。 ■ 盡量多的應(yīng)用去耦電容，例如 ，并且盡量靠近 CPU 或 DDR 的 VREF 引腳。 ■ VREF 網(wǎng)絡(luò)與其他網(wǎng)絡(luò)的的距離應(yīng)保證 25mil 以上。具體設(shè)計(jì)請參看圖 19 / 20（不合理設(shè)計(jì)），圖 21 / 22（合理設(shè)計(jì)）。 ■ 注意數(shù)據(jù)線、地址線、時(shí)鐘線等信號線的相對延遲，一般時(shí)鐘線會略長于其他走線，以保證在時(shí)鐘信號到來時(shí)數(shù)據(jù)信號或地址信號必須準(zhǔn)備妥當(dāng)。 ■ 晶振、重要元器件、關(guān)鍵走線最好參考到地平面。 ■ 高速信號線應(yīng)避免跨越平面層的分割溝壕，保證走線下的平面層是完整的。 表 5 DDR3 部分信號線長度 5. 高速信號布線建議 在高速信號的布線中要特別注意信號總線的相對延遲和阻抗控制等問題，這些都能保證信號的時(shí)序和減小信號的畸變。詳情見上文顏色對照表 4和下文圖 13 / 14 / 15 / 16 / 17 / 18。當(dāng)然，在該例中，clock 信號長 2000mil。具體說明見下文表 3 和圖 10 / 11 / 12。 圖 6 ADDR/CMD 信號拓?fù)? 圖 7 CTRL 控制信號拓?fù)? 圖 8 數(shù)據(jù)線拓?fù)? 圖 9 時(shí)鐘線拓?fù)? 4. DDR 布局布線實(shí)例 本節(jié)列出了 2 種布局布線方式，截圖均出自官方 EVM 板。當(dāng)采用這種結(jié)構(gòu)時(shí)，終端匹配電阻是不可或缺的。 圖 4ADDR/CMD/CTRL 信號拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 圖 5 給出了 DDR 各數(shù)據(jù)線（64bi
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