【正文】 A、 B、 C、 。 A、同時并聯(lián) B、同時串聯(lián) C、不能同時并聯(lián) D、不能同時串聯(lián)2三相橋式全控整流電路帶大電感負載時，晶閘管的導(dǎo)通規(guī)律為（B）。 A、 B、C、 D、三相半波可控整流電路，每個晶閘管可能承受的最大反向電壓為（A）。 A、100 B、117 C、200 D、2341三相半波可控整流電路，變壓器次級相電壓有效值為100V，負載中流過的最大電流有效值為157A，考慮2倍的安全裕量，晶閘管應(yīng)選擇（C）型。 A、 B、 C、 D、1三相半波可控整流電路帶大電感負載時，在負載兩端（C）續(xù)流二極管。 A、很大 B、很小 C、出現(xiàn)缺相現(xiàn)象 D、變?yōu)樽畲?在三相半波可控整流電路中，每個晶閘管的最大導(dǎo)通角為（D）。 A、GTR B、GTOC、MOSFET D、達林頓管1三相半波可控整流電路帶電阻負載時，其輸出直流電壓的波形在（B）的范圍內(nèi)是連續(xù)的。 A、越大越好 B、越小越好 C、正向時要小，反向時要大 D、正向時要大，反向時要小下列電力電子器件中不屬于全控型器件的是（A）。 A、維持電流 B、擎住電流 C、額定電流 D、觸發(fā)電流0，則其對應(yīng)的電波波形為（A）。 A、擎住電流 B、維持電流 C、觸發(fā)電流 D、關(guān)斷電流0若晶閘管正向重復(fù)峰值電壓為500V，反向重復(fù)峰值電壓為700V，則該晶閘管的額定 電壓是（B）V。 A、導(dǎo)通狀態(tài) B、關(guān)斷狀態(tài)C、不確定狀態(tài) D、低阻狀態(tài)0晶閘管的導(dǎo)通條件是（A）和控制極上同時加上正向電壓。 A、不控型 B、半控型C、全控型 D、復(fù)合型0用于工頻整流的功率二極管也稱為（A）。 （ √ ）7三相三線交流調(diào)壓電路對觸發(fā)脈沖的要求與三相全控橋式整流電路相同，應(yīng)采用單寬脈沖或雙窄脈沖觸發(fā)。 （ ） 單相交流調(diào)壓電壓帶電感性負載時，只可以采用寬脈沖觸發(fā)，不能采用窄脈沖觸發(fā)。 （ √ ）70、單相交流調(diào)壓電路帶電阻負載時移相范圍為。 （ √ ）6交流開關(guān)可用雙向晶閘管或者兩個普通晶閘管反并聯(lián)組成。 （ ） 雙向晶閘管的額定電流是有效值，普通晶閘管的額定電流是平均值。 （ ） 電樞反并聯(lián)配合控制有環(huán)流可逆系統(tǒng)，當(dāng)電動機正向運行時，正組晶閘管變流器處于整流工作狀態(tài)，反組晶閘管變流器處于待逆變工作狀態(tài)。 （ ） 在晶閘管組成的直流可逆調(diào)速系統(tǒng)中，為使系統(tǒng)正常工作，其最小逆變角應(yīng)選6在晶閘管可逆線路中的靜態(tài)環(huán)流一般可分為瞬時脈動環(huán)流和直流平均環(huán)流。 （ √ ）6觸發(fā)脈沖丟失是晶閘管逆變電路造成逆變失敗的原因。 （ ） 在分析晶閘管三相有源逆變電路的波形時，逆變角的大小是從共陽極向右，共陰極向 左計算的。 （ √ ）5實現(xiàn)有源逆變的條件是直流側(cè)必須外接與直流電流Id同方向的直流電源E， 及 。 （ ） 觸發(fā)電路中脈沖變壓器的作用是電氣隔離。 （ √ ）5晶閘管整流電路中，通常采用主電路與觸發(fā)電路使用同一電網(wǎng)電源及通過同步變壓器不同的接線組別并配合阻容移相的方法來實現(xiàn)同步。5在大功率晶閘管觸發(fā)電路中，常采用脈沖列式觸發(fā)器，其目的是減小觸發(fā)電源功率、減小脈沖變壓器的體積及提高脈沖前沿陡度。 （ √ ）5用TC787集成觸發(fā)器組成的六路雙脈沖觸發(fā)電路具有低電平有效的脈沖封鎖功能。同步電壓是同步變壓器的二次電壓，而 同步信號是同步電壓經(jīng)不同處理后得到的信號電壓5采用正弦波同步觸發(fā)電路的可控整流裝置可看成一個線性放大器。 （ √ ）50、同步電壓就是同步信號，二者是同一個概念。 （ ） 同步信號為鋸齒波的晶體管觸發(fā)電路，以鋸齒波為基準(zhǔn)，再串入直流控制電壓以實現(xiàn) 晶閘管觸發(fā)脈沖的移相。 （ √ ）4常用的晶閘管觸發(fā)電路按同步信號的形式不同，分為正弦波及鋸齒波觸發(fā)電路。