【正文】
(右) T8 T6 A DIN DIN T7 (2) 靜態(tài) RAM 芯片舉例 ① Intel 2114 外特性 存儲(chǔ)容量 1K 4位 . . . . . . I/O 1 I/O 2 I/O 3 I/O 4 A 0 A 8 A 9 WE CS CC V GND Intel 2114 。 A DIN 位線 A 位線 A 180。 T1 ~ T4 T5 T6 T7 T8 A 寫放大器 寫放大器 DIN 寫選擇 讀選擇 讀放 位線 A 位線 A 180。 A 寫放大器 寫放大器 DIN 寫選擇 讀選擇 DOUT 讀放 位線 A 位線 A 180。第四章 存 儲(chǔ) 器 概述 主存儲(chǔ)器 高速緩沖存儲(chǔ)器 輔助存儲(chǔ)器 主存儲(chǔ)器 一、概述 1. 主存的基本組成 存儲(chǔ)體 驅(qū)動(dòng)器 譯碼器 MAR 控制電路 讀 寫 電 路 MDR .