【正文】 echnology，簡(jiǎn)稱）： 現(xiàn)在出廠的硬盤基本上都支持 技術(shù)。 MR 技術(shù)可使硬盤容量提高 40%以上。根據(jù)寫入方式的不同，有寫通式和回寫式兩種。 PRML 技術(shù)可以降低硬盤讀取數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤率，因此可以進(jìn)一步提高磁盤數(shù)據(jù)密集度。 接口技術(shù)：口技術(shù)可極大地提高硬盤的最大外部數(shù)據(jù)傳輸率 ,現(xiàn)在普遍使用的ULTRAATA/66 已大幅提高了 EIDE 接口的性能 ,所謂 UltraDMA66 是指一種由 Intel 及Quantum 公司設(shè)計(jì)的同步 DMA 協(xié)議。目前，光纖通道支持每秒 200MB 的數(shù)據(jù)傳輸速率，可以在一個(gè)環(huán)路上容納多達(dá) 127 個(gè)驅(qū)動(dòng)器，局域電纜可在 25 米范圍內(nèi)運(yùn)行，遠(yuǎn)程電纜可在 10 公里范圍內(nèi)運(yùn)行。是一種儲(chǔ)存量巨大的設(shè)備，作用是儲(chǔ)存計(jì)算機(jī)運(yùn)行時(shí)需要的數(shù)據(jù)。在硬盤中，碟片的單碟容量和磁頭技術(shù)是相互制約、相互促進(jìn)的。 PRML（局部響應(yīng)最大擬然， Partial Response Maximum Likelihood）：除了磁頭技術(shù)的日新月異之外，磁記錄技術(shù)也是影響硬盤性能非常關(guān)鍵的一個(gè)因素。 磁頭技術(shù)的進(jìn)步，再加上目前記錄材料技術(shù)和處理技術(shù)的發(fā)展，將使硬盤的存儲(chǔ)密度提升到每平方英寸 10GB 以上，這將意味著可以實(shí)現(xiàn) 40GB 或者更大的硬盤容量。 5400RPM 的硬盤擁有的是 MS 的反應(yīng)時(shí)間，而 7200RPM 的可以達(dá)到 MS。 外部數(shù)據(jù)傳輸率：通稱突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸 率（ burst data transfer rate）：指從硬盤緩沖區(qū)讀取數(shù)據(jù)的速率，常以數(shù)據(jù)接口速率代替，單位為 MB/S。 MTBF（連續(xù)無(wú)故障時(shí)間）：它指硬盤從開(kāi)始運(yùn)行到出現(xiàn)故障的最長(zhǎng)時(shí)間，單位是小時(shí)。 噪音與防震技術(shù)：硬盤主軸高速旋轉(zhuǎn)時(shí)不可避免的產(chǎn)生噪音，并會(huì)因金屬磨擦而產(chǎn)生磨損和發(fā)熱問(wèn)題，“液態(tài)軸承馬達(dá)”就可以解決這一問(wèn)題。其特點(diǎn)是將編解碼器放在硬盤本身之中，而不是在控制卡 上，理論傳輸速度是前面所述的ST506 的 2…4倍，一般可達(dá)到 10Mbps。其兩個(gè)插口分別可以連接一個(gè)主設(shè)備和一個(gè)從設(shè)置，從而可以支持四個(gè)設(shè)備，兩個(gè)插口也分為主插口和從插口。 RIMM： RIMM 模塊是下一世代的內(nèi)存模塊主要規(guī)格之一，它是 Intel 公司于 1999 年推出芯片組所支持的內(nèi)存模塊，其頻寬高達(dá) 。 緩沖器和無(wú)緩沖器（ Buffer . Unbuffer）：有緩沖器的 DIMM 是用來(lái)改善時(shí)序(timing)問(wèn)題的一種方法無(wú)緩沖器的 DIMM 雖然可被設(shè)計(jì)用于系統(tǒng)上，但它只能支援四條DIMM。 時(shí)鐘信號(hào) (Clock)：時(shí)鐘信號(hào)是提供給同步內(nèi)存做訊號(hào)同步之用，同步記憶體的存取動(dòng)作必需與時(shí)鐘信號(hào)同步。但是 RAM必須由穩(wěn)定流暢的電力來(lái)保持它本身的穩(wěn)定性，所以一旦把電源關(guān)閉則原先在 RAM 里頭的 資料將隨之消失。 DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM)： DDRII 是 DDR原有的 SLDRAM 聯(lián)盟于 1999 年解散后將既有的研發(fā)成果與 DDR整合之后的未來(lái)新標(biāo)準(zhǔn)。 