【總結(jié)】清華大學華成英模擬電子技術(shù)基礎?本課程是入門性質(zhì)的技術(shù)基礎課清華大學華成英一、電子技術(shù)的發(fā)展?47年貝爾實驗室制成第一只晶體管?58年集成電路?69年大規(guī)模集成電路?75年超大規(guī)模集成電路?第一片集成電路只有4個晶體管,而97年一片集成電路上有40億
2024-10-09 15:00
【總結(jié)】云南民族大學教案課程名稱:模擬電子技術(shù)基礎授課班級:12級電子信息類1班、12級電子信息類2班、12級網(wǎng)絡工程班、12級電氣類1班、12級電氣類2班任課教師:王 霞職稱:助 教
2025-08-05 08:30
【總結(jié)】專業(yè)班號姓名學號題號一二三四五六七總分得分一、選擇填空(每空2分共24分)1.非線性失真與線性失真(頻率失真)的最主要差別是________。(A)非線性失真使信號波形中任一點的幅值沒有得到
2025-03-25 04:55
【總結(jié)】《模擬電子技術(shù)基礎》主編:黃瑞祥副主編:周選昌、查麗斌、鄭利君楊慧梅、肖鐸、趙勝穎目錄緒論第1章集成運算放大器理想運算放大器的功能與特性理想運算放大器的電路符號與端口理想運算放大器的功能與特性運算放大器的反相輸入分析閉環(huán)增益輸入、輸出阻抗有限開環(huán)增益的影響加權(quán)加法器運算放大器的同
2025-06-25 22:30
【總結(jié)】第三部分習題與解答習題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關系。2、當PN結(jié)外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當外加反向電壓時,擴散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2025-08-05 07:58
【總結(jié)】WORD格式整理電子技術(shù)基礎模擬部分第1章緒論1、寫出下列正弦電壓信號的表達式(設初始相角為零):(1)峰-峰值10V,頻率10kHz;(2)有效值220V,頻率50Hz;(3)峰-峰值100mV,周期1ms;(4)V,角頻率1000rad/s;解:正
2025-08-05 09:23
【總結(jié)】第一章半導體基礎知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-24 23:33
【總結(jié)】106~07學年第一學期中級部《電子技術(shù)基礎》試題出卷人:王敬孝一、填空題(每空1分共165分)§1—1,自然界的物質(zhì)可以分為導體、絕緣體和半導體三類。硅和
2024-11-02 23:45
【總結(jié)】1模擬電子技術(shù)習題答案電工電子教學部2第一章緒論一、填空題:1.自然界的各種物理量必須首先經(jīng)過傳感器將非電量轉(zhuǎn)換為電量,即電信號。2.信號在頻域中表示的圖形或曲線稱為信號的頻譜。3.通過傅立葉變換可
2024-11-07 06:22
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)基礎試卷一本試卷共10題一、判斷下列說法是否正確,凡對者打“√”,錯者打“×”(本大題分2小題,每小題5分,共10分),正確的在括號中畫“√”,否則畫“×”。1)一個理想對稱的差分放大電路,只能放大差模輸入信號,不能放大共模輸入信號。()2)共模信號都是直
2025-01-07 21:37
【總結(jié)】....第1章檢測題(共100分,120分鐘)一、填空題:(,共25分)1、N型半導體是在本征半導體中摻入極微量的五價元素組成的。這種半導體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子,少數(shù)載流子為空穴,不能移動的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導體是在本征半導體中摻入極微量的三價元素組
2025-06-23 15:22
【總結(jié)】第1章檢測題()一、填空題:()1、N型半導體是在本征半導體中摻入極微量的五價元素組成的。這種半導體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子.少數(shù)載流子為空穴.不能移動的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導體是在本征半導體中摻入極微量的三價元素組成的。這種半導體內(nèi)的多數(shù)載流子為空穴.少數(shù)載流子為自由電子.不能移動的雜質(zhì)離子帶負電。2、三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由發(fā)射區(qū)、基區(qū)
2025-08-05 09:36
【總結(jié)】翠屏電子職業(yè)技術(shù)學校電子技術(shù)基礎FundamentalsofElectronics11.本課程的性質(zhì)電子技術(shù)基礎課2.特點?非純理論性課程?實踐性很強?以工程實踐的觀點來處理電路中的一些問題3.研究內(nèi)容以器件
2025-05-02 13:49
【總結(jié)】填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,。2、二極管的正向電阻小;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦裕€(wěn)壓二極管在使用時,穩(wěn)壓二極管與負載并聯(lián),
2025-03-26 01:56
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)基礎復習試題填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,導通后在較大電流下的正向壓降約為。2、二極管的正向電阻??;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時,擴散
2024-10-29 08:43