【正文】 信噪比：以 dB 計算的信號最大保真輸出與 不可避免的電子噪音的比率。 六、聲卡術(shù)語解釋 DSP：即 Digital Signal Processing (數(shù)字信號處理 )。 載波：由于普通電話線上只能傳輸聲音信號，因此調(diào)制解調(diào)器要將計算機上的數(shù)字信號，轉(zhuǎn)換為聲音信號后經(jīng) 電話線傳輸。我們的 PC 機提供的標準通信接口都是異步的。常見的調(diào)制解調(diào)器都支持撥號線，而不一定支持專線。指的是連結(jié)兩個調(diào)制解調(diào)器之間的電話線 (或?qū)＞€ )上數(shù)據(jù)的傳輸速率。 DCE：“ DataCommunicationEquipment(數(shù)據(jù)通信設備 )”的首字母縮略詞。 ABS 平衡系統(tǒng)：（ AutoBalanceSystem）是 DIAMONDDATA 最新推出的三菱鉆石系列高倍速光驅(qū)所配帶的，是在光驅(qū)托盤下安上一具鋼銖軸承，光驅(qū)震動時，鋼珠在離心力的作用下到質(zhì)量輕的部分，起到平衡作用，加大讀盤能力。 HDCD 光盤采用 MPEG2 標準。屬于橘皮書標準。 VCD：（ VideoCD）激光視盤。 CDROM：（ CompactDiscReadOnlyMemory）只讀光盤機。 激光頭：它由中心往外移動在 TableofContents 區(qū)域，通過發(fā)射激光來尋找光盤上的指定位置，感應電阻接受到反射出的信號輸出成電子數(shù)據(jù) CD：（ CompactDisc）光盤。 300KB/s 的數(shù)據(jù)傳輸率也就是雙倍速?，F(xiàn)在又出現(xiàn)了 UDMA/66，速度多出兩倍。它是為了保持數(shù)據(jù)傳輸率不變，而隨時改變旋轉(zhuǎn)光盤的速度。 FLASH： Flash 內(nèi)存比較像是一種儲存裝置，因為當電源關(guān)掉后儲存在 Flash 內(nèi)存中的資料并不會流失掉，在寫入資料時必須先將原本的資料清除掉，然后才能再寫入新的資料，缺點為寫入資料的速度太慢。 高速緩存 (Cache Ram)：為一種高速度的內(nèi)存是被設計用來處理運作 CPU。 MDRAM (MultiBank RAM)： MIDRAM 的內(nèi)部分成數(shù)個各別不同的小儲存庫 (BANK)，也就是數(shù)個屬立的小單位矩陣所構(gòu)成。SDRAM 節(jié)省執(zhí)行指令及數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r間，故可提升計算機效率。 MASK ROM：是制造商為了要大量生產(chǎn)，事先制作一顆有原始數(shù)據(jù)的 ROM 或 EPROM當作樣本，然后再大量生產(chǎn)與樣本一樣的 ROM，這一種做為大量生產(chǎn)的 ROM 樣本就是 MASK ROM，而燒錄在 MASK ROM 中的資料永遠無法做修改。例如 CL=3，表示計算機系統(tǒng)自主存儲器讀取第一筆資料時，所需的準備時間為 3 個外部時 脈 (System clock)。 SPD：為 Serial Presence Detect 的縮寫，它是燒錄在 EEPROM 內(nèi)的碼，以往開機時BIOS 必須偵測 memory，但有了 SPD 就不必再去作偵測的動作，而由 BIOS 直接讀取 SPD 取得內(nèi)存的相關(guān)資料。 30PIN： 30 腳位的單面內(nèi)存模塊是用來支持 8 位的數(shù)據(jù)處理量。 ATA2 （ EIDE Enhanced IDE/Fast ATA）：這是對 ATA1 的擴展，它增加了 2 種 PIO和 2 種 DMA 模式，把最高傳輸率提高到了 ，同時引進了 LBA 地址轉(zhuǎn)換方式，突破了老 BIOS 固有 504MB 的限制，支持最高可達 的硬盤。早期 IBM PC/XT 和 PC/AT 機器使用的硬盤就是 ST－ 506/412硬盤或稱 MFM 硬盤 MFM（ Modified Frequency Modulation）是指一種編碼方案。 DST：驅(qū)動器自我檢測技術(shù)，是希捷公司在自己硬盤中采用的數(shù)據(jù)安全技術(shù)，此技術(shù)可保證保存在硬盤中數(shù)據(jù)的安全性。 硬盤表面溫度：它是指硬盤工作時產(chǎn)生的溫度使硬盤密封殼溫度上升情況。 道至道時間（ single track seek）：指磁頭從一磁道轉(zhuǎn)移至另一磁道的時間，單位為毫秒（ ms）。 反應時間：指的是硬盤中的轉(zhuǎn)輪的 工作情況。最大擬然部分則是拿數(shù)字化后的信號模型與 PRML 芯片本身的信號模型庫加以對比，找出最接近、失真度最小的信號模型，再將這些信號重新組合而直接輸出數(shù)據(jù)。 