【正文】 整個課程設(shè)計過程中，由于理論知識的缺乏，以及對課程設(shè)計的不熟悉，課程設(shè)計還有很多不足之處，在以后的課程設(shè)計中，希望能有所改善。雖然設(shè)計過程中遇到很多問題，尤其是保護電路的設(shè)計，因為課上沒有講到保護電路的內(nèi)容，保護電路的理解不夠全面，設(shè)計的時候是一頭霧水，但還是在老師的幫助下，我一一解決了。設(shè)計過程中，我明白了整流電路，尤其是單相全控橋式整流電路的重要性以及整流電路設(shè)計方法的多樣性。對于課程設(shè)計的內(nèi)容，首先要做的應是對設(shè)計內(nèi)容的理論理解，在理論充分理解的基礎(chǔ)上，才能做好課程設(shè)計，才能設(shè)計出性能良好的電路。第七章 設(shè)計總結(jié)這次課程設(shè)計讓我明白了很多關(guān)于電力電子技術(shù)方面的知識，尤其是在課本中沒有完全介紹的。 控制角=0186。 設(shè)置好各模塊參數(shù)，單擊工具欄“Simulation”菜單下的“Start”命令進行仿真。1)整流輸出電壓平均值=== (531) 2)紋波系數(shù)紋波系數(shù)用來表示直流輸出電壓中相對紋波電壓的大小，即 （532） 元器件備注數(shù)量整流變壓器，根據(jù)參數(shù)計算可知:變壓器應選變比為,容量至少為。Ⅱ、 選擇時考慮（～2）倍的安全余量。 (523) 額定狀態(tài)下， 晶閘管的電流波形系數(shù) (524)該電路為大電感負載，電流波形可看作連續(xù)且平直的。若晶閘管導通時電流上升太快，則會在晶閘管剛開通時，有很大的電流集中在門極附近的小區(qū)域內(nèi)，從而造成局部過熱而損壞晶閘管。 通態(tài)電流臨界上升率di/dt。在額定結(jié)溫和門極開路的情況下，不會導致晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的最大正向電壓上升率。在常溫下，陽極電壓為6V時，使晶閘管能完全導通所用的門極電流，一般為毫安級。指在規(guī)定的工作溫度條件下，使晶閘管導通的正弦波半個周期內(nèi)陽極與陰極電壓的平均值，～。一般掣住電流比維持電流大（2～4）倍。維持電流與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，維持電流越小，晶閘管越難關(guān)斷。將此電流按晶閘管標準電流取相近的電流等級即為晶閘管的額定電流。和規(guī)定的冷卻條件下，元件在電阻性負載流過正弦半波、導通角不小于170176。晶閘管的額定電壓 UTn =（2～3）UTM UTM ：工作電路中加在管子上的最大瞬時電壓 額定電流IT(AV) IT(AV) 又稱為額定通態(tài)平均電流。：額定電壓UTn通常取UDRM和URRM中較小的，再取靠近標準的電壓等級作為晶閘管型的額定電壓。晶閘管的關(guān)斷，就是要使各層區(qū)內(nèi)載流子消失，使元件對正向陽極電壓恢復阻斷能力。反壓可利用電源、負載和輔助換流電路來提供。延遲時間隨門極電流的增大而減少，延遲時間和上升時間隨陽極電壓上升而下降。從突加門極電流時刻到陽極電流上升到穩(wěn)定值IT的10%所需的時間稱為延遲時間td，而陽極電流從10%IT上升到90%IT所需的時間稱為上升時間tr，延遲時間與上升時間之和為晶閘管的開通時間圖112給出了晶閘管的開關(guān)特性。在高頻電路應用時，需要嚴格地考慮晶閘管的開關(guān)特性，即開通特性和關(guān)斷特性。由于這個結(jié)的伏安特性很分散，無法找到一條典型的代表曲線，只能用一條極限高阻門極特性和一條極限低阻門極特性之間的一片區(qū)域來代表所有元件的門極伏安特性，如圖52陰影區(qū)域所示。第Ⅰ象限的正向特性又可分為正向阻斷狀態(tài)及正向?qū)顟B(tài)。（1） 陽極伏安特性晶閘管的陽極伏安特性表示晶閘管陽極與陰極之間的電壓Uak與陽極電流ia之間的關(guān)系曲線，如圖51所示。：第五章 元器件和電路參數(shù)計算. 晶閘管的基本特性．靜態(tài)特性靜態(tài)特性又稱伏安特性，指的是器件端電壓與電流的關(guān)系。:2) 電壓上升率dv/dt的抑制加在晶閘管上的正向電壓上升率dv/dt也應有所限制,如果dv/dt過大，由于晶閘管結(jié)電容的存在而產(chǎn)生較大的位移電流，該電流可以實際上起到觸發(fā)電流的作用，使晶閘管正向阻斷能力下降，嚴重時引起晶閘管誤導通。、電壓上升率的抑制保護1) 電流上升率di/dt的抑制晶閘管初開通時電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區(qū)域，局部電流密度很大，若晶閘管開通時電流上升率di/dt過大，會導致PN結(jié)擊穿，必須限制晶閘管的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。熔斷器是最簡單的過電流保護元件，但最普通的熔斷器由于熔斷特性不合適，很可能在晶閘管燒壞后熔斷器還沒有熔斷，快速熔斷器有較好的快速熔斷特性，一旦發(fā)生過電流可及時熔斷起到保護作用。全保護是指無論過載還是短路均由快熔進行保護，此方式只適用于小功率裝置或器件使用裕量較大的場合。為保證熔體在正常過載情況下不熔化，應考慮其時間電流特性。快熔一般與電力半導體體器件串聯(lián)連接，在小容量裝置中也可串接于閥側(cè)交流母線或直流母線中。在選擇快熔時應考慮：電壓等級應根據(jù)快熔熔斷后實際承受的電壓來確定。在選擇各種保護措施時應注意相互協(xié)調(diào)。過電流分載和短路兩種情況。保護方法：阻