[工學]高電壓技術(參考版)
2024-10-16 22:49本頁面
【正文】 五、測試時應注意的事項 1．盡可能分布測試； 2. tgδ 與溫度的關系； 3. tgδ 與試驗電壓的關系； 4. 護環(huán)和屏蔽的影響； 5. 測繞組時，必須將每個繞組首尾短接。 ㈢外界磁場干擾。 A P B CN Cx Rx R3 R4 C4 C D U 反接線 正接線 三、 tgδ 測量準確度的影響因素 ㈠本試驗高壓電源對橋體雜散電容的影響。（ 實際中，絕大多數(shù)電氣設備的金屬外殼是直接接在接地底座上的，即被試品的一極是固定接地的。 由于通過橋臂 FA和 AD,FB和 BD的電流分別均為 I1和 I2，所以各橋臂電壓之比即相應的橋臂阻抗之比 即 Z1/Z3=Z2/Z4 或 Z1Z4=Z2Z3 可以求得試品電容和等值電阻 XX j w CRZ ?? 11NCjZ ?12 ?33 RZ ?444 11CjRZ???? ?242423 41 RCRCRC Nx ??? ? ?Nx CRCRCRR2442242423 1????441 RCRCtgxx??? ??介質并聯(lián)等值電路的介質損耗角正切 因為 ω=2πf=100π ，若取 R4=10000/π(Ω) 則 tgδ=C4 （ C4以 來計） 由于 tgδ1 ，所以 F?? ? NNx CRRtgRCRC342341 ??? ?二、接線方式 1. 正接線： D點接地，被試品 Cx的兩端對地絕緣。 一、測試電路 圖 532 西林電橋基本原理電路圖 Cx、 Rx：被試品的等值電容和電阻； R3 ：可調無感電阻； CN ：高壓標準電容器的電容； C4 ：可調電容； R4 ：定值無感電阻（一般取 R4=10000/π 歐姆）； P ：交流檢流計。 53 測定介質損耗因數(shù)（ tgδ ） 介質損耗因數(shù)（ tgδ ）是表征絕緣在交變電壓作用下比損耗大小的特征參數(shù)，它與絕緣體的形狀和尺寸無關，它是絕緣性能的基本指標之一。 知識點匯總 : 3． 介質損耗角正切的測量 （掌握）： 原理、接線、測量方法，正、反接線的使用場合，抗干擾措施。 ? 保護電阻 R ? 并聯(lián)電容 C ..OT LHKSCPAPAR高電位電極—被試品； HOT —..直流微安表—低電位電極；— PAL放電管—保護電阻；— PR屏蔽系統(tǒng)—旁路開關；—緩沖電容；— SKC125圖電流的電路圖測量泄漏： ..OTASM225圖時的測試電路被試品一極已固定接地屏蔽系統(tǒng)—測量系統(tǒng)；—被試品；—SM.. OT 被試品的一極已固定接地 ,不能分開 .采用圖 522所示電路 . 此時處在高電位的屏蔽系統(tǒng)，使其附近空間氣體電離造成的對地漏導電流，并不流經(jīng)測量系統(tǒng)，也就不會產(chǎn)生測量誤差了。 2．由于施加在試品上的直流高壓是逐漸增大的 ,所以可以在升壓過程從所測電流與電壓關系的線性度，即可指示絕緣情況。 2．兆歐表刻度的非線性度很強，尤其在接近高量程段，刻度甚密，難以精確分辨。 52 測定泄漏電流 泄漏電流的測量原理和絕緣電阻的測量原理一致，本試驗是將直流高壓加到被試品上，測量流經(jīng)被試絕緣的泄漏電流，實際上也就是測量絕緣電阻。 極化指數(shù) P—— 絕緣體在加電壓后 10min和 1min分別所測得的絕緣電阻值的比值，稱之為極化指數(shù)，即 極化指數(shù) P是用來反映大中型電氣設備的絕緣狀況，如絕緣良好，則此比值應不小于某一定值。即 作為相互比較的共同標準。 （比較有無屏蔽極時所測值即可知） 測量絕緣電阻不能發(fā)現(xiàn)下列缺陷： ； 。即： ?????????VAIIf? )( XRf??或 L EG法蘭 瓷體 屏蔽環(huán) 芯柱兆歐表215 ??圖 接線圖用兆歐表測套管絕緣的 ?線路端子（ L）接被試品的高壓導體； ?接地端子（ E）接被試品外殼或地； ?屏蔽端子（ G）接被試品的屏蔽環(huán)或別的屏蔽電極 . 體積絕緣電阻的測量 ： 按圖 512所示接線 ,在心柱出頭附近的套管表面圈一金屬屏蔽環(huán)極 ,就經(jīng)由端子 G直接流回發(fā)電機負極 .通過體積絕緣電阻的漏導電流流經(jīng)電流測量線圈 ,從而反映到指針的偏轉中去。轉軸上沒有裝彈簧游絲，所以當線圈中沒有電流時，指針可停在任一偏轉角的位置。 一般情況下 ， R60接近于穩(wěn)態(tài) 絕緣電阻值，實際中常用 R60代替之，即 R60≈R ∞ . 電壓線圈 LV和電流線圈LA相互垂直地固定在同一轉軸上，并處在同一個永久磁場中。 51 測定絕緣電阻 絕緣電阻是反映絕緣性能的最基本的指標之一，通常用兆歐表來測量。 ?電介質理論仍遠未完善 ,各種絕緣材料和絕緣結構的電氣性能還不能僅依靠理論分析計算來解決問題 ,而必須同時借助于各種絕緣試驗來檢驗和掌握絕緣的狀態(tài)和性能 ,各種試驗結果也往往成為絕緣設計的依據(jù)和基礎。 三、提高液體擊穿電壓的方法 二、影響液體擊穿電壓的因素 第四章作業(yè)： 液體的熱擊穿的發(fā)生過程 。如果許多電離的氣泡在電場中排列成氣體小橋，擊穿就可能在此通道中發(fā)生。氣泡電離后溫度上升、
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