OAW（光學輔助溫式技術(shù)）：希捷正在開發(fā)的 OAW 是未來磁頭技術(shù)發(fā)展的方向， OAW技術(shù)可以在 1 英寸寬內(nèi)寫入 105000 以上的磁道，單碟容量有望突破 36GB。對于大多數(shù)計算機來說，在與硬盤交換數(shù)據(jù)的過程中，讀操作遠遠快于寫操作，而且讀 /寫是兩種不同特性的操作，這樣就促使硬盤廠商開發(fā)一種讀 /寫分離磁頭。 IEEE1394 將來有望取代現(xiàn)有的 SCSI 總線和 IDE 接口，但是由于成本較高和技術(shù) 上還不夠成熟等原因，目前仍然只有少量使用 IEEE1394 接口的產(chǎn)品，硬盤就更少了。從技術(shù)發(fā)展看， Ultra160/mSCSI 僅僅是硬盤接口發(fā)展道路上的一環(huán)而已， 200MB 的光纖技術(shù)也遠未達到止境，未來的接口技術(shù)必將令今天的用戶瞠目結(jié)舌。硬盤工作時產(chǎn)生的溫度過高將影響薄膜式磁頭 (包括 MR 磁頭 )的數(shù)據(jù)讀取靈敏度，因此硬盤工作表面溫度較低的硬盤有更好的數(shù)據(jù)讀、寫穩(wěn)定性。是當前應用于硬盤數(shù)據(jù)讀取通道中的先進技術(shù)之一。目前主流硬盤的緩存主要有 512KB 和2MB 等 幾種。 MAXTOR 的鉆石三代 /四代等均采用了最新的 MR技術(shù)。一般采用 UDMA/66 技術(shù)的硬盤的內(nèi)部傳輸率也不過2530MB/s，只有極少數(shù)產(chǎn)品超過 30MB/s，由于內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率才是系統(tǒng)真正的瓶頸，因此大家在購買時要分清這兩 個概念。當單碟片容量增大時，磁頭的尋道動作和移動距離減少，從而使平均尋道時間減少，加快硬盤速度。因為較高的轉(zhuǎn)速可縮短硬盤的平均尋道時間和實際讀寫時間。 VLIW： (Very Long Instruction Word，超長指令字 )一種非常長的指令組合，它把許多條指令連在一起，增加了運算的速度。 SSE： (Streaming SIMD Extensions，單一指令多數(shù)據(jù)流擴展 )英特爾開發(fā)的第二代SIMD 指令集，有 70條指令，可以增強浮點和多媒體運算的速度。 SEC： （ Single Edge Connector，單邊連接器）一種處理器的模塊，如：奔騰 II。在 x86 架構(gòu)中，這類情況是常常出現(xiàn)的，如：一個 fld 或 fxch 或 mov 指令需要同一個目標寄存器時，就要動 用到寄存器重命名。 PIB： （ Processor In a Box，盒裝處理器） CPU 廠商正式在市面上發(fā)售的產(chǎn)品，通常要比 OEM（ Original Equipment Manufacturer，原始設備制造商）廠商流通到市場的散裝芯片貴，但只有 PIB 擁有廠商正式 的保修權(quán)利。 MMX： （ MultiMedia Extensions，多媒體擴展指令集）英特爾開發(fā)的最早期 SIMD指令集，可以增強浮點和多媒體運算的速度。指令緩存就是在主內(nèi)存與 CPU 之間增加一個快速的存儲區(qū)域，即使 CPU 未要求到指令，主內(nèi)存也會自動把指令預先送到指令緩存，當 CPU 要求到指令時，可以直接從指令緩存 中讀出，無須再存取主內(nèi)存，減少了 CPU 的等待時間。 FIFO： (First Input First Output，先入先出隊列 )這是一種傳統(tǒng)的按序執(zhí)行方法，先進入的指令先完成并引退，跟著才執(zhí)行第二條指令。 EC： (Embedded Controller，嵌入式控制器 )在一組特定系統(tǒng)中，新增到固定位置，完成一定任務的控制裝置就稱為嵌入式控制器。 Brach Pediction： （分支預測）從 P5 時代開始的一種先進的數(shù)據(jù)處理方法，由 CPU來判斷程 序分支的進行方向，能夠更快運算速度。 BGA： (Ball Grid Array，球狀矩陣排列 )一種芯片封裝形式，例： 82443BX。 CPU： (Center Processing Unit，中央處理器 )計算機系統(tǒng)的大腦，用于控制和管理整個機器的運作，并執(zhí) 行計算任務。新的芯片加快了兩者之間的切換，這就是 FEMMS。 ID： （ identify，鑒別號碼）用于判斷不同芯片的識別代碼。嚴格來說，潛伏期包括一個指令從接收到發(fā)送的全過程。 PGA： （ PinGrid Array，引腳網(wǎng)格陣列）一種芯片封裝形式，缺點是耗電量大。 Register Pressure： （寄存器不足）軟件算法執(zhí)行時所需的寄存器數(shù)目受到限制。 