沈陽化工大學(xué)無機材料科學(xué)基礎(chǔ)--3-1缺陷類型與點缺陷(參考版)
2025-01-23 08:03本頁面
【正文】 （三）熱缺陷濃度的計算 無機材料科學(xué)基礎(chǔ) 弗侖克爾缺陷濃度的計算 ? 化學(xué)平衡方法計算熱缺陷濃度 MiM VMM ???? ?????????? ???kTGNn fi2e xp無機材料科學(xué)基礎(chǔ) 肖特基缺陷濃度的計算 SSOMOM OMVVOM ???????????????OM VV0?????? ???kTGNn Sv2e xp無機材料科學(xué)基礎(chǔ) ? 熱缺陷的濃度與缺陷形成自由焓及溫度的關(guān)系為： ?????? ???kTGNn2e xp無機材料科學(xué)基礎(chǔ) 例： （ 1）在 MgO晶體中，肖特基缺陷的生成能為 6eV，計算 25℃ 及 1600℃ 時的熱缺陷濃度 ? （ 2）如果 MgO晶體中，含有百萬分之一的 Al2O3雜質(zhì)，則在 1600℃ 時， MgO晶體中熱缺陷占優(yōu)勢還是雜質(zhì)缺陷占優(yōu)勢？說明原因。 無機材料科學(xué)基礎(chǔ) 在一定溫度下，熱缺陷是處在不斷地產(chǎn)生和消失的過程中，當(dāng)單位時間產(chǎn)生和復(fù)合而消失的數(shù)目相等時，系統(tǒng)達到平衡，熱缺陷的數(shù)目保持不變。 低價正離子占據(jù)高價正離子位置時 ， 該位置帶有 負電荷 ， 為了保持電中性 ， 會產(chǎn)生負離子空位或間隙正離子 。 （ 3）電中性（電荷守恒） 電中性要求缺陷反應(yīng)方程式兩邊的 有效電荷數(shù)必須相等。 ? 特點： 其化學(xué)組成隨周圍 氣氛 的性質(zhì)及其 分壓大小而變化，它是產(chǎn)生 n型和 p型半導(dǎo)體的基礎(chǔ)，為一種半導(dǎo)體材料。 ? 類型： 置
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