模擬cmos集成電路設(shè)計(拉扎維)第3章單級放大器(一)(參考版)
2025-01-15 14:38本頁面
【正文】 西電微電子學院－董剛－模擬集成電路原理 Iout gmr Gm = = 共源級－帶源極負反饋 考慮體效應和溝長調(diào)制效應后的增益 Vin RS +[1+(gm + gmb)RS ]ro Gm 西電微電子學院－董剛－模擬集成電路原理 輸出電阻 42 43 本講 放大器基礎(chǔ)知識 共源級 — 電阻做負載 共源級 — 二極管接法的 MOS 管做負載 共源級 — 電流源做負載 共源級－深線性區(qū) MOS管做負載 共源級－帶源極負反饋 西電微電子學院－董剛－模擬集成電路原理 44 作業(yè) , 習題設(shè)計的特別好，每道題都值得一做 西電微電子學院－董剛－模擬集成電路原理 。 L 1 ? = VDS ? L ?L ? L 西電微電子學院－董剛－模擬集成電路原理 31 本講 放大器基礎(chǔ)知識 共源級 — 電阻做負載 共源級 — 二極管接法的 MOS 管做負載 共源級 — 電流源做負載 共源級－深線性區(qū) MOS管做負載 共源級－帶源極負反饋 西電微電子學院－董剛－模擬集成電路原理 ? W ? 32 共源級－深線性區(qū) MOS管做負載 Vb要足夠低，使 M2工作在深線性區(qū) RON 2 = ?nC ox ? ? ? L ? 2 1 (VDD ? Vb ? | VTHP |) Av = ??m RON2 優(yōu)點： 輸出擺幅大（可以為 VDD） 缺點： 要得到精準的 Ron2比較困難；受工藝、溫度變化 影響比較大，產(chǎn)生穩(wěn)定、精確的 Vb比較難 西電微電子學院－董剛－模擬集成電路原理 33 本講 放大器基礎(chǔ)知識 共源級 — 電阻做負載 共源級 — 二極管接法的 MOS 管做負載 共源級 — 電流源做負載 共源級－深線性區(qū) MOS管做負載 共源級－帶源極負反饋 西電微電子學院－董剛－模擬集成電路原理 34 共源級－帶源極負反饋 負反饋電阻 如何改善非線性？ 方法之一是前面用二極 管接法 MOS管做負載 方法之二是引入用 Av = ? ?n (W / L)1 源極負反饋電阻 ?p (W / L)2 增益隨 Vin的變化而 變化，在信號擺幅較大時會引入非線性 西電微電子學院－董剛－模擬集成電路原理 35 共源級－帶源極負反饋 等效跨導 Gm Vout = ? I D RD I D = f (VGS ) Av = ?Vout ?Vin = ? RD ?I D ?Vin 定義等效跨導 G m = ?I D ?Vin 西電微電子學院－董剛－模擬集成電路原理 ?VGS ?Vin m S ?f ?VGS gm Gm = = ? 36 共源級－帶源極負反饋 等效跨導 Gm和增益 VGS = Vin ? I D RS = 1 ? RS I D = f (VGS ) ?I D G = (1 ? R ?I D ) ?f ?Vin ?Vin
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