靜態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存 SRAM (Static Random Access Memory)： SRAM 是 Static Random Access Memory 的縮寫，通常比一般的動(dòng)態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存處理速度更快更穩(wěn)定。因連接方式不同可分為一是外接方式 (External)另一種為內(nèi)接方式 (Internal)。一般說(shuō)來(lái)，業(yè)者會(huì)標(biāo)示成較快的速度將 ( 7 改成 6)或?qū)](méi)有廠牌的改為有廠牌的。 CAV 技術(shù)：（ ConstantAngularVelocity）恒定角速度讀取方式。 SCIC 接口：（ SmallComputerSysemInterface）是一種新型的外部接口，可驅(qū)動(dòng)多個(gè)外部設(shè)備；數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá) 40MB，以后將成為外部接口的標(biāo)準(zhǔn)，價(jià)格昂貴。 數(shù)據(jù)傳輸率：（ datatransferrate）是指光驅(qū)每秒中在光盤上可讀取多少千字節(jié)（ kilobytes）的資料量，直接決定了光驅(qū)運(yùn)行速度。在 CD 光盤，模擬數(shù)據(jù)通過(guò)大型刻錄機(jī)在 CD 上面刻出許多連肉眼都看不見(jiàn)的小坑。定義了用于電腦數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的 MODE1 和用于壓縮視頻圖象存儲(chǔ)的 MODE2 兩類型，使 CD 成為通用的儲(chǔ)存介質(zhì)。是指全動(dòng)態(tài)、全屏播放的激光影視光盤。 CDRW：在光盤上加一層可改寫的染色層，通過(guò)激光可在光盤上反復(fù)多次寫入數(shù)據(jù)。針對(duì)廣播級(jí)的圖像和立體聲信號(hào)的壓縮和解壓縮。它容量大而價(jià)格低、速度不慢且兼容性高。 DTE：“ DataTerminalEquipment(數(shù)據(jù)終端設(shè)備 )”的首字母縮略詞。 端口速率 (PortRate)：又稱 DCE 速率或最大吞吐量。 賀氏兼容：由于 Hayes 公司發(fā)明的 AT 指令得到了廣泛的應(yīng)用。 數(shù)據(jù)位：利用調(diào)制解調(diào)器在線路上傳輸數(shù)據(jù)時(shí)，每傳送一組數(shù)據(jù)，都要含有相應(yīng)的控制數(shù)據(jù)，包括開(kāi)始發(fā)送數(shù)據(jù)，結(jié)束數(shù)據(jù)，而這組數(shù)據(jù)中最重要的是數(shù)據(jù)位。調(diào)制解調(diào)器需要載波信號(hào)進(jìn)行彼此的溝通，因此只有載波信號(hào)在兩臺(tái)調(diào)制解調(diào)器之間建立起來(lái)，調(diào)制解調(diào)器才稱為連通。同時(shí)， DSP 在模擬均衡和混響等多種效果上也能大顯身手 。低于 75dB 這個(gè)指標(biāo)，噪音在寂靜時(shí)有可能被發(fā)現(xiàn)。采樣的頻率越大則音質(zhì)越有保證。平常所說(shuō)的調(diào)制解調(diào)器速率是指載波速率。 終端仿真：早期的計(jì)算機(jī)使用方式都是一臺(tái)主機(jī)和許多字符方式的終端一起工作，現(xiàn)在的 PC 機(jī)也可以模仿各種終端，并可以通過(guò)調(diào)制解調(diào)器連接到其它的計(jì)算機(jī)上。 56 Kbps 的意思是每秒可以傳送的二進(jìn)制數(shù)量是 56， 000 個(gè)。在專線上撥號(hào)沒(méi)有撥號(hào)音，因而需專門硬件支持。它是在發(fā)送端通過(guò)調(diào)制將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)，而在接收端通過(guò)解調(diào)再將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)的一種裝置。 波特率 (BaudRate)：模擬線路信號(hào)的速率，也稱調(diào)制速率，以波形每秒的振蕩數(shù)來(lái)衡量。容量為 ，采用 CAV 技術(shù)來(lái)獲得較高的數(shù)據(jù)傳輸率 PD 光驅(qū)：（ PowerDisk2）是 Panasonic 公司將可寫光驅(qū)和 CDROM 合二為一，有LF1000（外置式）和 LF1004（內(nèi)置式）兩種類型。容量大?？