半導(dǎo)體元器件的基本知識(參考版)
2025-02-24 15:11本頁面
【正文】 UAK減小到零或加反壓來達(dá)到 3 一旦導(dǎo)通，門極失去控制，故可用脈沖信號 。 溫度每升高 1?C， ? 增加 %~%。硅管優(yōu) 于鍺管。 PC ? PCM =IC UCE 硅 管允許結(jié)溫約為 150?C， 鍺 管約為 70?90?C。 基極開路時(shí)，集電極不致?lián)舸?，允許加在集 —射極之間的最高反向電壓。 三極管的溫度特性較差。 溫度 ??ICBO? ICBO ?A + – EC 射極反向截止電流 (穿透電流 )ICEO ?A ICEO IB=0 + – ICEO受溫度的影響大。 537040 51BC .. .II ????40040060 5132BC ?????....IIΔΔ?在以后的計(jì)算中，一般作近似處理： ? = 。 ?常用晶體管的 ? 值在 20 ~ 150之間。 四 .主要參數(shù) ? 1. 電流放大系數(shù) ， ? ?直流電流放大系數(shù) BCII_ _ _ ??BCIIΔΔ??交流電流放大系數(shù) 當(dāng)晶體管接成發(fā)射極電路時(shí)， 表示晶體管特性的數(shù)據(jù)稱為晶體管的參數(shù)，晶體管的參數(shù)也是設(shè)計(jì)電路、選用晶體管的依據(jù)。 在飽和區(qū)， ?IB ?IC，發(fā)射結(jié)處于正向偏置，集電結(jié)也處于正 偏。 在截止區(qū)發(fā)射結(jié)處于反向偏置，集電結(jié)處于反向偏置，晶體管工作于截止?fàn)顟B(tài)。 在放大區(qū)， 發(fā)射結(jié)處于正向偏置、集電結(jié)處于反向偏置，晶體管工作于放大狀態(tài)。 為什么要研究特性曲線： 1）直觀地分析管子的工作狀態(tài) 2）合理地選擇偏置電路的參數(shù)，設(shè)計(jì)性能良好的電路 重點(diǎn)討論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線 發(fā)射極是輸入回路、輸出回路的公共端 共發(fā)射極電路 輸入回路 輸出回路 測量晶體管特性的實(shí)驗(yàn)線路 IC VBB mA ?A V UCE UBE RB IB VCC V + + – – – – + + RC 1. 輸入特性 常數(shù)?? CE)( BEB UUfI特點(diǎn) :非線性 死區(qū)電壓：硅管 ，鍺管 。 實(shí)質(zhì) :用一個(gè)微小電流的變化去控制一個(gè)較大電流的變化，是 CCCS器件 。 3. 最大工作電流 IZM 最大耗散功率 PZM P ZM = UZ IZM 4. 動(dòng)態(tài)電阻 rZ幾 ? ? 幾十 ? rZ = ?UZ / ?IZ 越小穩(wěn)壓效果越好。 60 40 20 – 0 –25 –50 iD / mA uD / V 20?C 90?C 溫度升高，正向特性向左移動(dòng)，反向特性向下移動(dòng) 二極管的主要參數(shù) 1. IF — 最大整流電流 (最大正向平均電流 ) 2. URM — 最高反向工作電壓 ，為 U(BR) / 2 3. IRM — 反向電流 (越小單向?qū)щ娦栽胶?) 4. fM — 最高工作頻
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