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buck-boost變換器本科畢業(yè)設(shè)計(jì)論文(參考版)

2024-08-30 17:03本頁面
  

【正文】 趙小妹 等, 一種新型 BuckBoost 變換器 , 電力電子技術(shù) 2020 22(4): 5052 [10] 彭曉珊,余明揚(yáng) .PWM控制的開關(guān)電源仿真研究株洲工學(xué)院學(xué)報(bào) .2020,第 17卷第5期: p7982 [11] 王媛彬,劉健 .PWM開關(guān)變換器分析方法綜述 .電源世界 .2020,第 6期: p14 [12] Xu Jianping, Yu circuit model of switches for SPICE Electronics, Letters, 1988, , , p437438 [13] Xu Jianping, Yu Juebang, Zeng simulation of switched DCDC International Symposium on Circuits and Systems, 1991, , p3032302本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 31 。 本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 30 參考文獻(xiàn) [1] 王兆安、黃俊 , 電力電子技術(shù) , 北京 :機(jī)械工業(yè)出版社 , 2020 [2] 賀益康 , 電力電子技術(shù) .北京 :科學(xué)出版社 , 2020 [3] 劉樹林 , 輸出本質(zhì)安全型 BuckBoost DCDC 變換器的分析與設(shè)計(jì) , 中國電機(jī)工程學(xué)報(bào) , 2020, 28(3):6065 [4] 馬 麗梅, Buckboost DCDC 變換器的控制,河北工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 2020,37(4):101105 [5] 劉樹林 ,BuckBoost 變換器的能量傳輸模式及輸出紋波電壓分析 ,電子學(xué)報(bào),2020, 20(5):838843 [6] 沈文軒 , 全數(shù)字控制 BoostBuck DCDC 變換器的應(yīng)用 , 電力電子技術(shù) 2020,13(1): 2930. 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選用規(guī)格為 20V/1A 的圓筒熔斷器。最終選擇型號(hào)為 FR151,其耐壓值 50V,電流 2A 的快恢復(fù)二極管。一般的二極管結(jié)面積小,不能通過較大電流,但結(jié)電容小,可在高頻率下工作,一般用于高頻電路和小功率的整流。現(xiàn)今最普遍的二極管大多是使用 半導(dǎo)體 材料如硅 或 鍺 。 早期的二極管包含 “貓須晶體( Cat39。然而實(shí)際上二極管并不會(huì)表現(xiàn)出如此完美的開與關(guān)的方向性,而是較為復(fù)雜的非線性電子特征 ——這是由特定類型的二極管技術(shù)決定的。二極管最普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(稱為順向偏壓),反向時(shí)阻斷 (稱為逆向偏壓)。而 變?nèi)荻O管 ( Varicap Diode)則用來當(dāng)作電子式的可調(diào) 電容器 。 本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 16 功率二極管選擇 二極管( 英語 : Diode),電子元件當(dāng)中,一種具有兩個(gè) 電極 的裝置,只允許電流由單一方向流過。 按照電壓耐壓 30V,電流 以上規(guī)格選擇 MOSFET 管。 耗盡型與增強(qiáng)型主要區(qū)別是在制造 SiO2 絕緣層中有大量的正離子,使在 P 型襯底的界面上感應(yīng)出較多的負(fù)電荷,即在兩個(gè) N 型區(qū)中間的 P 型硅內(nèi)形成一 N 型硅薄層而形成一導(dǎo)電溝道,所以在 VGS=0 時(shí),有 VDS 作用時(shí)也有一定的 ID(IDSS);當(dāng) VGS 有電壓時(shí) (可以是正電壓或負(fù)電壓 ),改變感應(yīng)的負(fù)電荷數(shù)量,從而改變 ID的大小。由于這種結(jié)構(gòu)在 VGS=0 時(shí), ID=0,稱這種 MOSFET 為增強(qiáng)型。此 曲線 稱為轉(zhuǎn)換特性。當(dāng) VGS 增加到一定值時(shí),其感應(yīng)的負(fù)電荷把兩個(gè)分離的 N 區(qū)溝通形成 N 溝道,這個(gè)臨界電壓稱為開啟電壓 (或稱 閾值電壓 、門限電壓 ),用符號(hào) VT 表示 (一般規(guī)定在 ID=10uA 時(shí)的 VGS 作為 VT)。 這層感應(yīng)的負(fù)電荷和 P 型襯
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