Retirement： （指令引退）當處理器執(zhí)行過一條指令后，自動把它從調(diào)度進程中去掉。 Speculative execution： （預測執(zhí)行）一個用于執(zhí)行未明指令流的區(qū)域。 第二種：在一定時間內(nèi)可以執(zhí)行最多指令數(shù)，當然是越大越好。因此轉(zhuǎn)速在很大程度上決定了硬盤的速度。液態(tài)軸承馬達使用的是黏膜液油軸承，以油膜代替滾珠。也叫外部數(shù)據(jù)傳輸率（ External data transfer rate）。 磁阻磁頭技術(shù) MR(Mago－ Resistive Head)： MR(MAGNETORESITIVEHEAD)即磁阻磁頭的簡稱。 緩存： 緩存是硬盤與外部總線交換數(shù)據(jù)的場所?；貙懯骄褪窃趯懭胗脖P數(shù)據(jù)時也在緩存中找，如果找到就由緩存就數(shù)據(jù)寫入盤中，現(xiàn)在的多數(shù)硬盤都是采用的回寫式硬盤，這樣就大大提高了性能。采用 Ultra DSP 技術(shù)，單個的 DSP 芯片可以同時提供處理器及驅(qū)動接口的雙重功能，以減少其它電子元件的使 用，可大幅度地提高硬盤的速度和可靠性。由于采用 ULTRAATA 技術(shù)的硬盤整體性能比 普通硬盤可提高 20%～ 60%,所以已成為目前 EIDE 硬盤事實上的標準。由于光纖通道技術(shù)的優(yōu)越性，支持光纖界面的硬盤產(chǎn)品開始在市場上出現(xiàn)。 碟片：硬盤的所有數(shù)據(jù)都存儲在碟片上，碟片是 由硬質(zhì)合金組成的盤片，現(xiàn)在還出現(xiàn)了玻璃盤片。前 3 個層控制著磁頭的電阻。 PRML 讀取通道方式可以簡單地分成兩個部分。 著陸區(qū) (LZ)：為使硬盤有一個起始位置，一般指定一個內(nèi)層柱面作為著陸區(qū)，它使硬盤磁頭在電源關(guān)閉之前停回原來的位置。如果我們的硬盤是 秒每周的速度，我們也可以稱這塊硬盤的反應時間是 ms(1ms=1/1000 每秒 )。 數(shù)據(jù)緩存：指在硬盤內(nèi)部的高速存儲器，在電腦中就象一塊緩沖器一樣將一些數(shù)據(jù)暫時性的保存起來以供讀取和再讀取。 DPS（數(shù)據(jù)保護系統(tǒng)）：昆 騰在火球八代硬盤中首次內(nèi)建了 DPS，在硬盤的前 300MB內(nèi)存放操作系統(tǒng)等重要信息， DPS 可在系統(tǒng)出現(xiàn)問題后的 90 秒內(nèi)自動檢測恢復系統(tǒng)數(shù)據(jù)，若不行則用 DPS 軟盤啟動后它會自動分析故障，盡量保證數(shù)據(jù)不丟失。昆騰在火球七代（ EX）系列之后的硬盤都應用了 SPS 震動保護系統(tǒng)；邁拓在金鉆二代上應用了 ShockBlock防震保護系統(tǒng)，他們的目的都是分散沖擊能量，盡量避免磁頭和盤片的撞擊；希捷的金牌系列硬盤中SeaShield 系統(tǒng)是用減震材料制成的保護軟罩外加磁頭臂與盤片間的防震設計來實現(xiàn)的。 把盤體與控制器集成在一起的做法減少了硬盤接口的電纜數(shù)目與長度，數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃缘玫搅嗽鰪?，硬盤制造起來變得更容易，因為廠商不需要再擔心自己的硬盤是否與其它廠商生產(chǎn)的控制器兼容，對用戶而言，硬盤安裝起來也更為方便。 內(nèi)存的速度：內(nèi)存的速度是以每筆 CPU 與內(nèi)存間數(shù)據(jù)處理耗費的時間來計算，為總線循環(huán) (bus cycle)以奈秒 (ns)為單位。 Rambus 內(nèi)存模塊 （ 184PIN）： 采用 Direct RDRAM 的內(nèi)存模塊，稱之為 RIMM 模塊，該模塊有 184pin 腳，資料的輸出方式為串行，與現(xiàn)行使用的 DIMM 模塊 168pin，并列輸出的架構(gòu)有很大的差異。換言之，有緩沖器的 DIMM 雖有速度變慢之虞，但它可以支持更多 DIMM 的使用。 EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM)：為一種將資料寫入后即使在電源關(guān)閉的情況下，也可以保留一段相當長的時間，且寫入資 料時不需要另外提高電壓，只要寫入某一些句柄，就可以把資料寫入內(nèi)存中了。 EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)： EDO 的存取速度比傳統(tǒng) DRAM 快 10%左右，比 FPM 快 12 到 30 倍一般為 72PIN、 168PIN的模塊。 RDRAM (Rambus DRAM)：是由 Rambus 公司獨立設計完成，它的速度約一般