hfss常見問題集錦(增強版)(參考版)
2025-03-27 04:55本頁面
【正文】 。Maxwell v14：Transient and Quasistatic 3D Solver，可以對磁性材質設定BH curve，適合做馬達、變壓器、線圈等仿真。）關于driven modal 與driven terminal 的理解1. driven modal 模式驅動, 所謂模式驅動就是hfss根據用戶所定義的模式數(shù)目求解端口模式數(shù)目及場分布,并為每個模式分配相等的功率,仿真時用端口場分布做為邊界條件對內部進行求解,默認端口阻抗為Zpi 無須定義積分線來求解電壓, S參量用入射反射功率來表示2. 對于分析偶合傳輸線等一個端口上有多個終端,而求解終端之間偶合問題的模型,driven modal terminal ,這里以微帶偶合傳輸線為例子說明這個問題在這個端口上tem波 有兩種模式 :V1=V2 . V1=V2 (V1為導體1對接地板等效電壓, V2為導體2對接地板等效電壓) 如果用driven modal求結 則這兩種模式分別被賦予相等功率,而求解出的S11則是整個端口上的每一種模式的反射情況,而不能直接求出兩線的偶合狀況(例如只激勵導體1,求導體2上的端口電壓)這顯然是不合適的.(關于偶合傳輸線問題詳情見microwave engineering edition 3 )Driven terminal默認的求解終端阻抗為Zvi 故對于每個終端需要定義積分線,例如上圖中terminal 的積分線為從接地版到導體1的連線(導體1,接地版都為等勢體,路徑沒有關系),terminal2的積分線為接地版到導體2) 計算機求解時對兩個終端分別進行激勵,通過電壓與電流來計算他們之間的偶合關系.3總結1. 如果模型中有類似于偶合傳輸線求偶合問題的模型一定要用driven terminal求解,2. driven modal適于其他模型, 但一般tem模式(同軸,微帶等)傳輸?shù)膯谓K端模型一般用driven terminal分析 (tem波電壓一般由兩導體之間電場積分定義,電流為環(huán)線磁場的積分,阻抗Zvi=Zpi=Zpv區(qū)別于TE TM) 由于其直接對電流電壓求解而避免了對整個面上功率的計算從而比較簡便.常用軟件特點：SIwave ：目前SI/PI仿真領域中，推薦的PCB+BGA cosimulation solutionDesigner/Nexxim ：仿真整合平臺，內含circuit simulator (Nexxim)。，類別也很多，就區(qū)分是不是準橫電磁波吧。？用什么模式？這個就要看你具體的激勵方式了，如果你用的是TEM或quasiTEM的激勵(可能有些人不知道自己的是啥激勵，那就弱弱的告一下學弟學妹，同軸線即全封閉雙導體傳輸線則為TEM激勵，而像微帶線即不是全封閉的雙導體傳輸線則為quasiTEM)，就用終端驅動好了。，連接器的范疇太大了，有的是完全封閉的，有的是半封閉的，又有的是封閉一小部分的，又因HFSS fullbook里僅說了一個詞Connector，如果深究其原理那得去問Ansoft了，因此我認為如果是連接器大家都用終端驅動就好了，可能有人會問我，全封閉的是TEM，不是quasi的啊，你怎么也用終端呢？其實我也不明白為什么Ansoft沒有把這個connector說的明白些，哎~。fullbook里面講了這樣一段話“The Modal Smatrix solution puted by Ansoft HFSS is expressed in terms of the incident and reflected powers of the waveguide description does not lend itself to problems where several different quasitransverse electromagnetic modes can propagate simultaneously. For structures like coupled transmission lines or connectors, which supportt multiple quasiTEM modes of propagation,if is often desirable to pute the Terminal SParameters.”其簡約意思是講：模式驅動對應的它的模式S參數(shù)矩陣是入射功率和反射功率的描述，但是這種模式S參數(shù)不能用于解決多準TEM模式，在這里大家一定要注意several 和quasi這兩個單詞，several不是1個，而是指多個，而quasi是準TEM，而不是TEM。但是模式驅動，終端驅動這兩個分析類型該如何區(qū)分呢。回波損耗與VSWR之間的轉換關系,而電壓駐波的原始定義與傳輸線有關，將兩個網絡連接在一起，雖然我們能計算出連接之后的電壓駐波比的值，但實際上如果這里沒有傳輸線，根本不會存在駐波。其中，S11實際上就是反射系數(shù)Г，只不過它特指一個網絡1號端口的反射系數(shù)。(3)以上各參數(shù)的定義與測量都有一個前提，就是其它各端口都要匹配。S11為輸入反射系數(shù)，也就是輸入回波損耗，S22為輸出反射系數(shù)，也就是輸出回波損耗。波腹電壓/波節(jié)電壓S參數(shù): S12為反向傳輸系數(shù)，也就是隔離。反射電壓/入射電壓,為dB數(shù)值反射系數(shù)(Г): 回波損耗，反射系數(shù)，電壓駐波比, S11這幾個參數(shù)在射頻微波應用中經常會碰到,對于由2根或以上的傳輸線組成的網絡，還會有傳輸線間的互參數(shù)，可以理解為近端串擾系數(shù)、遠端串擾系統(tǒng)，注意在奇模激勵和偶模激勵下的S參數(shù)值不同。在高速電路設計中用到的微帶線或帶狀線，都有參考平面，為不對稱結構（但平行雙導線就是對稱結構），所以S11不等于S22，但滿足互易條件，總是有S12＝S21。以二端口網絡為例，如單根傳輸線，共有四個S參數(shù)：S11，S12，S21，S22，對于互易網絡有S12＝S21，對于對稱網絡有S11＝S22，對于無耗網絡，有S11*S11+S21*S21＝1，即網絡不消耗任何能量，從端口1輸入的能量不是被反射回端口1就是傳輸?shù)蕉丝?上了。駐波比（VSWR）是指微波傳輸過程中，最大電壓與最小電壓之比，是 一 個比值。S11和反射損耗是不一樣的，S11是從端口角度定義的，它描述的是PORT1這個端口的各種電氣特性，如Return Loss,Insertion Loss,Simth Chart ........ 網絡參數(shù)與一般參數(shù)的定義不一樣。 如果是天線，如果只有單口饋電，那么S11就是反射損耗（回波損耗）了。回波損耗和匹配程度有關，匹配越好回波損耗 越大，即反射越小?？紤]上回波損耗之后，就跟實際測量的情況一樣了，回波損耗大，測到的增益肯定偏低?？紤]到64位xp對很多32位軟件兼容性不好，建議大家裝雙系統(tǒng)，1個32xp，1個64xp，平時用32xp，算HFSS的時候用64xp對HFSS停止運算的一些看法：HFSS有時候會停止運
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