4造成晶閘管誤導(dǎo)通的主要原因有兩個，一是干擾信號加于控制極，二是加到晶閘管陽極上的電壓上升率過大。4在晶閘管可控整流電路中，快速熔斷器只可安裝在橋臂上與晶閘管串聯(lián)。無阻容吸收4可控整流電路中用快速熔斷器對晶閘管進行保護，若快速熔斷器的額定電流為，晶閘管的額定電流為，流過晶閘管電流的有效值為，則應(yīng)按的關(guān)系來選擇快速熔斷器。4晶閘管裝置常用的過電流保護措施有直流快速開關(guān)、快速熔斷器、電流檢測和過電流繼電器、阻容吸收等。4晶閘管裝置常采用的過電壓保護措施有壓敏電阻、硒堆、限流、脈沖移相等。 （ √ ）晶閘管可控整流電路承受的過電壓為換相過電壓、操作過電壓、交流側(cè)過電壓等幾種。 （ ）整流電路在換流過程中，兩個相鄰相的晶閘管同時導(dǎo)通的時間用電角度表示稱為重疊角。(只有三相半波有)3整流電路中電壓波形出現(xiàn)缺口是由于變壓器存在漏抗。 （ √ ）3在帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路中，存在直流磁化問題。 （ √ ）3帶平衡電抗器的三相雙反星形可控整流電路中，平衡電抗器的作用是使兩組三相半波可控整流電路以相位差相并聯(lián)同時工作。 （ √ ）3三相橋式半控整流電路帶電阻負載，每個晶閘管流過的平均電流是負載電流的1/3。 （ ） 三相半控橋式整流電路帶電阻性負載時，其移相范圍是。 （ √ ）2在三相半控橋式整流電路中，要求共陰極組晶閘管的觸發(fā)脈沖之間的相位差為。 （ √ ）2三相橋式全控整流電路晶閘管應(yīng)采用雙窄脈沖觸發(fā)。2三相全控橋式整流電路（無續(xù)流二極管），當(dāng)負載上的電流有效值為I時，流過每個晶。 （ √ ）2三相全控橋式整流電路帶大電感負載，已知，則流過負載的最大電流平均值為40A。 （ ） 三相橋式全控整流電路帶大電感負載時，晶閘管的導(dǎo)通規(guī)律為每隔換相一次，每個管子導(dǎo)通。 （ ） 在三相橋式全控整流電路中，兩組三相半波電路是同時串聯(lián)工作的。三相半波可控整流電路，每個晶閘管可能承受的最大反向電壓為。 （ √ ）1三相半波可控整流電路帶電阻性負載時。 （ ） 三相半波可控整流電路帶電阻性負載時，其觸發(fā)脈沖控制角的移相范圍為1三相半波可控整流電路，變壓器次級相電壓為200V，帶大電感負載，無續(xù)流二極管，當(dāng)時的輸出電壓為117V。1三相半波可控整流電路帶阻性負載時，若觸發(fā)脈沖（單窄脈沖）加于自然換相點之前，則輸出電壓波形將出現(xiàn)缺相現(xiàn)象。 （ √ ）1三相半波可控整流電路帶電阻負載時，其輸出直流電壓的波形在的范圍內(nèi)是連續(xù)的。 （ √ ）1IGBT是電壓型驅(qū)動的全控型開關(guān)器件。 （ ）0將萬用表置于R1或R10擋，測量晶閘管陽極和陰極之間的正反向阻值時，原則上其值越大越好。 （ ） 在晶閘管的電流上升到其擎住電流后，去掉門極觸發(fā)信號，晶閘管仍能維導(dǎo)通。 （ ） 若晶閘管正向重復(fù)峰值電壓為500V，反向重復(fù)峰值電壓為700V，則該晶閘管的額定電壓是500V。 （ ） 晶閘管的關(guān)斷條件是陽極電流小于管子的維持電流?！　　　　　? （ ） 晶閘管的導(dǎo)通條件是陽極和控制極上都加上正電壓。 （ √ ）0當(dāng)陽極和陰極之間加上正向電壓而控制極不加任何信號時，晶閘管處于關(guān)斷狀態(tài)。 （ ） 整流二極管是不可控型、晶閘管、雙向晶閘管為半控型、可關(guān)斷晶閘管屬全控型器件。 A、延時 B、定時C、整形 D、鑒幅E、鑒頻8關(guān)于環(huán)形振蕩器，以下（A C）說法是正確的。 A、周期 B、占空比C、脈寬 D、掃描期E、初相8以下（B C D）是多諧振蕩器。A、在扭環(huán)形計數(shù)器的有效循環(huán)中，只有一個觸發(fā)器改變狀態(tài)，所以不存在競爭，便不會出現(xiàn)冒險脈沖B、在扭環(huán)形計數(shù)器的有效循環(huán)中，只有一個觸發(fā)器改變狀態(tài)，所以雖然不存在競爭，但會出現(xiàn)冒險脈沖C、扭環(huán)形計數(shù)器中，反饋到移位寄存器的串行輸入端Dn1的信號不是取自Q0 D、扭環(huán)形計數(shù)器中，反饋到移位寄存器的串行輸入端Dn1的信號是取自Q0E、扭環(huán)形計數(shù)器中，反饋到移位寄存器的串行輸入端Dn的信號是取自Q08555定時器中的電路結(jié)構(gòu)包含（A B C E）等部分。 