【正文】 低于 75dB 這個(gè)指標(biāo)，噪音在寂靜時(shí)有可能被發(fā)現(xiàn)。采樣的頻率越大則音質(zhì)越有保證。同時(shí)， DSP 在模擬均衡和混響等多種效果上也能大顯身手 。平常所說(shuō)的調(diào)制解調(diào)器速率是指載波速率。調(diào)制解調(diào)器需要載波信號(hào)進(jìn)行彼此的溝通，因此只有載波信號(hào)在兩臺(tái)調(diào)制解調(diào)器之間建立起來(lái)，調(diào)制解調(diào)器才稱為連通。 終端仿真：早期的計(jì)算機(jī)使用方式都是一臺(tái)主機(jī)和許多字符方式的終端一起工作，現(xiàn)在的 PC 機(jī)也可以模仿各種終端，并可以通過(guò)調(diào)制解調(diào)器連接到其它的計(jì)算機(jī)上。 數(shù)據(jù)位：利用調(diào)制解調(diào)器在線路上傳輸數(shù)據(jù)時(shí)，每傳送一組數(shù)據(jù)，都要含有相應(yīng)的控制數(shù)據(jù)，包括開始發(fā)送數(shù)據(jù)，結(jié)束數(shù)據(jù)，而這組數(shù)據(jù)中最重要的是數(shù)據(jù)位。 56 Kbps 的意思是每秒可以傳送的二進(jìn)制數(shù)量是 56， 000 個(gè)。 賀氏兼容：由于 Hayes 公司發(fā)明的 AT 指令得到了廣泛的應(yīng)用。在專線上撥號(hào)沒(méi)有撥號(hào)音，因而需專門硬件支持。 端口速率 (PortRate)：又稱 DCE 速率或最大吞吐量。它是在發(fā)送端通過(guò)調(diào)制將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)，而在接收端通過(guò)解調(diào)再將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)的一種裝置。 DTE：“ DataTerminalEquipment(數(shù)據(jù)終端設(shè)備 )”的首字母縮略詞。 波特率 (BaudRate)：模擬線路信號(hào)的速率，也稱調(diào)制速率，以波形每秒的振蕩數(shù)來(lái)衡量。它容量大而價(jià)格低、速度不慢且兼容性高。容量為 ，采用 CAV 技術(shù)來(lái)獲得較高的數(shù)據(jù)傳輸率 PD 光驅(qū)：（ PowerDisk2）是 Panasonic 公司將可寫光驅(qū)和 CDROM 合二為一，有LF1000（外置式）和 LF1004（內(nèi)置式）兩種類型。針對(duì)廣播級(jí)的圖像和立體聲信號(hào)的壓縮和解壓縮。容量大。 CDRW：在光盤上加一層可改寫的染色層，通過(guò)激光可在光盤上反復(fù)多次寫入數(shù)據(jù)。可加上相應(yīng)的解說(shuō)詞和背景音樂(lè)或插曲，成為有聲電子圖片集。是指全動(dòng)態(tài)、全屏播放的激光影視光盤。 CDROM XA：（ CDROMeXtendedArchitecture） 1989 年 ,SONY、 Philips、 Micuosoft對(duì) CDROM 標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)充形成的白皮書標(biāo)準(zhǔn)。定義了用于電腦數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的 MODE1 和用于壓縮視頻圖象存儲(chǔ)的 MODE2 兩類型，使 CD 成為通用的儲(chǔ)存介質(zhì)。 CDG：（ CompactDiscGraphics） CDDA 基礎(chǔ)上加入圖形成為另一格式，但 未能推廣。在 CD 光盤，模擬數(shù)據(jù)通過(guò)大型刻錄機(jī)在 CD 上面刻出許多連肉眼都看不見(jiàn)的小坑。 緩存容量：它提供一個(gè)數(shù)據(jù)緩沖，先將讀出的數(shù)據(jù)暫存起來(lái)，然后進(jìn)行一次性傳送。 數(shù)據(jù)傳輸率：（ datatransferrate）是指光驅(qū)每秒中在光盤上可讀取多少千字節(jié)（ kilobytes）的資料量，直接決定了光驅(qū)運(yùn)行速度。一個(gè) IDE 接口只能接兩個(gè)外部設(shè)備。 SCIC 接口：（ SmallComputerSysemInterface）是一種新型的外部接口，可驅(qū)動(dòng)多個(gè)外部設(shè)備；數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá) 40MB，以后將成為外部接口的標(biāo)準(zhǔn)，價(jià)格昂貴。