集成電路運(yùn)算放大器的術(shù)語(參考版)
2025-05-19 08:36本頁面
【正文】 JFET利用耗盡層的寬度改變導(dǎo)電溝道的寬度來控制ID，OSFET則是利用半導(dǎo)體表面的電場效應(yīng)， 由感應(yīng)電荷的多少改變導(dǎo)電溝道來控制電流?！ 〗^緣柵型場效應(yīng)管由金屬 氧化物 半導(dǎo)體場效應(yīng)管制成，稱為MetalOxideSemiconductor，簡稱為MOSFET，這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層（例如SiO2）隔離，因此Ri 更高，可達(dá)109 歐姆以上。二、MOS型場效應(yīng)管 JFET的輸入電阻可達(dá)107歐姆，但就本質(zhì)而言，這是PN結(jié)的反向電阻，而反向偏置時(shí)總有反向電流存在， 這就限制了在某些工作條件下對(duì)阻值的更高要求。所以場效應(yīng)管和晶體管一樣在電路中可起放大的作用。(7)場效應(yīng)管的應(yīng)用 場效應(yīng)管在恒流區(qū)內(nèi)工作時(shí)，當(dāng)GS電壓變化△VGS時(shí)， D極電流相應(yīng)變化△iD。存放管子時(shí)，應(yīng)將GS短接，避免G極懸空。(6)MOS場效應(yīng)管Ri高，G極的感應(yīng)電荷不易泄放。但若制造時(shí)已將S和襯底連在一起，則DS不能互換。各項(xiàng)性能基本不受影響。(3)場效應(yīng)管利用的是一種極性的多子導(dǎo)電（單極型器件），具有噪聲小，受外界T及輻射的影響小等特點(diǎn)（溫度穩(wěn)定性好）。所以，直流、交流Ri都很高。通過電流放大系數(shù)β=△iC/△iB描述放大作用。參變量是iB。并通過跨導(dǎo)gm=△iD/△VGS| VDS描述場效應(yīng)管的放大作用。從輸出特性看，各條不同輸出特性曲線的參變量是VGS。 當(dāng)vGS＜0時(shí)，耗盡層變大，溝道電阻變大， 相應(yīng)的ID下降。由于導(dǎo)電溝道是N型的，故稱為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管。它們從源極S出發(fā)， 流向漏極D。 把兩邊的P區(qū)引出電極并連在一起稱為柵極G。開環(huán)帶寬BW（fH）單位增益帶寬BW（fT）1轉(zhuǎn)換速率SR 返回第六節(jié) 場效應(yīng)管（FET）簡介一、結(jié)型場效應(yīng)管（一） JFET的結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)結(jié)構(gòu) ，它是在一塊N型半導(dǎo)體的兩邊利用雜質(zhì)擴(kuò)散出高濃度的P型區(qū)域，用P+表示，形成兩個(gè)P+N結(jié)。 線性放大器中，發(fā)展最早、應(yīng)用最廣的是集成運(yùn)算放大電路。第四節(jié) 集成電路運(yùn)算放大器 模擬集成電路的分類 模擬集成電路按功能大致可分為： 線性放大器、功率放大器、 比較器、乘法器、穩(wěn)壓器、（D/A 、A/D）轉(zhuǎn)換器、鎖相環(huán)器件等。求：(1)該放大級(jí)的靜態(tài)工點(diǎn)； (2)差動(dòng)放大倍數(shù)AVD； (3)差動(dòng)輸入電阻Ri，差動(dòng)輸電阻 Ro。定義為： AVD越大,放大器的性能越優(yōu)良,所以KCMR越大越好。ve=2ieRe,這相當(dāng)于每個(gè)BJT的發(fā)射極分別接2Re電阻,?！ ∫?yàn)関i1=vi2，此時(shí)變化量相等，即vC1=vC2，因此 實(shí)際上，電路完全對(duì)稱是不容易的，但即使這樣，AVC也很小，放大電路的抑制共模能力還是很強(qiáng)的。 ② 只要是單端出，不管是單入還是雙入，其AVD、Ri、Ro也是一樣的。單端輸入與雙端輸入是一致的。整個(gè)過程，在單端輸入vi的作用下，兩個(gè)BJT的電流
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