電子電路第一章習(xí)題(已改無錯(cuò)字)
2023-02-18 18:29:19 本頁面
【正文】 的 0 . 7 0 7 時(shí) 的 頻 率 。f : f ≈ β f ， 共 射 B J T 的 特 征 頻 率 ， f 繼 續(xù) 增 大 ， | β | 下 降 到 1 時(shí) 的 頻 率 。 設(shè)某三極管 靜態(tài)工作點(diǎn) ，試畫出它的混合 等效模型，并在圖上標(biāo)明所有模型參數(shù)。 T Z A250 MH C 2 pF V 120 V 100uf ??= ， ， ＝ ， ＝ ，C E CQ V 6 V I 1 m A： ＝ ， ＝ ?39。TπcCmTAcec5u c ebbuπ C T T uβ V 1 0 0 * 2 6r = = ＝ 2 . 6 K Ω ，I1I 1 m Ag ≈ = = 3 8 . 5 m SV 2 6 m VV 120Vr = = = 1 2 0 K ΩI 1 m Ar= β r ＝ 1 0 0 * 1 . 2 * 1 0 ＝ 12M Ω設(shè) r = 2 0 0 ΩC = 2 p FC = ( I / 2 π V f ) C = 2 2 . 5 p F 設(shè)某 PNP管的 ，畫出混合 型交流等效電路，求 。 f?T Z A300 MH C V 100 V 150uf ??= ， ， ＝ ， ＝ ，C E CV 6 V I m A?＝ ， ＝ ?Tβf 300Mf = = = 2MH zβ 150 畫出 N溝道 JFET的轉(zhuǎn)移特性曲線和漏極特性曲線；指出電阻區(qū)和夾斷區(qū)以及它們的分界線；寫出轉(zhuǎn)移特性方程式；定義 。 D S S G S of fIV （ ）和 畫出 N溝道耗盡型與增強(qiáng)型 MOSFET的轉(zhuǎn)移特性曲線和漏極特性曲線；標(biāo)明電阻區(qū)及夾斷區(qū)以及它們的分界線；定義 ；寫出它們在可變電阻區(qū)和恒流區(qū)的特性方程式。 G S th G S of fVV（ ） （ ）和 已知某 3DJ6（ NJFET）的漏極特性如圖 所示。試由漏極特性作出 三種情況下的轉(zhuǎn)移特性。 2 V 6V 10VDSv ? 、 、 已知某 P溝道 JFET的參數(shù)： ， 試求出 時(shí)的完整小信號等效電路。 D S S G S of fI 5m A V 3 V?? （ ）， ＝ ，212 10 V? － －＝D d sI 1 m A , 10 Vv? ? ? ?gs gd dsC 2p F C 0. 5p F ,C 0,? ? ?， 設(shè) PMOSFET的工藝參數(shù)： 靜態(tài)工作電流 試畫出它的低頻小信號等效電路。若 時(shí)的等效電路中的受控電流源。 oxC ( 3 ~ 4)?220 0 /( )pu c m V s?DI 100 uA＝ ，821 0 F / 0 . 0 2 Vcm ? ?－ W 1 2 0， ， （ ） ＝ ，L80 , 0bs bsvv??畫 出 試簡述 MOSFET的主要特性。 電壓（電場）控制特性； 可
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