電子與電路ppt課件(參考版)
2025-01-18 04:33本頁(yè)面
【正文】 uCE(V)iC(mA)0 5 10 1512302040iB =60μA輸出特性02040iB =60μA25℃100℃② 溫度對(duì) 的影響。一般的，溫度每升高 1℃ ， 增加約 (~1)% ，即稱為 的溫度系數(shù)。公式為：l通常手冊(cè)上給出的 ICBO是溫度為 25℃ 時(shí)的值，如果實(shí)際工作溫度高于 25℃ ，則應(yīng)用上式算出實(shí)際值。(a)3AX1的輸出特性iC(mA)uCE(V)iB = 0放大區(qū) 截止區(qū)飽和區(qū)2046820℃2 6 8 10 12晶體管的輸出特性iC(mA)uCE(V)iB= 00. 2mA20℃放大區(qū)飽和區(qū)100203040(b)3DG4的輸出特性5 10 15 20 25 30 3550 n主要考慮溫度對(duì)下述三個(gè)參數(shù)的影響：n共射短路電流放大系數(shù) n基射極間正向電壓 uBEn集電結(jié)反向飽和電流 ICBO。(a)3AX1的輸出特性iC(mA)uCE(V)iB = 0放大區(qū) 截止區(qū)飽和區(qū)2046820℃2 6 8 10 12晶體管的輸出特性iC(mA)uCE(V)iB= 00. 2mA20℃放大區(qū)飽和區(qū)100203040(b)3DG4的輸出特性5 10 15 20 25 30 3550⑵ 共射輸出特性 l 放大區(qū)的特點(diǎn)： iB固定， uCE增加 ?iC略有增加。l飽和時(shí)的 值稱為飽和壓降 ⑵ 共射輸出特性 l放大區(qū) : 輸出特性上在飽和區(qū)和截止區(qū)之間的區(qū)域?yàn)榉糯髤^(qū)。(a)3AX1的輸出特性iC(mA)uCE(V)iB = 0放大區(qū) 截止區(qū)飽和區(qū)2046820℃2 6 8 10 12晶體管的輸出特性iC(mA)uCE(V)iB= 00. 2mA20℃放大區(qū)飽和區(qū)100203040(b)3DG4的輸出特性5 10 15 20 25 30 3550⑵ 共射輸出特性 l 飽和區(qū)是對(duì)應(yīng)于 uCE較小（ uCEuBE） 的情況。(a)3AX1的輸出特性iC(mA)uCE(V)iB = 0放大區(qū) 截止區(qū)飽和區(qū)2046820℃2 6 8 10 12晶體管的輸出特性iC(mA)uCE(V)iB= 00. 2mA20℃放大區(qū)飽和區(qū)100203040(b)3DG4的輸出特性5 10 15 20 25 30 3550⑵ 共射輸出特性 l飽和區(qū) : 指輸出特性中 iC上升部分與縱軸之間的區(qū)域。(a)3AX1的輸出特性iC(mA)uCE(V)iB = 0放大區(qū) 截止區(qū)飽和區(qū)2046820℃2 6 8 10 12晶體管的輸出特性iC(mA)uCE(V)iB= 00. 2mA20℃放大區(qū)飽和區(qū)100203040(b)3DG4的輸出特性5 10 15 20 25 30 3550⑵ 共射輸出特性 l 實(shí)際上，三極管在 iB=0時(shí)并沒有完全截止。在 這 個(gè)區(qū)域中， 電 流 iC很小，基本不 導(dǎo) 通，故稱 為 截止區(qū)。 uCE≥1V以后 ，基區(qū)中集電結(jié)邊界處的電子濃度很低。 uCE的大小影響基區(qū)內(nèi)集電結(jié)邊界電子的分布。 ⑴ 共射輸入特性 luCE為一固定值時(shí)， iB和 uBE之間的關(guān)系曲線稱為共射輸入特性，即iB(mA)uBE(V) 0uCE = 0V1V 5V3DG4的輸入特性20℃輸入特性有以下幾個(gè)特點(diǎn)： l當(dāng) uCE=0時(shí)，輸入特性曲線與二極管的正向伏安特性曲線形狀類似。3. 晶體管的特性曲線l晶體管特性曲線是表示晶體管各極間電壓和電流之間的關(guān)系曲線。lPCM、 U(BR)CEO和 ICM三個(gè)極限參數(shù)，決定了晶體管的安全工作區(qū)。lU(BR)CBOU(BR)CEOU(BR)EBO。lU(BR)CEO是基極開路時(shí)，集電極 發(fā)射極間的反向擊穿電壓。② 反向擊穿電壓 l反向擊穿電壓是指各電極間允許加的最高反向電壓 。μAbceICEO(a) NPN管μAbceICEO(b) PNP管ICEO的測(cè)量⑶ 極限參數(shù) l① 集電極最大允許耗散功率 PCMl晶體管電流 iC與電壓 uCE的乘積稱為集電極耗散功率 PC =iCuCE， 這個(gè)功率將導(dǎo)致集電結(jié)發(fā)熱，溫度升高。 由于這個(gè)電流由集電極穿過基區(qū)流到發(fā)射極，故稱為穿透電流。l硅管的 ICBO比 鍺 管的小得多，要求在溫度 變化范 圍寬 的 環(huán) 境下工作 時(shí) ， 應(yīng)選 用硅管；大功率管的 ICBO值較 大，使用 時(shí)應(yīng) 予以注意。μAICBO(b) PNP管VμAICBO(a) NPN管VICBO的測(cè)量① 集電極 基極反向飽和電流 ICBOl反向 電壓 大小改 變時(shí) ， ICBO的數(shù) 值 可能稍有改 變 。 找出 F點(diǎn)和 G點(diǎn)，對(duì)應(yīng)于 F點(diǎn)， iC=，iB=；對(duì)應(yīng)于 G點(diǎn)， iC=，iB=；于是 △ iC==， △ iB==，所以 =uCE(V)iC(mA)iB=0FBG0 3AX3的輸出特性23468② 共射交流短路電流放大系數(shù)l定 義n 根據(jù)晶體管的電流分配關(guān)系，可以得到下列換算關(guān)系 ③ 共基直流 電 流放大系數(shù) 和共基交流 電 流放大系數(shù)與 與,的數(shù)值相差很小 ,在后面的分析里 ,只用共基極電流放大系數(shù) 與共射極電流放大系數(shù) ,而不區(qū)分是直流或是交流⑵ 極間反向電流① 集電極 基極反向飽和電流 ICBOlICBO是指發(fā)射極開路，集電極與基極之間加反向電壓時(shí)產(chǎn)生的電流，也就是集電結(jié)的反向飽和電流 。如果 iCICEO則⑴ 電流放大系數(shù) lA點(diǎn)對(duì)應(yīng)的 iC=6mA， iB=4
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