[工學(xué)]高電壓技術(shù)-資料下載頁(yè)
2024-10-13 22:49本頁(yè)面
【正文】 的工作電壓高得多 ,能發(fā)現(xiàn)兆歐表所不能發(fā)現(xiàn)的某些缺陷。 2．兆歐表刻度的非線(xiàn)性度很強(qiáng)，尤其在接近高量程段，刻度甚密，難以精確分辨。微安表的刻度則基本上是線(xiàn)性的，能精確讀取。 2．由于施加在試品上的直流高壓是逐漸增大的 ,所以可以在升壓過(guò)程從所測(cè)電流與電壓關(guān)系的線(xiàn)性度，即可指示絕緣情況。 (如下圖 ) 發(fā)電機(jī)的泄漏電流變化曲線(xiàn) 泄漏電流 i（μA) 1 曲線(xiàn) 1良好絕緣 曲線(xiàn) 2受潮絕緣 曲線(xiàn) 3有集中性缺陷的絕緣 曲線(xiàn) 4有危險(xiǎn)的集中性缺陷的絕緣 2 3 4 二、試驗(yàn)接線(xiàn)圖 T V R V C PV2 PV1 μA a TO μA b 泄漏電流試驗(yàn)接線(xiàn)圖 ~ 測(cè)量泄漏電流的兩種測(cè)試電路 ..OTASM225圖時(shí)的測(cè)試電路被試品一極已固定接地屏蔽系統(tǒng)—測(cè)量系統(tǒng)；—被試品；—SM.. OT..OT LHKCPAPAR高電位電極—被試品； HOT —..直流微安表—低電位電極；— PAL放電管—保護(hù)電阻；— PR屏蔽系統(tǒng)—旁路開(kāi)關(guān)；—緩沖電容；— SKC125圖電流的電路圖測(cè)量泄漏低壓側(cè)和大地之間： 被試品的低壓極不直接接地時(shí) ,采用圖 521所示電路 .為減小測(cè)量誤差 ,應(yīng)將測(cè)量系統(tǒng)和被試品低壓極用屏蔽系統(tǒng) S全部屏蔽起來(lái)并接地。 ? 保護(hù)電阻 R ? 并聯(lián)電容 C ..OT LHKSCPAPAR高電位電極—被試品； HOT —..直流微安表—低電位電極；— PAL放電管—保護(hù)電阻；— PR屏蔽系統(tǒng)—旁路開(kāi)關(guān)；—緩沖電容；— SKC125圖電流的電路圖測(cè)量泄漏： ..OTASM225圖時(shí)的測(cè)試電路被試品一極已固定接地屏蔽系統(tǒng)—測(cè)量系統(tǒng)；—被試品；—SM.. OT 被試品的一極已固定接地 ,不能分開(kāi) .采用圖 522所示電路 . 此時(shí)處在高電位的屏蔽系統(tǒng)，使其附近空間氣體電離造成的對(duì)地漏導(dǎo)電流，并不流經(jīng)測(cè)量系統(tǒng)，也就不會(huì)產(chǎn)生測(cè)量誤差了。 觀察時(shí)應(yīng)特別注意安全 。 知識(shí)點(diǎn)匯總 : 3． 介質(zhì)損耗角正切的測(cè)量 （掌握）： 原理、接線(xiàn)、測(cè)量方法，正、反接線(xiàn)的使用場(chǎng)合，抗干擾措施。 167。 53 測(cè)定介質(zhì)損耗因數(shù)（ tgδ ） 介質(zhì)損耗因數(shù)（ tgδ ）是表征絕緣在交變電壓作用下比損耗大小的特征參數(shù)，它與絕緣體的形狀和尺寸無(wú)關(guān)，它是絕緣性能的基本指標(biāo)之一。 測(cè)量 tgδ 常用高壓交流平衡電橋 (西林電橋 )，不平衡電橋 (介質(zhì)試驗(yàn)器 ),低功率因數(shù)瓦特表來(lái)測(cè)量，這里主要介紹西林電橋。 一、測(cè)試電路 圖 532 西林電橋基本原理電路圖 Cx、 Rx：被試品的等值電容和電阻； R3 ：可調(diào)無(wú)感電阻； CN ：高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器的電容； C4 ：可調(diào)電容； R4 ：定值無(wú)感電阻（一般取 R4=10000/π 歐姆）； P ：交流檢流計(jì)。 調(diào)節(jié) R3和 C4，使電橋達(dá)到平衡，即通過(guò)檢流計(jì) P的電流為零，此時(shí)有 UFA/UAD=UFB/UBD。 由于通過(guò)橋臂 FA和 AD,FB和 BD的電流分別均為 I1和 I2，所以各橋臂電壓之比即相應(yīng)的橋臂阻抗之比 即 Z1/Z3=Z2/Z4 或 Z1Z4=Z2Z3 可以求得試品電容和等值電阻 XX j w CRZ ?? 11NCjZ ?12 ?33 RZ ?444 11CjRZ???? ?242423 41 RCRCRC Nx ??? ? ?Nx CRCRCRR2442242423 1????441 RCRCtgxx??? ??介質(zhì)并聯(lián)等值電路的介質(zhì)損耗角正切 因?yàn)?ω=2πf=100π ，若取 R4=10000/π(Ω) 則 tgδ=C4 （ C4以 來(lái)計(jì)） 由于 tgδ1 ，所以 F?? ? NNx CRRtgRCRC342341 ??? ?二、接線(xiàn)方式 1. 正接線(xiàn)： D點(diǎn)接地，被試品 Cx的兩端對(duì)地絕緣。 2. 反接線(xiàn)： D點(diǎn)接高電位， F點(diǎn)接地。（ 實(shí)際中，絕大多數(shù)電氣設(shè)備的金屬外殼是直接接在接地底座上的，即被試品的一極是固定接地的。 ） 注意： 在反接線(xiàn)的情況下 , 此時(shí) R3,C4,檢流計(jì) P和屏蔽網(wǎng)均處于高電位，故必須保證足夠的絕緣水平和采取可靠的保護(hù)措施。 A P B CN Cx Rx R3 R4 C4 C D U 反接線(xiàn) 正接線(xiàn) 三、 tgδ 測(cè)量準(zhǔn)確度的影響因素 ㈠本試驗(yàn)高壓電源對(duì)橋體雜散電容的影響。 ㈡外界電場(chǎng)的干擾。 ㈢外界磁場(chǎng)干擾。 四、測(cè) tgδ 能有效地發(fā)現(xiàn)絕緣的下列缺陷 （ 1）受潮； （ 2）穿透性導(dǎo)電通道； （ 3）絕緣內(nèi)含氣泡的電離，絕緣分層、脫殼； （ 4）絕緣老化劣化，繞組上附積油泥； （ 5）絕緣油臟污、劣化等。 五、測(cè)試時(shí)應(yīng)注意的事項(xiàng) 1．盡可能分布測(cè)試； 2. tgδ 與溫度的關(guān)系； 3. tgδ 與試驗(yàn)電壓的關(guān)系； 4. 護(hù)環(huán)和屏蔽的影響； 5. 測(cè)繞組時(shí)，必須將每個(gè)繞組首尾短接。
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