是融合了 CLV 和 CAV 的一種新技術(shù)，它是在讀取外沿?cái)?shù)據(jù)采用 CAV 技術(shù)，在讀取內(nèi)沿?cái)?shù)據(jù)采用 CAV 技術(shù)，提高整體數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣取? CAV 技術(shù)：（ ConstantAngularVelocity）恒定角速度讀取方式。 四、光驅(qū)術(shù)語(yǔ)解釋 CLV 技術(shù)：（ ConstantLinearVelocity）恒定線速度讀取方式。一般說(shuō)來(lái)，業(yè)者會(huì)標(biāo)示成較快的速度將 ( 7 改成 6)或?qū)](méi)有廠牌的改為有廠牌的。 Type 3： 的厚度，被運(yùn)用為連接硬盤的 ATA 接口。因連接方式不同可分為一是外接方式 (External)另一種為內(nèi)接方式 (Internal)。 Sync SRAM：為同步 SRAM，它的工作時(shí)脈與系統(tǒng)是同步的。 靜態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存 SRAM (Static Random Access Memory)： SRAM 是 Static Random Access Memory 的縮寫，通常比一般的動(dòng)態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存處理速度更快更穩(wěn)定。 VRAM (Video RAM)：與 DRAM 最大的不同在于其有兩組輸出及輸入口，所以可以同時(shí)一邊讀入，一邊輸出資料。 DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM)： DDRII 是 DDR原有的 SLDRAM 聯(lián)盟于 1999 年解散后將既有的研發(fā)成果與 DDR整合之后的未來(lái)新標(biāo)準(zhǔn)。 SDRAM： Synchronous DRAM 是一種新的 DRAM 架構(gòu)的技術(shù)；它運(yùn)用晶片內(nèi)的 clock使輸入及輸出能同步進(jìn)行。但是 RAM必須由穩(wěn)定流暢的電力來(lái)保持它本身的穩(wěn)定性，所以一旦把電源關(guān)閉則原先在 RAM 里頭的 資料將隨之消失。 EPROM (Erasable Programmable ROM)：為一種可以透過(guò)紫外線的照射將其內(nèi)部的資料清除掉之后，再用燒錄器之類的設(shè)備將資料燒錄進(jìn) EPROM 內(nèi)，優(yōu)點(diǎn)為可以重復(fù)的燒錄資料。 時(shí)鐘信號(hào) (Clock)：時(shí)鐘信號(hào)是提供給同步內(nèi)存做訊號(hào)同步之用，同步記憶體的存取動(dòng)作必需與時(shí)鐘信號(hào)同步。 自我充電 (SelfRefresh)： DRAM 內(nèi)部具有獨(dú)立且內(nèi)建的充電電路于一定時(shí)間內(nèi)做自我充電， 通常用在筆記型計(jì)算機(jī)或可攜式計(jì)算機(jī)等的省電需求高的計(jì)算機(jī)。 緩沖器和無(wú)緩沖器（ Buffer . Unbuffer）：有緩沖器的 DIMM 是用來(lái)改善時(shí)序(timing)問(wèn)題的一種方法無(wú)緩沖器的 DIMM 雖然可被設(shè)計(jì)用于系統(tǒng)上，但它只能支援四條DIMM。 6 層板和 4 層板 (6 layers . 4 layers)： 指的是電路印刷板 PCB Printed Circuit Board用 6 層或 4 層的玻璃纖維做成，通常 SDRAM 會(huì)使用 6 層板，雖然會(huì)增加 PCB 的成本但卻可免除噪聲的干 擾，而 4 層板雖可降低 PCB 的成本但效能較差。 RIMM： RIMM 模塊是下一世代的內(nèi)存模塊主要規(guī)格之一，它是 Intel 公司于 1999 年推出芯片組所支持的內(nèi)存模塊，其頻寬高達(dá) 。 