電子元器件制造技術(shù)(參考版)
2025-05-19 12:33本頁面
【正文】 ? 薄膜混合集成電路 ? 50年代末期發(fā)展起來； ? 薄膜的膜厚大多小于 1微米； ? 薄膜電路采用的是真空蒸發(fā)、磁控濺射等工藝方法，是一種真空成膜技術(shù)； ? 常用在高精度、高穩(wěn)定性低噪聲電路以及微波集成電路，抗輻射電路方面。 混合集成電路 PK半導(dǎo)體集成電路 ? 混合電路設(shè)計容易， 成本更低，投產(chǎn)快，適合中小批量產(chǎn)品的生產(chǎn)。 ? 散熱 混合電路中，大功率器件可以直接裝在導(dǎo)熱好的陶瓷基片上。 因此 ， 有時也稱混合集成電路為二次集成 IC。 ? 單片集成電路 (IC)：它是指電路中所有的元器件都制作在同一塊半導(dǎo)體基片上的集成電路 。 ? 冗余物缺陷 :短路故障； ? 丟失物缺陷 :開路故障； ? 氧化物針孔缺陷 :電路短路故障； ? 結(jié)泄漏缺陷 :電路短路故障； ? 潔凈室內(nèi)空氣中的灰塵微粒； ? 硅片和設(shè)備的物理接觸； ? 各類化學(xué)試劑中的雜質(zhì)顆粒。 ? 局域缺陷 ? 光刻工藝中引入的氧化物針孔缺陷等點缺陷 。 ? 芯片的制造缺陷：引起成品率下降的主要因素 ? 全局缺陷 ? 幾乎可以消除 。 雙極型硅工藝 ?經(jīng)過 5次氧化 ?對二氧化硅薄層進(jìn)行 5次光刻，刻蝕出供擴(kuò)散摻雜用的圖形窗口。于是， N型外延層將 N+區(qū)隱埋在下面，再在這一外延層上制作晶體管。 ? 雙極型集成電路中需要增添隱埋層； ? 工藝過程是：在 P型硅片上，在預(yù)計制作集電極的正下方某一區(qū)域里先擴(kuò)散一層高濃度施主雜質(zhì)即 N+區(qū) 。 器件工藝 ?雙極型集成電路 ? 中等速度、驅(qū)動能力強(qiáng)、模擬精度高、功耗比較大 ?CMOS集成電路 ? 靜態(tài)功耗低、電源電壓范圍寬、輸出電壓幅度寬（無閾值損失），具有高速度、高密度潛力；電流驅(qū)動能力低 ?BiMOS集成電路工藝 PMOS型 雙極型 MOS型 CMOS型 NMOS型 BiMOS 雙極型硅工藝 ?工藝特點 ? 集成電路中各元件之間需要進(jìn)行電隔離； ? 常規(guī)工藝中大多采用 PN結(jié)隔離，即用反向 PN結(jié)達(dá)到元件之間相互絕緣的目的。 ? 雙極集成電路 ：采用的有源器件是雙極晶體管 ， 是由 電子和空穴兩種類型的載流子工作 ， 因而取名為雙極集成電路 ?金屬 氧化物 半導(dǎo)體 (MOS)集成電路 ：這種電路中所用的晶體管為 MOS晶體管 ， 由金屬 氧化物 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組成的場效應(yīng)晶體管 ， 它主要靠半導(dǎo)體表面電場感應(yīng)產(chǎn)生的導(dǎo)電溝道工作 ， 是電壓控制電流的器件 ， 只有一種載流子 (電子
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