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中泰硅能半導體、太陽能級單晶硅棒、硅片生產(chǎn)項目可研報告(78頁)-石油化工(參考版)

2024-08-20 12:13本頁面
  

【正文】 表 101 建設 投資估算表 序號 名 稱 單位( 萬元 ) 其中:萬美。 建設 投資估算結(jié)果 本項目 建設 投資估算為 萬元。 國內(nèi)設備按設 備清單價逐臺計算。外匯匯率按 1 美元 =7 元人民幣。 本項目按免征關稅及進口環(huán)節(jié)增值稅計。 設備運雜費按 %,設備安裝費按 %計算。 建設 投資估算辦法及說明 項目建設投資按 8 英寸單晶硅切磨片 1200 萬 片 /年的生產(chǎn)量進行估算。詳細實施計劃見圖 表 91。 進度計劃安排 項目進度計劃根據(jù)總建設工期編制,影響本項目進度計劃的主要因素是引進設備的落實。從工程設計到工程 竣工 驗收預計為 12個月,為了加快生產(chǎn)廠房的建設,集中財力和人力,組建生產(chǎn)線,盡快產(chǎn)生經(jīng)濟效益,本項目先期實施與生產(chǎn)有直接關系的廠房,將科研辦公 樓 置于建設的后期實施。生產(chǎn)一線工人從大專、技?;蚵毟弋厴I(yè)生中擇優(yōu)錄取,要求通過培訓,熟悉單項工序,保證安全生產(chǎn)。 項目所需管理和技術骨干主要由投資人派遣,其余大部分由招聘解決;一般技術人員和技術操作工人由公司招聘和定向培訓解決。 為使設備充分使用才能 達到經(jīng)濟效益,公司將以 24 小時運作,采用四班三運轉(zhuǎn)制。 第八章 組織機構(gòu)、勞動定員和人員培訓 組織機構(gòu) 組織機構(gòu)見圖 81。 安全系統(tǒng) 在辦公、生產(chǎn)及其它一些重要部門、重要房間的入口處設置門禁控制系統(tǒng)。 廣播系統(tǒng) 廣播系統(tǒng)由普通廣播及應急廣播兩部分組成。各報警區(qū)域設智能離子感煙探測器及相應的模塊等設備,適當?shù)牡胤皆O置手動報警按鈕及聲光報警器。 通信、信息 火災報警、聯(lián)動控制系統(tǒng) 生產(chǎn)廠房、動力廠房設置火災報警、聯(lián)動控制系統(tǒng)。動力區(qū) 150Lx 除一般熒光燈照明外,在消防值班室及生產(chǎn)區(qū)內(nèi)設置應急照明燈,在主要出入口、疏散走廊設置應急標志燈。走道及更衣室 250Lx 含硅粉廢水 調(diào)節(jié)池 沉淀池 絮凝劑 沉清池 達標排放 板框壓濾機 泥餅外運 調(diào)節(jié) PH 污泥 廠房內(nèi)基本采用熒光燈照明(照度可分區(qū)控制),各區(qū)域照度如下: 配電方式采用樹干、放射式混合配電系統(tǒng)。本項目 用電設備 裝設功率 12020KW,變壓器總裝設功率 10000KVA。 雨水 室外雨水經(jīng)管網(wǎng)匯集后排入市政雨水系統(tǒng)。含硅粉廢水主要是切片過程中產(chǎn)生的沖洗廢水,廢水成分是硅粉懸浮物。 其中酸堿廢水經(jīng)中和反應池,調(diào)節(jié) PH值,達標后排放。 生活污水 生活污水中的含油污水先經(jīng)隔油池除油后,排入室外生活污水管網(wǎng),與糞便污水和一般盥洗污水一起進入生活污水處理裝置,處理達標后再排放市政污水管網(wǎng)。在變電站還配置推車式二氧化碳滅火器。 室內(nèi)消火栓箱內(nèi)設有電動報警控制按鈕。 