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正文內(nèi)容

igbt驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方法(參考版)

2024-09-09 11:09本頁面
  

【正文】 ??蛇x 3kΩ 。 查穩(wěn)壓管 IN4739 的 datesheet可知,穩(wěn)壓管穩(wěn)定電流在 5mA與 25mA之間,由以下公式算 R3值 。 經(jīng)查 F425R12NS4的 datesheet, IGBT 的 模塊內(nèi)部的門極電阻 Rg為 0。 圖 3 HCPL3120內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)圖 另外 , 由于 GE 間 最大的額定電壓為士 20V,因此如果外加的電壓有可能超出該電壓時(shí),需要在 GE 間連接 穩(wěn)壓管 等保護(hù)措施 ,在此設(shè)計(jì)中選擇 20V 的 穩(wěn)壓管 , 型號 為BZX84C18。根據(jù)式 2可以算出 IGBT 驅(qū)動(dòng)電流為 。Qg=。 Uces=1200V,IC=25A。 根據(jù)上述內(nèi)容,設(shè)計(jì)能夠提供驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)電力的驅(qū)動(dòng)電路。因此,驅(qū)動(dòng)電流的平均值 IG,如圖 1 所示,可利用門極充電電荷量特性作下述計(jì)算。 圖 1門極充電電荷量特性 (動(dòng)態(tài)輸入特性 ) 圖 2驅(qū)動(dòng)電路原理圖以及電壓電流波形 驅(qū)動(dòng)電流的峰值 IGP可由以下近似式求取。圖 2表示驅(qū)動(dòng)電路的原理圖和電壓電流波形。圖 1 表示門極充電電荷量的特性。 根據(jù)以上條件 ,選定最適合的門極驅(qū)動(dòng)條件。 (3)雖然 N系列的 IGBT 的 RG越大,短路最大耐受量會(huì)增加,但由于電流限制值減少,因此,必須注意將裝置的過電流跳閘水平設(shè)定在該限制值以下。 (1)交換特性在開通和關(guān)斷時(shí)均依
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