【正文】
(). ( )D S G S G S thA U U U??(). ( )D S G S G S thC U U U??(). ( )D S G S G S thB U U U??a b c 1 N溝道 JFET管的 UGS必須為 ____, P溝道 JFET管的UGS必須為 ____, N溝道增強(qiáng)型 MOS管的 UGS必須為 ____,P溝道增強(qiáng)型 MOS管的 UGS必須為 ____, N溝道耗盡型MOS管的 UGS可以是 ____。描述這一控制作用的參數(shù)為 ________,其定義式為 。 增大 增加 減小 左移 上移 加大 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管屬電流表達(dá)式是 三極管工作有三個(gè)區(qū)域 : 在放大區(qū)時(shí),偏置為 ___________和 ___________;飽和區(qū)的偏置為 ___________和 ___________; 截止區(qū)的偏置為 ___________和 ___________。 大 小 BJT具有電流放大作用的內(nèi)部條件是:發(fā)射區(qū)摻雜濃度 ____,基區(qū)摻雜濃度 ____且制作得很 ____,集電結(jié)面積 ____;外部條件是發(fā)射結(jié) ____,集電結(jié)____。 解釋 MOSFET的體效應(yīng),它對(duì) MOSFET的放大作用有何影響? 背柵 c a a e b d c f 溫度下降時(shí),二極管的導(dǎo)通電壓 ____,反向飽和電流 ____。 vBS對(duì)導(dǎo)電溝道也有一定的控制能力,這種現(xiàn)象稱為 體效應(yīng) 或 襯底調(diào)制效應(yīng) 。 電壓(電場(chǎng))控制特性; 可變電阻特性; 在夾斷區(qū)(放大區(qū)) iD與 vGS的平方率特性; 在亞閥區(qū)的導(dǎo)電特性; 背柵控制特性(體效應(yīng)); 轉(zhuǎn)移特性曲線的零溫度系數(shù)特點(diǎn); 與 BJT相似,在放大區(qū)具有溝道調(diào)制效應(yīng)。若 時(shí)的等效電路中的受控電流源。 2 V 6V 10VDSv ? 、 、 已知某 P溝道 JFET的參數(shù): , 試求出 時(shí)的完整小信號(hào)等效電路。 G S th G S of fVV( ) ( )和 已知某 3DJ6( NJFET)的漏極特性如圖 所示。 f?T Z A300 MH C V 100 V 150uf ??= , , = , = ,C E CV 6 V I m A?= , = ?Tβf 300Mf = = = 2MH zβ 150 畫(huà)出 N溝道 JFET的轉(zhuǎn)移特性曲線和漏極特性曲線;指出電阻區(qū)和夾斷區(qū)以及它們的分界線;寫(xiě)出轉(zhuǎn)移特性方程式;定義 。 T Z A250 MH C 2 pF V 120 V 100uf ??= , , = , = ,C E CQ V 6 V I 1 m A: = , = ?39。f : f ≈ β f , 共 射 B J T 的 特 征 頻 率 , f 繼 續(xù) 增 大 , | β | 下 降 到 1 時(shí) 的 頻 率 。? v β1r= , 模 擬 反 偏 集 電 結(jié) 動(dòng) 態(tài) 電 阻 。V1r= 輸 入 交 流 短 路 下 的 輸 出 電 阻 。?