室內(nèi)消火栓系統(tǒng) 在廠區(qū)內(nèi)各主要建筑均設有室內(nèi)消火栓消防系統(tǒng)。 消防 本項目主要消防設施有:室外消火栓給水設施、室內(nèi)消火栓給水設施、 室內(nèi)自動噴灑滅火給水設施 、手提式滅火器等。 動力設備用常溫冷卻水采用自來水,供水溫度 32~ 37℃ ,回水溫差 5℃ ,水壓 。 工藝設備用 循環(huán) 冷卻水用量 480 m3/h,供水溫度 24~ 29℃ ,回水溫差 5℃ ,水壓 。 純水系統(tǒng)制備過程包括自來水經(jīng)機械過濾、活性碳過濾、 RO保安過濾器過濾,循環(huán)回水再回至終端純水箱。 純水系統(tǒng) 本項目工藝中需要電阻率> 自來水最大用量 30 m3/h, 720 m3/d。室外消火栓用水量: 40L/S, 144 m3/h, 288 m3/次; 生產(chǎn)用水標準:以工藝設備使用量為準。生活用水標準: 50L/人 給水排水 給水系統(tǒng) 給水水源為城市自來水,廠區(qū)引入 兩 根 DN300mm的給水管,并在廠區(qū)內(nèi)部形成環(huán)網(wǎng)。 氣體動力 氣體動力用量 圖 表 74 氣體動力用量 序號 氣體動力名稱 參數(shù)要求 單位 用量 備注 1 壓縮空氣 (CDA) 露點 40℃ ,終點 m3/h 240 序號 氣體動力名稱 參數(shù)要求 單位 用量 備注 過濾 空壓站 空壓站設在動力生產(chǎn)區(qū),除滿足廠房內(nèi)工藝生產(chǎn)用氣外,還向純水站提供干燥壓縮空氣。 冷、熱源 空調(diào)冷源為動力廠房提供的 7℃ /12℃ 冷凍水。新風與回風混合,經(jīng)處理后,由風機送到末端散流器送入生產(chǎn)區(qū);回風經(jīng)回風管回到空調(diào)機組。 舒適性空調(diào)系統(tǒng) 辦公 區(qū) 采用新風 +風機盤管空調(diào)系統(tǒng),非凈化車間舒適性空調(diào)系統(tǒng)由組合式空調(diào)系統(tǒng)組成。小循環(huán)機組放置在廠房上部,接管至風口送風回風。 主廠房內(nèi)有工藝要求溫濕度房間氣流組織采用上送下回。有工藝要求溫濕度的房間采用新風機組加小循環(huán)機組的形式;其余舒適性空調(diào)設置全 空氣系統(tǒng)。 動力站房、備品備件庫、維修間等采用軸流風機進行全室通風。 ? 一般廢氣(熱廢氣)排風系統(tǒng) 一般廢氣(熱廢 氣)排風系統(tǒng)主要用于排除工藝設備散發(fā)的一般廢氣和熱廢氣,不含有其他有毒或腐蝕性物質(zhì),故直接排入大氣中,排風量為 18000 m3/h,風管材質(zhì)為鍍鋅鋼板。廢水處理站排風屬腐蝕性排風,但腐蝕性氣體含量非常稀薄,故不經(jīng)處理直接排入室外大氣中 ,風管材質(zhì)為防腐的玻璃鋼材質(zhì) 。 ? 酸性廢氣排風系統(tǒng) 酸性排風系統(tǒng)由酸性氣體洗滌塔、排風機、噴淋裝置、堿液供給 裝置和排風管 等組成,該系統(tǒng)主要用于工藝設備的酸性廢氣、化學品和氣柜廢氣排風 , 排風量為 36720 m3/h。 ? 廢水處理站 該建筑為鋼筋混凝土結(jié)構(gòu),長寬約為 24m12m, 單 層,采用 86m的柱網(wǎng),建筑耐火等級二級,建筑占地面積 288m2 ,建筑面積為 288 m2。采用鋼筋混凝土框架 結(jié)構(gòu)。該建筑生產(chǎn)類別為丙類,耐火等級二級。采用鋼筋混凝土框架結(jié)構(gòu) 。