弱光性能參數(shù)優(yōu)化(存儲(chǔ)版)
【正文】 ）式中IL為光生電流（A），I0為二極管反向飽和電流（A），n為二極管理想因子。圖6為Rsh(exp)取不同的值時(shí)，對(duì)公式（2）進(jìn)行曲線繪制，其中Rsh(Gref)=250Ω，Rsh(0)=1000Ω，當(dāng)輻照降低時(shí)并聯(lián)電阻值會(huì)增加。圖10 電池并聯(lián)電阻值和串聯(lián)電阻值隨輻照變化關(guān)系[3] （單位：1 suns代表200mW/m2）Rs（module）的調(diào)整參考圖11定義窗口，默認(rèn)提供了兩種輸入模式，第一種只需要輸入組件在不同光強(qiáng)和溫度下的相對(duì)STC條件轉(zhuǎn)換效率（可選 800, 600, 400 and 200 W/m178。文中介紹了四個(gè)弱光參數(shù)Rs（module）、Rsh（Gref）、Rsh(0)和Rsh（exp）的優(yōu)化方法，并根據(jù)現(xiàn)有的樣本實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)對(duì)某組件的Rs進(jìn)行了優(yōu)化，有助于提高該組件在弱光性能預(yù)測(cè)時(shí)的準(zhǔn)確性。) Pmpp（W）Vmpp（V）Impp(A)Voc(V)Isc(A)200 300 400 500 600 700 800 900 1000 緊接著基于南京地區(qū)的氣象數(shù)據(jù)，使用該組件對(duì)優(yōu)化前后的兩種情況進(jìn)行發(fā)電量模擬，如圖14和圖15所示，%，%，這個(gè)值的大小也和當(dāng)?shù)氐娜贻椪涨闆r有關(guān)，在不同的地區(qū)會(huì)有差異，參考表9。由于缺乏實(shí)際測(cè)試數(shù)據(jù)，對(duì)XXX24060P組件，Rsh仍采用默認(rèn)值，這里介紹其調(diào)整方法，具體操作可參考PVsyst用戶手冊(cè)[2]。Rsh (exp)：表征并聯(lián)電阻值隨輻照變化的其中一個(gè)變量。 并聯(lián)電阻值參數(shù)的調(diào)整方法PVsyst軟件是根據(jù)單二極管等效電路模型對(duì)電池和組件的性能進(jìn)行模擬，參考圖5。表4XXX240P組件系統(tǒng)取不同Rsh（Gref）值的全年弱光損失比較（Rs（module）=，Pm=96kW）Rsh（Ω）1201501601802003003504005006001000弱光損失2%%%%%%%%%%%除了Rsh（Gref）值外，我們?cè)俜治鯮sh (0)的影響，假設(shè)Rsh（Gref）=250，Rsh（exp）=，Rs（module）=，Rsh (0)是Rsh(Gref)的N倍，當(dāng)N取不同的值時(shí)，得到弱光損失結(jié)果如表5所示，當(dāng)N取值越高，弱光損失越小?，F(xiàn)將Rsh（Gref）固定為250Ω，Rsh（0）默認(rèn)為Rsh(Gref)的4倍，Rsh（exp）=，這里的Rsh（0）和Rsh（exp）會(huì)在第三部分詳細(xì)說明，假設(shè)Rs（module），使用PVsyst軟件可得到不同輻照度下組件的峰值功率和NOCT條件下組件的峰值功率Pmax，結(jié)果參考表1。在此前提下本文基于多晶組件弱光200W/m2條件下的第三方測(cè)試數(shù)據(jù)，嘗試對(duì)組件PAN文件中的參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化調(diào)整，使得在弱光下的發(fā)電量預(yù)測(cè)更加準(zhǔn)確，除此，文中參考PVsyst用戶手冊(cè)展示了Rs和Rsh優(yōu)化調(diào)整的方法。晶硅組件在弱光下主要
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