講座之一pd芯片知識培訓(xùn)(參考版)
2025-01-16 08:19本頁面
【正文】 。 2． 3 用 10 10顯微鏡觀察 ， 減薄面無劃痕 。 2． 2 減薄質(zhì)量檢驗 用千分表測厚度應(yīng)為 195μm 177。 2正向電壓 100%檢測 InGaAs/InP PIN PD芯片減薄工藝的檢驗規(guī)范 檢驗內(nèi)容 待減薄片厚度 ， 減薄片厚度 檢驗方法 2． 1用千分表將待減薄片依次測量其厚度 ， 將厚度差為 177。 暗電流 100%檢測 。 Φ300μm ID≤。 在 10下測反向擊穿電壓 VB: VB≥30V。 檢驗規(guī)定 減薄厚度 100%檢驗 。 20μm。 10μm的片子粘到一個磨盤上 ， 然后進行減薄 。 外延片擊穿電壓的抽樣率為 100%。 外延材料直徑 Φ=177。 根據(jù)擴散后的擊穿電壓 ， 換算出外延片有源層的載流子濃度 。 InGaAs/InP PIN PD芯片外延材料檢驗規(guī)范 檢驗內(nèi)容 外延材料表面 外延材料各層次厚度 外延材料載流子濃度 外延材料物理尺寸 外延材料質(zhì)量檢驗 鏡檢 采用 20 10倍數(shù)的顯微鏡觀測外延材料表面應(yīng)鏡面 、平整 、 光亮無劃痕 。 檢驗規(guī)定 3— 5個點的正向壓降 。 ： Φ55μm VF≤。 測試合金前定點管芯 ID： Φ55μm ID≤。 ， 在 10181。 檢驗規(guī)定 反向擊穿電壓 100%檢驗 暗電流 100%檢驗 InGaAs/InP PIN PD芯片合金工藝的檢驗規(guī)范 檢驗內(nèi)容 暗電流 ID 反向擊穿電壓 VBR 正向壓降 VF 檢驗方法 . 合金前 ， 在 5V下 ， 定點測暗電流 IDΦ55μm ID≤。A 下測反向擊穿電壓 VBR: VBR≥30V 在 5V偏置下利用 34401A數(shù)字電壓表粗測暗電流 Φ55μm ID≤ Φ300μm ID≤ nA 測量擴散結(jié)深 XJ 用顯結(jié)液 HF:H2O2:H2O=1:1:10腐 2分鐘 ， 在 10 50倍顯微鏡下觀察擴散剖面 ， 擴散結(jié)面應(yīng)平整 ， 結(jié)線應(yīng)清晰 。 刻蝕 Cr/Au、 片 100%檢查 。 二次 、 三次 Si3N4， Cr/Au、 圖形套刻準確 。 Si3N4， Cr/Au、 薄膜上無針孔 。 光刻質(zhì)量檢驗 光刻圖形邊緣應(yīng)整齊 ， 無鉆蝕 ， 無毛刺 ， 無小島 。 175℃ 時間： 16 hr ? 偏置： 10V ?氣氛： N2 : （ 非破壞性 ） ? 金絲直徑： ф18181。 暗電流 ID測試 : 定義：暗電流測試是在無光照下 ， PD芯片兩端加規(guī)定的 VR=5V反向偏置電壓時 ， PD芯片中流過的電流 。A 的規(guī)定值 ， 調(diào)節(jié)恒流源 IR=10181。A時 ， 加在兩極間所產(chǎn)生的電壓降為 PD芯片的反向擊穿電壓 。A VF： IF=1mA 響應(yīng)度 Re： λ= VR=5V PD芯片測試要求 反向擊穿電壓 VBR測試 反向擊穿電壓 VBR是 PD芯片的極限參數(shù) 。m ） ф55 ф75 ф300 擊穿電壓 （ V） （ 10uA） 最小值 30 30 30 典型值 50 45 37 暗電流（ nA） （ 5V） 最小值 典型值 最大值 1． 0 1． 0 正向電壓降（ V） （ 1mA） 最小值 典型值 最大值 測試環(huán)境 、 測試工藝條件 1 測試環(huán)境 相對濕度 45~55% 環(huán)境溫度 22℃ 177。 6. n面電極
法律信息相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1