A、異步清零 B、并行置數(shù)C、加法計數(shù) D、減法計數(shù)E、同步清零80、環(huán)形計數(shù)器的特點是（B D ）。A、各觸發(fā)器CP端均接在一起 B、各觸發(fā)器的CP端并非都接在一起C、工作速度高 D、工作速度低E、工作頻率低7異步二進制計數(shù)器基本計數(shù)單元是（A C D）。 A、異步清零 B、并行輸入C、左移 D、右移 E、同步清零7同步計數(shù)器的特點是（A C）。 A、寄存數(shù)碼 B、清除原有數(shù)碼C、左移數(shù)碼 D、右移數(shù)碼E、雙向移碼7集成移位寄存器40194的控制方式（A B C D）。 A、置0 B、置1C、翻轉(zhuǎn) D、保持E、不定7T觸發(fā)器具有（C D）功能。 A、 B、C、 D、E、70、D觸發(fā)器具有（A B）功能。 A、高電平觸發(fā) B、低電平觸發(fā)C、上升沿觸發(fā) D、下降沿觸發(fā)E、斜坡觸發(fā)6基本RS觸發(fā)器具有（A B D E）功能。A、 B、C、 D、E、6描述時序邏輯電路的方法有（A B C D）等幾種。A、共陽極的半導(dǎo)體數(shù)碼管應(yīng)該配用高電平有效的數(shù)碼管譯碼器B、共陽極的半導(dǎo)體數(shù)碼管應(yīng)該配用低電平有效的數(shù)碼管譯碼器C、共陰極的半導(dǎo)體數(shù)碼管應(yīng)該配用高電平有效的數(shù)碼管譯碼器 D、共陰極的半導(dǎo)體數(shù)碼管應(yīng)該配用低電平有效的數(shù)碼管譯碼器E、半導(dǎo)體數(shù)碼管應(yīng)該配用低電平或高電平有效的數(shù)碼管譯碼器6關(guān)于數(shù)據(jù)選擇器，（A C D）的說法是正確的。A、與編碼器功能相反的邏輯電路是基本譯碼器B、與編碼器功能相反的邏輯電路是字符譯碼器C、譯碼器都帶有使能端 D、帶有控制端的基本譯碼器可以組成數(shù)據(jù)分配器E、譯碼器都可以組成數(shù)據(jù)分配器6下列說法正確的是（A D）。 A、寄存器 B、全加器C、譯碼器 D、數(shù)據(jù)選擇器E、數(shù)字比較器60、下列說法正確的是（A C）。A、TTL電路輸入端接高電平時有電流輸入 B、CMOS電路輸入端接高電平時有電流輸入C、CMOS電路輸入端允許懸空，相當(dāng)于輸入高電平D、TTL電路輸入端允許懸空，相當(dāng)于輸入高電平E、TTL電路輸入端允許懸空，相當(dāng)于輸入低電平5下列說法錯誤的是（A D E）。 A、兩個均截止 B、兩個均導(dǎo)通C、一個截止 D、一個導(dǎo)通E、兩個均導(dǎo)通或兩個均截止5CMOS電路具有（A B D）的優(yōu)點。 A、接電源 B、通過電阻3k接電源C、接地 D、與有用輸入端并聯(lián)E、接0 V5按照導(dǎo)電溝道的不同，MOS管可分為（A B）。 A、高電平 B、低電平C、零電平 D、高阻E、低阻5OC門輸出端的公共集電極電阻的大小必須選擇恰當(dāng)，因為（A C）。A、輸入高電平的噪聲容限為B、輸入高電平的噪聲容限為C、輸入低電平的噪聲容限為D、輸入低電平的噪聲容限為E、輸入低電平的噪聲容限為50、下列說法錯誤的是（A D）。 A、ABC B、A+B+C+DC、ABCD D、A/BCDE、ABD4下列說法錯誤的是（A C E）。 A、AB＝BA B、A+B＝B+AC、AA＝A D、AA＝A2E、A+A＝2A4下列邏輯代數(shù)基本運算關(guān)系式中正確的是（A B D）。 A、真值表 B、邏輯圖C、波形圖 D、卡諾圖E、梯形圖4邏輯變量的取值1和0可以表示（A B C D）。 A、全部輸入是0 B、全部輸入是1C、任一輸入為0，其他輸入為1 D、任一輸入為1E、任一輸入為1，其他輸入為04如下所示，同或門的函數(shù)式是（A D）。 A、與門電路 B、或門電路C、非門電路