內(nèi)存模塊 (Memory Module)：提到內(nèi)存模塊是指一個(gè)印刷電路板表面上有鑲嵌數(shù)個(gè)記憶體芯片 chips，而這內(nèi)存芯片通常是 DRAM 芯片，但近來(lái)系統(tǒng)設(shè)計(jì)也有使用快取隱藏式芯片鑲嵌在內(nèi)存模塊上內(nèi)存模塊是安裝在 PC 的主機(jī)板上的專用插槽 (Slot)上鑲嵌在 Module 上DRAM 芯片 (chips)的數(shù)量和個(gè)別芯片 (chips)的容量，是決定 內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)的主要因素。其兩個(gè)插口分別可以連接一個(gè)主設(shè)備和一個(gè)從設(shè)置，從而可以支持四個(gè)設(shè)備，兩個(gè)插口也分為主插口和從插口。 ATA1(IDE)： ATA 是最早的 IDE標(biāo)準(zhǔn)的正式名稱， IDE 實(shí)際上是指連在硬盤接口的硬盤本身。其特點(diǎn)是將編解碼器放在硬盤本身之中，而不是在控制卡 上，理論傳輸速度是前面所述的ST506 的 2…4倍，一般可達(dá)到 10Mbps。 ST506/412 接口：這是希捷開發(fā)的一種硬盤接口，首先使用這種接口的硬盤為希捷的ST－ 506 及 ST－ 412。 噪音與防震技術(shù)：硬盤主軸高速旋轉(zhuǎn)時(shí)不可避免的產(chǎn)生噪音，并會(huì)因金屬磨擦而產(chǎn)生磨損和發(fā)熱問(wèn)題，“液態(tài)軸承馬達(dá)”就可以解決這一問(wèn)題。 數(shù)據(jù)衛(wèi)士：是西部數(shù)據(jù)（ WD）特有的硬盤數(shù)據(jù)安全技術(shù)，此技術(shù)可在硬盤工作的空余時(shí)間里自動(dòng)每 8 個(gè)小時(shí)自動(dòng)掃描、檢測(cè)、修復(fù)盤片的各扇區(qū)。 MTBF（連續(xù)無(wú)故障時(shí)間）：它指硬盤從開始運(yùn)行到出現(xiàn)故障的最長(zhǎng)時(shí)間，單位是小時(shí)。目前硬盤的高速緩存一般為 512KB2MB，目前主流 ATA 硬盤的數(shù)據(jù)緩存為 2MB，而在 SCSI 硬盤中最高的數(shù)據(jù)緩存現(xiàn)在已經(jīng)達(dá)到了 16MB。 外部數(shù)據(jù)傳輸率：通稱突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸 率（ burst data transfer rate）：指從硬盤緩沖區(qū)讀取數(shù)據(jù)的速率，常以數(shù)據(jù)接口速率代替，單位為 MB/S。 平均潛伏期（ average latency）：指當(dāng)磁頭移動(dòng)到數(shù) 據(jù)所在的磁道后，然后等待所要的數(shù)據(jù)塊繼續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)（半圈或多些、少些）到磁頭下的時(shí)間，單位為毫秒（ ms）。 5400RPM 的硬盤擁有的是 MS 的反應(yīng)時(shí)間，而 7200RPM 的可以達(dá)到 MS。著陸區(qū)不用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，因些可避免磁頭在開、關(guān)電源期間緊急降落時(shí)所造成數(shù)據(jù)的損失。 磁頭技術(shù)的進(jìn)步，再加上目前記錄材料技術(shù)和處理技術(shù)的發(fā)展，將使硬盤的存儲(chǔ)密度提升到每平方英寸 10GB 以上，這將意味著可以實(shí)現(xiàn) 40GB 或者更大的硬盤容量。首先是將磁頭從盤片上所讀取的信號(hào)加以數(shù)字化，并將未達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)的信號(hào)加以舍棄，而沒(méi)有將信 號(hào)輸出。 PRML（局部響應(yīng)最大擬然， Partial Response Maximum Likelihood）：除了磁頭技術(shù)的日新月異之外，磁記錄技術(shù)也是影響硬盤性能非常關(guān)鍵的一個(gè)因素。在栓層中，磁場(chǎng)強(qiáng)度是固定的 ,并且磁場(chǎng)方向被相臨的交換層所保持。在硬盤中，碟片的單碟容量和磁頭技術(shù)是相互制約、相互促進(jìn)的。目前的硬盤產(chǎn)品內(nèi)部盤片大小有： ， ， 和 英寸（后兩種常用于筆記本及部分袖珍精密儀器中，現(xiàn)在臺(tái)式機(jī)中常用 英寸的盤片）。是一種儲(chǔ)存量巨大的設(shè)備，作用是儲(chǔ)存計(jì)算機(jī)運(yùn)行時(shí)需要的數(shù)據(jù)。