弱光性能參數(shù)優(yōu)化-wenkub.com
2025-06-21 01:39 本頁(yè)面
【正文】 優(yōu)化的前提最好利用來(lái)自將用于安裝使用的實(shí)際組件所獲得的弱光測(cè)試數(shù)據(jù)，當(dāng)然數(shù)據(jù)要按照規(guī)范測(cè)試得到并有一定的可信度。表8優(yōu)化后的結(jié)果（Rs（module）=，Rsh（Gref）=250Ω，Rsh（0）=1000Ω，Rsh（exp）=，Tm=25℃）Irrad.(W/m178。和 25176。圖8PVsyst中默認(rèn)的Rsh（0）和Rsh（exp）值Rsh(0)和Rsh (exp)值的調(diào)整如圖9所示，比如在不同的弱光下得到了4個(gè)Rsh測(cè)試值，通過(guò)左下方的Fit工具可看到Rsh(0) 和Rsh (exp)。圖6 不同Rsh（exp）下Rsh隨輻照的變化關(guān)系（Rsh(Gref)=250Ω，Rsh（0）=1000Ω）在弱光模型中Rsh(Gref)、Rsh(0) 和Rsh (exp)值是可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)整，其中Rsh(Gref)為STC下測(cè)試的值。Rsh(0)為輻照為0時(shí)的并聯(lián)電阻值（在曲線上為Y軸的截距）。相關(guān)研究成果表明（Mermoud 和 Lejeune ，2010；Eikelboom et al., 1997)：組件并聯(lián)電阻值和入射光強(qiáng)有一定的關(guān)系，當(dāng)入射光強(qiáng)降低后，并聯(lián)電阻隨光強(qiáng)成指數(shù)變化，公式如（2）所示 [2]。下文以XXX240P組件為例并參考PVsyst用戶使用手冊(cè)詳細(xì)介紹弱光參數(shù)的調(diào)整方法[2]。最新的版本6系列比老版本5有了較大的修正，模擬結(jié)果也比老版本更加準(zhǔn)確，尤其在弱光性能部分添加了Rsh（Gref）、Rsh（0）、Rsh（exp）和Rs（module）四大參數(shù)的自定義調(diào)整功能，設(shè)計(jì)人員可以基于實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行修改。圖4 不同Rsh(Gref)值對(duì)應(yīng)的相對(duì)STC弱光效率對(duì)比（Rs（module）=）表4為不同Rsh（Gref）值的組件系統(tǒng)在南京地區(qū)的弱光損失對(duì)比，當(dāng)Rsh（Gref）較低時(shí)，100Ω200Ω以下對(duì)弱光損失的影響在1%2%之間，當(dāng)大于200Ω，Rsh（Gref）值越大，弱光損失的比例越小，綜合以上數(shù)據(jù)不難發(fā)現(xiàn)，在PVsyst模型中，我們得到一個(gè)重要結(jié)論：串聯(lián)電阻值對(duì)弱光的影響程度要大于并聯(lián)電阻值。圖3 不同Rs（module）值在不同輻照下的相對(duì)STC轉(zhuǎn)換效率比較（Rsh（Gref）=250Ω）表2為基于南京地區(qū)不同Rs（module）的組件系統(tǒng)弱光損失對(duì)比，當(dāng)Rs（module），%左右，即說(shuō)明了Rs（module）的微小變化對(duì)弱光損失的影響很大。以XXX240P多晶組件為例，在PVsyst默認(rèn)的組件PAN文件參數(shù)里面，該組件標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下的Rs（apparent），Rs（module），標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下并聯(lián)電阻值Rsh（Gref）為250Ω。晶硅組件在弱光下主要體現(xiàn)在電池片的開路電壓Voc的降低，進(jìn)而導(dǎo)致電池片的效率降低，如圖2 為不同并聯(lián)電阻值的多晶組件在戶外測(cè)試條件下Voc隨輻照的變化趨勢(shì)，組件并聯(lián)電阻越低，Voc下降幅度越大，當(dāng)并聯(lián)電阻值在141Ω或220Ω左右時(shí)Voc降低不明顯，即使降到50 W/m2100W/m2一般只減少2V左右。由于光伏組件的理論模型較為復(fù)雜，對(duì)其輸出特性的研究一般采用仿真實(shí)驗(yàn)的模式，目前PVsyst仿真建模在弱光參數(shù)的設(shè)置上默認(rèn)以該軟件自身提供的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和美國(guó)Sandia數(shù)據(jù)作為基礎(chǔ)，但在實(shí)際建模過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，使用默認(rèn)的
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