杉由舷鄳?yīng)的解說(shuō)詞和背景音樂(lè)或插曲，成為有聲電子圖片集。 CDROM XA：（ CDROMeXtendedArchitecture） 1989 年 ,SONY、 Philips、 Micuosoft對(duì) CDROM 標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)充形成的白皮書標(biāo)準(zhǔn)。 CDG：（ CompactDiscGraphics） CDDA 基礎(chǔ)上加入圖形成為另一格式，但 未能推廣。 緩存容量：它提供一個(gè)數(shù)據(jù)緩沖，先將讀出的數(shù)據(jù)暫存起來(lái)，然后進(jìn)行一次性傳送。一個(gè) IDE 接口只能接兩個(gè)外部設(shè)備。是融合了 CLV 和 CAV 的一種新技術(shù)，它是在讀取外沿?cái)?shù)據(jù)采用 CAV 技術(shù)，在讀取內(nèi)沿?cái)?shù)據(jù)采用 CAV 技術(shù)，提高整體數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣取? 四、光驅(qū)術(shù)語(yǔ)解釋 CLV 技術(shù)：（ ConstantLinearVelocity）恒定線速度讀取方式。 Type 3： 的厚度，被運(yùn)用為連接硬盤的 ATA 接口。 Sync SRAM：為同步 SRAM，它的工作時(shí)脈與系統(tǒng)是同步的。 VRAM (Video RAM)：與 DRAM 最大的不同在于其有兩組輸出及輸入口，所以可以同時(shí)一邊讀入，一邊輸出資料。 SDRAM： Synchronous DRAM 是一種新的 DRAM 架構(gòu)的技術(shù)；它運(yùn)用晶片內(nèi)的 clock使輸入及輸出能同步進(jìn)行。 EPROM (Erasable Programmable ROM)：為一種可以透過(guò)紫外線的照射將其內(nèi)部的資料清除掉之后，再用燒錄器之類的設(shè)備將資料燒錄進(jìn) EPROM 內(nèi)，優(yōu)點(diǎn)為可以重復(fù)的燒錄資料。 自我充電 (SelfRefresh)： DRAM 內(nèi)部具有獨(dú)立且內(nèi)建的充電電路于一定時(shí)間內(nèi)做自我充電， 通常用在筆記型計(jì)算機(jī)或可攜式計(jì)算機(jī)等的省電需求高的計(jì)算機(jī)。 6 層板和 4 層板 (6 layers . 4 layers)： 指的是電路印刷板 PCB Printed Circuit Board用 6 層或 4 層的玻璃纖維做成，通常 SDRAM 會(huì)使用 6 層板，雖然會(huì)增加 PCB 的成本但卻可免除噪聲的干 擾，而 4 層板雖可降低 PCB 的成本但效能較差。 內(nèi)存模塊 (Memory Module)：提到內(nèi)存模塊是指一個(gè)印刷電路板表面上有鑲嵌數(shù)個(gè)記憶體芯片 chips，而這內(nèi)存芯片通常是 DRAM 芯片，但近來(lái)系統(tǒng)設(shè)計(jì)也有使用快取隱藏式芯片鑲嵌在內(nèi)存模塊上內(nèi)存模塊是安裝在 PC 的主機(jī)板上的專用插槽 (Slot)上鑲嵌在 Module 上DRAM 芯片 (chips)的數(shù)量和個(gè)別芯片 (chips)的容量，是決定 內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)的主要因素。 ATA1(IDE)： ATA 是最早的 IDE標(biāo)準(zhǔn)的正式名稱， IDE 實(shí)際上是指連在硬盤接口的硬盤本身。 ST506/412 接口：這是希捷開(kāi)發(fā)的一種硬盤接口，首先使用這種接口的硬盤為希捷的ST－ 506 及 ST－ 412。 數(shù)據(jù)衛(wèi)士：是西部數(shù)據(jù)（ WD）特有的硬盤數(shù)據(jù)安全技術(shù)，此技術(shù)可在硬盤工作的空余時(shí)間里自動(dòng)每 8 個(gè)小時(shí)自動(dòng)掃描、檢測(cè)、修復(fù)盤片的各扇區(qū)。目前硬盤的高速緩存一般為 512KB2MB，目前主流 ATA 硬盤的數(shù)據(jù)緩存為 2MB，而在 SCSI 硬盤中最高的數(shù)據(jù)緩存現(xiàn)在已經(jīng)達(dá)到了 16MB。 平均潛伏期（ average latency）：指當(dāng)磁頭移動(dòng)到數(shù) 據(jù)所在的磁道后，然后等待所要的數(shù)據(jù)塊繼續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)（半圈或多些、少些）到磁頭下的時(shí)間，單位為毫秒（ ms）。