沈陽(yáng)化工大學(xué)無(wú)機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ)--3-1缺陷類型與點(diǎn)缺陷(編輯修改稿)
2025-02-16 08:03 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 位置遷移到新表面位置，而在晶體表面形成新的一層，同時(shí)在晶體內(nèi)部正常格點(diǎn)上留下空位。 無(wú)機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ) 2. 雜質(zhì)缺陷 ? 定義 : 是由外加雜質(zhì)原子進(jìn)入晶體而產(chǎn)生的缺陷，亦稱為 組成缺陷、非本征缺陷 。 雜質(zhì)原子的含量一般少于 ％。 ? 類型： 置換式雜質(zhì)原子和間隙式雜質(zhì)原子 ? 特征 : 雜質(zhì)缺陷的濃度與 溫度 無(wú)關(guān)。 只決定于 溶解度 ?雜質(zhì)缺陷對(duì)材料性能的影響 無(wú)機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ) 3. 非化學(xué)計(jì)量結(jié)構(gòu)缺陷 ? 定義： 指組成上偏離化學(xué)計(jì)量而形成的缺陷。 ? 特點(diǎn)： 其化學(xué)組成隨周圍 氣氛 的性質(zhì)及其 分壓大小而變化，它是產(chǎn)生 n型和 p型半導(dǎo)體的基礎(chǔ)，為一種半導(dǎo)體材料。 xTiO ?2? 如： ）～還原氣氛 10(T 22 ???? ?? ? xiOT iO xn 型半導(dǎo)體 無(wú)機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ) 4. 其它 : 電荷缺陷、輻照缺陷 …… ? 能帶理論： 非金屬固體 ? 電子導(dǎo)電： n 型半導(dǎo)體 ? 空穴導(dǎo)電： p 型半導(dǎo)體 ? 非化學(xué)計(jì)量缺陷也稱 電荷缺陷 無(wú)機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ) ? 點(diǎn)缺陷的符號(hào)表征： KrogerVink符號(hào) ? 缺陷反應(yīng)方程式的寫法 ? 熱缺陷濃度的計(jì)算 第二節(jié) 點(diǎn)缺陷 無(wú)機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ) （一）點(diǎn)缺陷的符號(hào)表征： KrogerVink符號(hào) 1. 空位（ vacancy） 2. 間隙原子 （ interstitial） 3. 錯(cuò)放位置（錯(cuò)位質(zhì)點(diǎn)） 4. 置換原子（溶質(zhì)原子 ) 5. 自由電子或電子空穴
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1