半導體光催化基礎第三章光催化原理(參考版)
2024-10-21 12:16本頁面
【正文】 。 ６ .反應物吸附 ? 金屬氧化物表面的螯合作用，可促進界面電子轉移，提高光催化反應效率。其反應速率對溫度的依賴性不大。 KCk K Cr??14. pH 值 ? pH 值影響反應物在溶液中的存在形式，因此對反應物的降解有很大影響，在決定光催化反應最佳 pH 值時，不能忽略光強大小的影響。 ? 中等濃度，二者關系復雜。 ? （ 3）高強度時， V為常數(shù)， Ф隨 1/I而變。 ? （ 1）光強低時， V隨 I而變， Ф為常數(shù)。 2. 光源與光強 ? 光源：黑光燈，高（中、低）壓汞燈，紫外燈，氙燈?？梢酝ㄟ^對催化劑進行熱處理來達到消除表面羥基。 1. 光催化劑 ? 粒徑與比表面積 ? 粒徑越小，表面積越大，光催化反應速率越高 . ? 表面羥基 ? 表面羥基越少，催化活性越高。 ? 次級過程 ? 半導體表面被俘獲的電子和空穴分別與表面吸附的電子受體和給體進行電荷轉移的表面反應，即光催化還原和氧化反應。分為兩種情況 : (1)絕緣體 (或非光活性半導體 ),固體不參與光誘導電子過程 。 ? 就催化而言，例如水的光解過程，就要涉及多種不同類型的催化劑： ? 光催化劑 — 能經歷光致 ET并在某些情況下參與反應循環(huán)； ? 電子傳遞催化劑 — 能促使電子從 PS到反中心（光化學 ET轉化為熱 ET）或在其他組分之間轉移； ?反應催化劑 — 直接參與多相或均相反應，并生成目的產物（如 H O2等）。 ?這些問題的解決涉及到，尋找在合適的電位條件下能進行光氧化還原過程的光敏劑（
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