著陸區(qū)不用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，因些可避免磁頭在開(kāi)、關(guān)電源期間緊急降落時(shí)所造成數(shù)據(jù)的損失。首先是將磁頭從盤片上所讀取的信號(hào)加以數(shù)字化，并將未達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)的信號(hào)加以舍棄，而沒(méi)有將信 號(hào)輸出。在栓層中，磁場(chǎng)強(qiáng)度是固定的 ,并且磁場(chǎng)方向被相臨的交換層所保持。目前的硬盤產(chǎn)品內(nèi)部盤片大小有： ， ， 和 英寸（后兩種常用于筆記本及部分袖珍精密儀器中，現(xiàn)在臺(tái)式機(jī)中常用 英寸的盤片）。這些產(chǎn)品一般是大容量硬盤，平均 尋道時(shí)間短，適應(yīng)于高速、高數(shù)據(jù)量的應(yīng)用需求，將為中高端存儲(chǔ)應(yīng)用提供良好保證。 SCSI 硬盤的接口技術(shù)也在迅速發(fā)展。接口技術(shù)可以極大地提高硬盤的最大外部傳輸率，最大的益處在于可以把數(shù)據(jù)從硬盤直接傳輸?shù)街鲀?nèi)存而不占用更多的 CPU 資源，提高系統(tǒng)性能。 連續(xù)無(wú)故障時(shí)間（ MTBF） ：指硬盤從開(kāi)始運(yùn)行到出現(xiàn)故障的最長(zhǎng)時(shí)間。硬盤的讀數(shù)據(jù)的過(guò)程是將磁信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)后，通過(guò)緩存一次次地填充與清空，再填充，再清空，一步步按照 PCI 總線的周期送出，可見(jiàn)，緩存的作用是相當(dāng)重要的。 MR技術(shù)可以更高的實(shí)際記錄密度、記錄數(shù)據(jù)，從而增加硬盤容量，提高數(shù)據(jù)吞吐率。目前 采用UDMA/66 技術(shù)的硬盤的外部傳輸率已經(jīng)達(dá)到了 最大內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率（ Internal data transfer rate）： 指磁頭至硬盤緩存間的最大數(shù)據(jù)傳輸率，一般取決于硬盤的盤片轉(zhuǎn)速和盤片數(shù)據(jù)線密度（指同一磁道上的數(shù)據(jù)間隔度）。這樣可以避免金屬面的直接磨擦，將噪聲及溫度被減至最低；同時(shí)油膜可有效吸收震動(dòng)，使抗震能力得到提高；更可減少磨損，提高壽命。目前市場(chǎng)上常見(jiàn)的硬盤轉(zhuǎn)速一般有 5400rpm、 7200rpm、甚至 10000rpm。 TLBs： (Translate Look side Buffers，翻譯旁視緩沖器 )用于存儲(chǔ)指令和輸入 /輸出數(shù)值的區(qū)域。當(dāng)分支指令發(fā)出之后，傳統(tǒng)處理器在未收到正確的反饋信息之前，是不能做任何工作的，而具有預(yù)測(cè)執(zhí)行能力的新型處理器，可以估計(jì)即將執(zhí)行的指令，采用預(yù)先計(jì)算的方法來(lái)加快整個(gè) 處理過(guò)程。如果 僅是指令完成，但仍留在調(diào)度進(jìn)程中，亦不算是指令引退。對(duì)于 X86 處理器來(lái) 說(shuō)，寄存器不足已經(jīng)成為了它的最大特點(diǎn)，因此 AMD 才想在下一代芯片 K8 之中，增加寄存器的數(shù)量。 PostRISC： 一種新型的處理器架構(gòu)，它的內(nèi)核是 RISC，而外圍是 CISC，結(jié)合了兩種架構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)，擁有預(yù)測(cè)執(zhí)行、處理器重命名等先進(jìn)特性，如： Athlon。現(xiàn)今的大多數(shù) x86 指令都需要約 5 個(gè)時(shí)鐘周期，但這些周期之中有部分是與其它指令交迭在一起的（并行處理），因此 CPU制造商宣傳的潛伏期要比實(shí)際的時(shí)間長(zhǎng)。 IMM： （ Intel Mobile Module,英特爾移動(dòng)模塊）英特爾開(kāi)發(fā)用于筆記本電腦的處理器模塊，集成了 CPU 和其它控制設(shè)備。 FFT： （ fast Fourier tr