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正文內(nèi)容

[理學(xué)]第三章晶體缺陷(參考版)

2025-03-25 02:14本頁面
  

【正文】 。 3. 位錯滑移運動的條件及其結(jié)果。 小結(jié) 名詞概念 單晶體與多晶體 晶粒與晶界 點缺陷 線缺陷 面缺陷 空位 位錯 柏氏矢量 刃型位錯和螺型位錯 滑移與攀移 內(nèi)容要求 1. 定性說明晶體平衡時為什么存在一定的空位濃度。非共格界面類似大角度晶界,而完全的共格是困難的,共格面兩邊微少的差別可以用晶格的畸變來調(diào)整,界面兩邊差別不十分大時,將可以補充一定的位錯來協(xié)調(diào),組成半共格界面。它是指成分相同、(晶體 )結(jié)構(gòu)相同、有界面和其它部分分開的物質(zhì)的均勻組成部分。液體的表面是液相和氣相的分界面;晶體的表面是晶體和氣相 (或液相 )的分界面;兩個不同的固相之間的分界面也是相界面,在我們的課程中主要是指后者。 孿晶界 孿晶:是指兩個晶體 (或一個晶體的兩部分 )沿一個公共晶面構(gòu)成鏡面對稱的位向關(guān)系,這兩個晶體就稱為“孿晶”,此公共晶面就稱孿晶面。 (5) 由于成分偏析和內(nèi)吸附現(xiàn)象,特別是晶界富集雜質(zhì)原子情況下,往往晶界熔點較低,故在加熱過程中,因溫度過高將引起晶界熔化和氧化,導(dǎo)致“過熱”現(xiàn)象產(chǎn)生。 (4) 在固態(tài)相變過程中,由于晶界能量較高且原子活動能力較大,所以新相易于在晶界處優(yōu)先形核。晶粒愈細,材料的強度愈高,這就是細晶強化;而高溫下則相反,因高溫下晶界存在一定的粘滯性,易位相鄰晶粒產(chǎn)生相對滑動。然面晶粒的長大和晶界的平直化均需通過原子的擴散來實現(xiàn),因此,隨著溫度升高和保溫時間的增長,均有利于這兩過程的進行。 界面能與結(jié)構(gòu)的關(guān)系: 晶界的特性 (1)晶界處點陣畸變大,存在著晶界能。這時兩側(cè)的晶體應(yīng)處于某寫特定角度。關(guān)于大角度晶界的結(jié)構(gòu)說法不一,晶界可視為 2— 3(5)個原子的過渡層,這部分的原子排列盡管有其規(guī)律,但排列復(fù)雜,暫以相對無序來理解。可看成是一系列刃位錯排列成墻,晶界中位錯排列愈密,則位向差愈大。 : 晶界就是空間取向 (或位向 )不同的相鄰晶粒之間的分界面。每種材料有特定的 x值下表面能最低,其中 x=,大多數(shù)的金屬材料是屬于粗糙表面; x值僅在 0或 1附近穩(wěn)定的稱為平滑表面,大多是非金屬材料。例如 fcc結(jié)構(gòu)的晶體自由生長就為 14面體。 :在 晶體形成的過程中,為了使系統(tǒng)的自由能最低,盡量降低表面的總能量,即 ΣσA最小。另一種設(shè)想為一完整的晶體,按某晶面為界切開成兩半,形成兩個表面,切開時為破壞原有的結(jié)合鍵單位面積所吸收的能量。晶體的表面能在有些意義和大家已知液體表面張力是一樣的。計量單位為J/m2。 、外表面 :就是晶體的外表面,一般是指晶體與氣體 (氣相或液相 )的分界面。為此,反應(yīng)后各位錯的總能量應(yīng)小于反應(yīng)前各位錯的總能量。 3.不全位錯 在面心立方晶體中,有兩種重要的不全位錯:肖克利 (shockley)不全位錯和弗蘭克( Frank)不全位錯。 晶體中出現(xiàn)層錯的幾率與層錯能有關(guān),層錯能越高則幾率越小。 不全位錯(或部分位錯) :把柏氏矢量不等于點陣矢量的整數(shù)倍的位錯,不全位錯滑移后原子排列規(guī)律發(fā)生變化。 全位錯 :柏氏矢量等于點陣矢量或其整數(shù)倍的位錯。 (3) 晶體內(nèi)部的某些界面 (如第二相質(zhì)點、李晶、晶界等 )和微裂紋的附近,由于熱應(yīng)力和組織應(yīng)力的作用,往往出現(xiàn)應(yīng)力集中現(xiàn)象,當(dāng)此應(yīng)力高至足以使該局部區(qū)域發(fā)生滑移時,就在該區(qū)域產(chǎn)生位錯。其主要來源有; ①由于熔體中雜質(zhì)原子在凝固過程中不均勻分布使晶體的先后凝固部分成分不同,從而點陣常數(shù)也有差異,可能形成位錯作為過渡; ②由于溫度梯度、濃度梯度、機械振動等的影響,致使生長著的晶體偏轉(zhuǎn)或彎曲引起相鄰晶塊之間有位相差,它們之間就會形成位錯; ③晶體生長過程中由于相鄰晶粒發(fā)生碰撞或因液流沖擊,以及冷卻時體積變化的熱應(yīng)力等原因會使晶體表面產(chǎn)生臺階或受力變形而形成位錯。 穿過單位面積的位錯線數(shù)目: 式中 l為每根位錯線的長度; n為在面積 A中所見到的位錯數(shù)目。 薄膜透射電鏡觀察 將試樣減薄到幾十到數(shù)百個原子層 (500nm以下 ),利用透射電鏡進行觀察,可見到位錯線。 滑移力,攀移力 位錯間的交互作用 a、兩平行螺型位錯的交互作用 b、兩平行刃型位錯間的交互作用 位
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