該建筑生產(chǎn)類別為丙類,耐火等級二級。采用鋼筋混凝土框架結(jié)構(gòu)。該建筑生產(chǎn)類別為丙類,耐火等級二級。 土建 本項目主要建筑共計 5棟,分別為 預處理車間、 單晶硅棒 生產(chǎn)廠房 、單晶硅片加工 生產(chǎn)廠房 、倉庫、廢水處理站 。建筑四周均有加寬環(huán)行道路相連。根據(jù)太陽能 級多晶硅 片生產(chǎn)的工藝特點,并考慮環(huán)保以及消防和廠內(nèi)管網(wǎng)敷設等方面的要求,生產(chǎn)廠房布置在廠區(qū)的 南面 。規(guī)劃建筑及數(shù)據(jù)見表 71。 總圖 本項目 用 地 108畝 ,整個場地呈 直角梯 形。項目設計范圍主要為 單晶硅 棒 生產(chǎn)廠房 、 單晶 硅片加工 生產(chǎn)廠房 、 倉庫、 廢水處理站等相關的總圖、工藝、土建、給水排水、通風空調(diào)、氣體動力、電氣等內(nèi)容。 ? 購置 主要 生產(chǎn)用 進口 及國產(chǎn) 設備儀器 155 臺(套) 。 第七章 項目建設方案 項目的構(gòu)成和范圍 本項目購置 生產(chǎn)線 的設備、儀器, 形成 年生 1200萬片半導體、 太陽能級單晶 硅 片生產(chǎn)能力 。泰州經(jīng)濟開發(fā)區(qū)已經(jīng)成為泰州市乃至江蘇省經(jīng)濟最活躍、發(fā)展速度最快的區(qū)域之一。 累年最冷月( 1 月)平均溫度 ℃ 累年最熱月( 7 月)平均溫度 ℃ 冬季室外風速 m/s 夏季室外風速 m/s 冬季主導風向 西北 夏季主導風向 東南 年主導風向 東南 Ye 冬季大氣 壓力 kPa 夏季大氣壓力 kPa 6. 2 市政配套 本項目位于 江蘇泰州經(jīng)濟開發(fā)區(qū)內(nèi), 泰州市位于江蘇省中部, (詳見區(qū)域位置圖) 是長三角經(jīng)濟圈中的重要城市之一,歷史悠久,人文薈萃。生產(chǎn)過程中的廠內(nèi)運輸主要考慮手推車和電動叉車。 運輸 本項目原材料及成品的廠外運輸主要由汽車和鐵路運輸。 主要能源消耗見表 52。 表 42 單晶生產(chǎn)線進口工藝設備清單 序號 設備名稱 型號規(guī) 格 產(chǎn)地 單位 數(shù)量 價格(萬元) 單價 合計 1 多線切割機 NTC442 日本 臺 10 300 3000 2 氧 /碳測試儀 美國 臺 1 130 130 3 剖方機 NTCMBS1000 日本 臺 2 600 1200 合 計 13 4330 表 43 單晶生產(chǎn)線國內(nèi)工藝設備清單 序號 設備名稱 型號規(guī) 格 產(chǎn)地 單位 數(shù)量 價格(萬元) 單價 合計 1 單晶爐 FTCZ2020 中國 臺 40 180 7200 2 主真空泵 2H70 中國 臺 40 2 80 3 單晶棒帶鋸機 GF1046 中國 臺 4 15 60 4 單晶棒滾圓機 SYQX300 中國 臺 6 8 48 5 單 晶清洗系統(tǒng) 十工位 中國 套 13 10 130 6 超聲清洗機 九工位 中國 臺 7 14 98 7 硅片甩干機 中國 臺 7 10 70 8 硅片厚度測試儀 ADE6034 中國 臺 5 20 100 9 硅片自動分選儀 ADE7200 中國 臺 5 110 550 10 X射線晶體定向儀 YX2 中國 臺 1 15 15 11 電阻率測試儀 中國 臺 5 12 砂漿攪拌 中國 套 6 20 120 13 硅片壽命儀 WT2020 中國 臺 1 100 100 14 叉車 中國 臺 2 10 20 合 計 142 第五章 物料供應和公用設施 物料消耗 本項目是使用多晶硅的邊角料來做生長單晶硅的原材料,大幅度降低了成本。 