講座之一pd芯片知識(shí)培訓(xùn)-文庫(kù)吧
2024-12-29 08:19 本頁(yè)面
【正文】 力直接施加在 Pn結(jié)及有源區(qū)上產(chǎn)生新的晶體缺陷以及由此造成的結(jié)構(gòu)退化 。 ?300 20 20 560 560 ?55 20 20 380 380 光敏面尺寸： ?55?m 光敏面尺寸： ?300?m 圖 2． 一次版圖 考慮到經(jīng)環(huán)境應(yīng)力及機(jī)械應(yīng)力試驗(yàn)后光纖仍對(duì)準(zhǔn)光敏面 ， 我們對(duì)光敏面進(jìn)行了設(shè)計(jì) ， 保證了光敏面對(duì)光全接收 ， 又有一定的藕合容量， 并能避免光纖離光敏面太近而帶來(lái)的弊端 芯片版圖設(shè)計(jì) 20 25 380 380 ?300二次版圖 ?55二次版圖 圖 3二次版圖 二次版用來(lái)確定 P面電極孔尺寸 。 為了防止 P面金屬電極中的 Au原子在一定溫度下沿鈍化膜與半導(dǎo)體界面橫向遷移 ， 以及沿膜針孔向結(jié)擴(kuò)散而造成短路或暗電流參數(shù)不穩(wěn)定 ， 在擴(kuò)散掩膜上再設(shè)計(jì)了一層鈍化膜 ， 采用二次光刻技術(shù)刻出小于第一次擴(kuò)散窗口的 P面電極環(huán)， 以達(dá)到保護(hù)結(jié)的目的 。 由于 PN結(jié)的橫向擴(kuò)展，結(jié)離金屬電極邊緣的實(shí)際距離起到了保護(hù)結(jié)的作用。 二次版圖 20 20 ?320 560 560 ?300 ?55二次版圖 ?55二次版圖 圖 4． 三次版圖 三次版圖為 P面電極圖形 ， 電極材料為 CrAu， 它由光敏面電極及延伸電極組成 。 光敏面電極要大于二次版電極環(huán)尺寸 ， 延伸電極是為了避免鍵合應(yīng)力直接施加在光敏面上而設(shè)計(jì)的 。 由于它延伸到介質(zhì)膜上面 ， 將附加一個(gè) MOS電容 ， 因此不宜過(guò)大 。 延伸電極的尺寸為 ?60?m， 是為金絲球焊設(shè)計(jì)的 （ 焊點(diǎn)一般為 60～ 70?m） 延伸條的寬度不能太窄 ， 否則電流密度過(guò)大將引起電遷移或斷裂失效 。 一般情況下 Cr— Au的電流密度 ?1 106A?cm 平均環(huán)境溫度在 195℃ 時(shí) ，電極條的平均壽命可達(dá) 13500h。 在實(shí)際應(yīng)用中 ， 探測(cè)的光功率遠(yuǎn)小于 8mW， 而且最高工作溫度為 100℃ ， 因此電極條設(shè)計(jì)完全能滿足穩(wěn)態(tài)工作壽命 10000h的要求 . 三次版圖 20 20 380 380 20 20 560 560 ?300 4. 工藝設(shè)計(jì) 4． 1 基片材料設(shè)計(jì) 襯底晶向設(shè)計(jì)為 （ 100） 。 （ 100） 晶面的界面態(tài)密度最小 ， 而且與其它晶向相比 ， 便于劃片或解理 ， 因此 可避免由此給管芯帶來(lái)的晶格損傷 。 設(shè)計(jì)的襯底摻雜元素為 （ S） 。 硫有明顯抑制位錯(cuò)的作用 ， 在相同的摻雜濃度下 ，位錯(cuò)密度可低 ～ 1個(gè)數(shù)量級(jí) 。 要求襯底位錯(cuò)密度越低越好 。 但鑒于國(guó)內(nèi)目前n— InP位錯(cuò)密度的最好水平就是 5 103cm?2。 因此設(shè)計(jì)此參數(shù) 。 厚度： 340?10?m； 表面：無(wú)波紋，無(wú)腐蝕坑，表面平整、光亮。 4． 2 外延層設(shè)計(jì) 4． InGaAs層吸收層厚度設(shè)計(jì)： ～ ?m； 器件的光學(xué)參數(shù)及頻響性能要求 I層的設(shè)計(jì)厚度為?2?m,而試驗(yàn)結(jié)果表面 P+區(qū)厚度 (含 InP頂層 )
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