電子元器件制造技術(shù)-預(yù)覽頁
【正文】 片的電路密度，以及它潛在的計算能力，每隔一年翻番。 ? CMOS是應(yīng)用最廣泛的、高密度集成電路的基礎(chǔ)。 戈登 .摩爾 集成電路現(xiàn)狀 ?芯片特征尺寸 ?晶片尺寸 450mm(18英寸 )(預(yù)計 2021年面世 )、 300mm(12英寸 ,2021)、 200mm(8英寸 ,1990) Intel CPU芯片特征尺寸 Intel 45nm晶片 集成電路的基本工藝 ? 以圓形的硅片為基礎(chǔ)，在初始硅片上經(jīng)過氧化、摻雜、薄膜淀積、光刻、蝕刻等步驟的單獨使用或組合重復(fù)使用，制作出器件，再通過電極制備、多層布線實現(xiàn)各器件間的互連，實現(xiàn)一定的功能，最后再經(jīng)過封裝測試成為成品； ? 前工藝 :芯片制造； ? 后工藝 :組裝、測試。 氧化層生長 ?氧化層缺陷 ? 裂紋 ? 引起金屬連線與硅片短路，或多層連線間短路； ? 針孔 ? 產(chǎn)生原因：光刻版上的小孔或小島，光刻膠中雜質(zhì)微粒，硅片上沾附的灰塵，膠膜上有氣泡或氧化層質(zhì)量較差等； ? 造成的后果：使氧化層不連續(xù)，破壞了二氧化硅的絕緣作用，針裂紋和針孔可使擴(kuò)散掩埋失效，形成短路，連線或鋁電極下的二氧化硅有針孔會引起短路。 制備金屬膜 ?實現(xiàn)電連接； ? Al及其合金：最常用的金屬互連材料； ? Cu制程； ?制備方法：蒸發(fā)和濺射。 集成電路 ?集成電路 (Integrated Circuit， 縮寫為 IC)是指通過一系列的加工工藝 ， 將多個晶體管 、 二極管等有源器件和電阻 、 電容等無源元件 ， 按照一定的電路連接集成在一塊半導(dǎo)體晶片 (如硅或 GaAs)或陶瓷等基片上 ， 作為一個不可分割的整體執(zhí)行某一特定功能的電路組件 。 ?雙極 MOS(BiMOS)集成電路 ：同時包括雙極和 MOS晶體管的集成電路為 BiMOS集成電路。而后在其上再外延生長一層 N型硅單晶層。 ?最后還經(jīng)過兩次光刻，刻蝕出金屬鋁互連布線和鈍化后用于壓焊點的窗口。 ? 控制隨機(jī)點缺陷是相當(dāng)困難 。 ?混合集成電路 (HIC)：是指將多個半導(dǎo)體集成電路芯片或半導(dǎo)體集成電路芯片與各種分立元器件通過一定的工藝進(jìn)行二次集成 ， 構(gòu)成一個完整的 、 更復(fù)雜的功能器件 ， 該功能器件最后被封裝在一個管殼中 ， 作為一個整體使用 。 印刷電路板上要將元器件貼到電路板上，且用粘結(jié)劑粘上很重的散熱板或使用金屬芯的電路板。 課堂作業(yè) 課堂習(xí)題 ?集成電路芯片的基本工藝有哪些？主要作用是什么？ ?氧化層的主要作用是什么？氧化工藝所可能出現(xiàn)的缺陷是什么？
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