這些產(chǎn)品一般是大容量硬盤，平均 尋道時(shí)間短，適應(yīng)于高速、高數(shù)據(jù)量的應(yīng)用需求，將為中高端存儲(chǔ)應(yīng)用提供良好保證。目前，光纖通道支持每秒 200MB 的數(shù)據(jù)傳輸速率，可以在一個(gè)環(huán)路上容納多達(dá) 127 個(gè)驅(qū)動(dòng)器，局域電纜可在 25 米范圍內(nèi)運(yùn)行，遠(yuǎn)程電纜可在 10 公里范圍內(nèi)運(yùn)行。 SCSI 硬盤的接口技術(shù)也在迅速發(fā)展。 接口技術(shù)：口技術(shù)可極大地提高硬盤的最大外部數(shù)據(jù)傳輸率 ,現(xiàn)在普遍使用的ULTRAATA/66 已大幅提高了 EIDE 接口的性能 ,所謂 UltraDMA66 是指一種由 Intel 及Quantum 公司設(shè)計(jì)的同步 DMA 協(xié)議。接口技術(shù)可以極大地提高硬盤的最大外部傳輸率，最大的益處在于可以把數(shù)據(jù)從硬盤直接傳輸?shù)街鲀?nèi)存而不占用更多的 CPU 資源，提高系統(tǒng)性能。 PRML 技術(shù)可以降低硬盤讀取數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤率，因此可以進(jìn)一步提高磁盤數(shù)據(jù)密集度。 連續(xù)無(wú)故障時(shí)間（ MTBF） ：指硬盤從開始運(yùn)行到出現(xiàn)故障的最長(zhǎng)時(shí)間。根據(jù)寫入方式的不同，有寫通式和回寫式兩種。硬盤的讀數(shù)據(jù)的過(guò)程是將磁信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)后，通過(guò)緩存一次次地填充與清空，再填充，再清空，一步步按照 PCI 總線的周期送出，可見(jiàn)，緩存的作用是相當(dāng)重要的。 MR 技術(shù)可使硬盤容量提高 40%以上。 MR技術(shù)可以更高的實(shí)際記錄密度、記錄數(shù)據(jù)，從而增加硬盤容量，提高數(shù)據(jù)吞吐率。 自動(dòng)檢測(cè)分析及報(bào)告技術(shù)（ SelfMonitoring Analysis and Report Technology，簡(jiǎn)稱）： 現(xiàn)在出廠的硬盤基本上都支持 技術(shù)。目前 采用UDMA/66 技術(shù)的硬盤的外部傳輸率已經(jīng)達(dá)到了 最大內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率（ Internal data transfer rate）： 指磁頭至硬盤緩存間的最大數(shù)據(jù)傳輸率，一般取決于硬盤的盤片轉(zhuǎn)速和盤片數(shù)據(jù)線密度（指同一磁道上的數(shù)據(jù)間隔度）。 平均訪問(wèn)時(shí)間（ Average access time）： 指磁頭找到指定數(shù)據(jù)的平均時(shí)間，通常是平均尋道時(shí)間和平均潛伏時(shí)間之和。這樣可以避免金屬面的直接磨擦，將噪聲及溫度被減至最低；同時(shí)油膜可有效吸收震動(dòng)，使抗震能力得到提高；更可減少磨損，提高壽命?，F(xiàn)在的主流硬盤轉(zhuǎn)速一般為 7200rpm 隨著硬盤容量的不斷增大，硬盤的轉(zhuǎn)速也在不斷提高。目前市場(chǎng)上常見(jiàn)的硬盤轉(zhuǎn)速一般有 5400rpm、 7200rpm、甚至 10000rpm。 二、硬盤術(shù)語(yǔ)解釋 硬盤的轉(zhuǎn)速 (Rotationl Speed)： 也就是硬盤電機(jī)主軸的轉(zhuǎn)速，轉(zhuǎn)速是決定硬盤內(nèi)部傳輸率的關(guān)鍵因素之一，它的快慢在很大程度上影響了硬盤的速度，同時(shí)轉(zhuǎn)速的快慢也是區(qū)分硬盤檔次的重要標(biāo)志之一。 TLBs： (Translate Look side Buffers，翻譯旁視緩沖器 )用于存儲(chǔ)指令和輸入 /輸出數(shù)值的區(qū)域。 TCP： （ Tape Carrier Package，薄 膜封裝）一種芯片封裝形式，特點(diǎn)是發(fā)熱小。當(dāng)分支指令發(fā)出之后，傳統(tǒng)處理器在未收到正確的反饋信息之前，是不能做任何工作的，而具有預(yù)測(cè)執(zhí)行能力的新型處理器，可以估計(jì)即將執(zhí)行的指令，采用預(yù)先計(jì)算的方法來(lái)加快整個(gè) 處理