主要設備和儀器 本項目共需購置 主要 工藝設備儀器 155 臺(套),其中進口設備儀器 13 臺(套)。 切斷 晶中轉(zhuǎn)庫 晶中轉(zhuǎn)庫 外徑滾磨 平邊 V型槽 切片 倒角 清洗 晶片檢驗、包裝、入庫 單晶棒 圖表 4- 2 切片 工藝流程圖 設備選型 設備選型原則 本項目的工藝設備選型原則:在保證產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)能力以及研究發(fā)展的前提下,選擇性能價格比高的工藝設備。 5)清洗:在單晶硅片加工過 程中很多步驟需要用到清洗,本次清洗目的在于清除晶片表面所有的污染源。 主要工序簡介如下: 1)切斷:目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規(guī)格的部分,將單晶硅棒分段成切片設備可以處理的長度,切取試片測量單晶硅棒的電阻率含氧量 2)外徑磨削:由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大,通過外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。 切片生產(chǎn)工藝 將單晶硅棒去頭去尾后,用切割機切成所需要尺寸的單晶硅片,在經(jīng)過倒角、腐蝕清洗、檢測等工序后,包裝入庫。這一過程稱之為尾部生長。 6)尾部生長:在長完等徑部分之后,如果立刻將晶棒與液面分開,那么效應力將使得晶棒出現(xiàn)位錯與滑移線。 5)等徑生長:長完細頸和肩部之后,借著拉速與溫度的不斷調(diào)整,可使晶棒直徑維持在正負 2mm 之間,這段直徑固定的部分即稱為等徑部分??s頸生長是將籽晶快速向上提升,使長出的籽晶的直徑縮小到一定大?。?46mm)由于位錯線與生長軸成一個交角,只要縮頸夠長,位錯便能長出晶體表面,產(chǎn)生零位錯的晶體。 3)縮頸生長:當硅熔體的溫度穩(wěn)定之后,將籽晶慢慢浸入硅熔體中。 主要工序簡介如下: 1)加料:將多晶硅原料及雜質(zhì)放入石英坩堝內(nèi),雜質(zhì)的種類依電阻的 N 或 P 型而定,雜質(zhì)種類有硼,磷,銻,砷。 單晶硅的生產(chǎn)是采用高純度多晶硅為原料,在直拉單晶爐內(nèi)將多晶硅熔化,熔融的單質(zhì)硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒,則這 些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。由于成本和性能的原因, CZ 材料應用最廣。技術參數(shù)如表 41: 表 41 8 寸單 硅單晶 切磨 片技術參數(shù) 序號 項目 技術參數(shù) 1 直徑 : 156*156 2 厚度 : 250 土 20μm 3 總厚度變化 : ≤ 4 導電參數(shù) : p 型 5 電阻率 : ~ 6 少子壽命 : 大于 10 μ s 7 氧含量 : ≤ 1018atoms/cm3 8 碳含量 : ≤ 1016atoms/cm3 9 晶向 : 〈 111〉 177。 硅片加工技術:線切割,內(nèi)圓切割,倒角,研磨,清冼。切片就是將單晶硅棒去頭去尾
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