【正文】 54 答辯 能正確回答指導(dǎo)教師所提出的問題。 202 課程設(shè)計質(zhì)量課程設(shè)計選題合理，計算過程簡練準(zhǔn)確，分析問題思路清晰，結(jié)構(gòu)嚴(yán)謹(jǐn)，文理通順，撰寫規(guī)范，圖表完備正確。[11]王兆安、黃俊 .電力電子技術(shù)[M].北京：機(jī)械工業(yè)出版社，2022。[9] [M].北京：高等教育出版社,2022。[7][M].四川：電子科技大學(xué)出版社，2022。[5] [J].哈爾濱：哈爾濱地圖出版社，2022。[3][M].南京：東南大學(xué)出版社，1999。參考文獻(xiàn)[1] [M].：機(jī)械工業(yè)出版社，1980。電氣工程課程設(shè)計（報告）13另外通過這次課程設(shè)計，我對文檔的編排也有一定的掌握，這對于以后的畢業(yè)設(shè)計及工作需要都有很大的幫助，在完成課程設(shè)計的同時我也在復(fù)習(xí)一遍電力電子這門課程，把以前一些沒弄懂的問題這次弄明白一部分，當(dāng)然沒有全部。這次的課程設(shè)計是我設(shè)計時間最長的一次，也是收獲最大的一次。整流電路中，基本元件的選擇是最關(guān)鍵的，開關(guān)器件和觸發(fā)電路選擇的好，對整流電路的性能指標(biāo)影響很大。要完成這次課程設(shè)計，關(guān)靠書本知識是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，所以我查閱了很多關(guān)于電力電子的書籍，并且也通過網(wǎng)絡(luò)查到很多相關(guān)的知識，為這次課程設(shè)計做了很多幫助。最下面一個圖則是 Ud 的波形圖。Matlab 仿真波形如圖 6 所示。時 Matlb 仿真波形這樣在計算時相當(dāng)于在 30176。但是為了區(qū)分 VT1 和 VT2 不同的觸發(fā)角，須將兩者的延遲時間設(shè)置成不一樣的，如將 VT1 的觸發(fā)延遲時間設(shè)置成 ，將 VT2 的觸發(fā)延遲時間設(shè)置成。系統(tǒng)仿真單相橋式半控整流電路在 Simulink 環(huán)境下，運用 PowerSytemBlockest 的各種元件模型建立了單相橋式半控整流電路的仿真模型如圖 5 所示圖 5 單相橋式半控整流電路仿真模型在實際電路中電源部分應(yīng)該是從電網(wǎng)引進(jìn) 220V 電壓經(jīng)變壓器降低成 200V的電源然后接入電路中，在此我們?yōu)榱撕唵尾捎玫氖?Matlab 里面的交流電源，設(shè)置參數(shù)時電壓設(shè)置成 200V，頻率為 50HZ。如下圖 4 所示：圖 4 串聯(lián)電感抑制回路（2）電壓上升率 dv/dt 的抑制加在晶閘管上的正向電壓上升率 dv/dt 也應(yīng)有所限制,如果 dv/dt 過大，由于晶閘管結(jié)電容的存在而產(chǎn)生較大的位移電流，該電流可以實際上起到觸發(fā)電流的作電氣工程課程設(shè)計（報告）11用，使晶閘管正向阻斷能力下降，嚴(yán)重時引起晶閘管誤導(dǎo)通。 電流上升率、電壓上升率的抑制保護(hù)（1）電流上升率 di/dt 的抑制晶閘管初開通時電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區(qū)域，局部電流密度很大，然后以 ，若晶閘管開通時電流上升率 di/dt 過大，會導(dǎo)致 PN 結(jié)擊穿，必須限制晶閘管的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。因此我們有必要對設(shè)備進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪^電壓保護(hù)。外因過電壓主要來自雷擊和系統(tǒng)中的操作過程等外部原因。由于晶閘管的額定電流為 16A，快速熔斷器的熔斷電流大于 倍的晶閘管額定電流，所以快速熔斷器的熔斷電流為 24A。（3)快熔的 值應(yīng)小于被保護(hù)器件的 值。（2)電流容量應(yīng)按其在主電路中的連接方式和主電路連結(jié)形式確定。過 電流保護(hù)電路圖如圖 3 所示。可用作過電流保護(hù)的主要有快速熔斷器、直流快速熔斷器和過流繼電器。 晶閘管過電流保護(hù) 晶閘管變流裝置運行不正?；蛘甙l(fā)生故障時，可能會發(fā)生過電流，過電流分過載和短路兩種情況。電氣工程課程設(shè)計（報告）9 變壓器的選取根據(jù)參數(shù)計算得出 =200V，又有電網(wǎng)電壓 =220V，那么可以計算出變壓2U1U器變比 K 為： （5）不考慮變壓器損耗時，則變 壓器的容量。這可以通過增大負(fù)載電阻，降低陽極電壓接近于零或者是加反向陽極電壓來實現(xiàn)。這個脈沖稱之為觸發(fā)脈沖。通過理論分析和實驗表明：只有當(dāng)晶閘管同時承受正向陽極電壓和正向門極電壓時，晶閘管才能導(dǎo)通，兩者缺一不可?？梢钥闯觯瑑蓚€晶體管連接的特點是一個晶體管的集電極電流就是另一個晶體管的基極電流，當(dāng)有足夠的門極電流 Ig 流入時，兩個相互符合的晶體管電路就會形成強(qiáng)烈的正反饋，導(dǎo)致兩個晶體管飽和導(dǎo)通，也即晶閘管導(dǎo)通。 晶閘管是 PNPN 四層三端器件，共有三個 PN 結(jié)。晶閘管的弱點：靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差，容易受干擾而誤導(dǎo)通。晶閘管的優(yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點運行，無火花、無噪聲；效率高，成本低等。因此，改變 RP 是起移相的作用，達(dá)到調(diào)壓的目的。這樣，才能使每半周產(chǎn)生第一個脈沖的時間保持不變，從而使晶閘管的導(dǎo)通角和輸出電壓平均值保持不變。在 UZ 過零值時，單結(jié)晶體管基極間的電壓 UBB 也為零。穩(wěn)壓管的作用是將整流電壓 Uo 變換成梯形波（削去頂上一塊，所謂削波） ，穩(wěn)定在一個電壓值 UZ，使單結(jié)晶體管輸出的脈沖幅度和每半周產(chǎn)生第一個脈沖（第一個脈沖使晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通后，后面的脈沖都是無用的）的時間不受交流電源電壓波動的影響。電氣工程課程設(shè)計（報告）7圖2 單結(jié)晶體管觸發(fā)電路這是不希望的。因為在 UP＝U BB＋U D 的式中，分壓比幾乎不隨溫度而變，而 UD 將隨溫度上升而略有下降。根據(jù)上述數(shù)據(jù)，輸出脈沖的寬度和幅度都能滿足觸發(fā)晶閘管的要求。脈沖電壓的幅度決定于直流電源電壓和單結(jié)晶體管的分壓比。如果 R1 太大，當(dāng)單結(jié)晶體管尚未導(dǎo)通時，其漏電流就可能在 R1 上產(chǎn)生較大的電壓，這個電壓加在晶閘管的控制極上而導(dǎo)致誤觸發(fā)。如選用 C＝~1uF， R