弱光性能參數(shù)優(yōu)化-wenkub
2023-07-09 01:39:31 本頁面
【正文】 數(shù)據(jù)和預(yù)期的結(jié)果存在一定的差異，因此不能很準(zhǔn)確地反映真實的弱光性能。在此前提下本文基于多晶組件弱光200W/m2條件下的第三方測試數(shù)據(jù)，嘗試對組件PAN文件中的參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化調(diào)整，使得在弱光下的發(fā)電量預(yù)測更加準(zhǔn)確，除此，文中參考PVsyst用戶手冊展示了Rs和Rsh優(yōu)化調(diào)整的方法。從圖2 的結(jié)果也從側(cè)面說明了相同功率的不同組件在STC條件下的轉(zhuǎn)換效率可能有很小的差異，但是由于并聯(lián)電阻不同，在200W/m2下可能就有很大差別?，F(xiàn)將Rsh（Gref）固定為250Ω，Rsh（0）默認(rèn)為Rsh(Gref)的4倍，Rsh（exp）=，這里的Rsh（0）和Rsh（exp）會在第三部分詳細(xì)說明，假設(shè)Rs（module），使用PVsyst軟件可得到不同輻照度下組件的峰值功率和NOCT條件下組件的峰值功率Pmax，結(jié)果參考表1。表2 XXX240P組件系統(tǒng)取不同Rs（module）值的全年弱光損失比較（Rsh（Gref）=250Ω，Pm=96kW）Rs（module）（Ω）弱光損失%1%%%%%%%%并聯(lián)電阻值對弱光性能的影響仍以XXX240P為例，當(dāng)Rs（module），Rsh（Gref）分別取為200Ω，400Ω，600Ω和1000Ω，Rsh(0)是Rsh(Gref)的4倍，Rsh（exp）=，使用PVsyst軟件可得到不同輻照度下的峰值功率和NOCT條件下功率Pmax，結(jié)果參考表3。表4XXX240P組件系統(tǒng)取不同Rsh（Gref）值的全年弱光損失比較（Rs（module）=，Pm=96kW）Rsh（Ω）1201501601802003003504005006001000弱光損失2%%%%%%%%%%%除了Rsh（Gref）值外，我們再分析Rsh (0)的影響，假設(shè)Rsh（Gref）=250，Rsh（exp）=，Rs（module）=，Rsh (0)是Rsh(Gref)的N倍，當(dāng)N取不同的值時，得到弱光損失結(jié)果如表5所示，當(dāng)N取值越高，弱光損失越小。當(dāng)然軟件自身也設(shè)置了默認(rèn)值，對于晶硅組件默認(rèn)的Rsh(exp)，Rsh (0)是Rsh(Gref)的4倍，這些數(shù)據(jù)是PVsyst研究人員基于實測的大量數(shù)據(jù)分析得到的。 并聯(lián)電阻值參數(shù)的調(diào)整方法PVsyst軟件是根據(jù)單二極管等效電路模型對電池和組件的性能進(jìn)行模擬，參考圖5。Rsh= Rsh(Gref) + [ Rsh(0) Rsh(Gref) ] Rsh (exp)：表征并聯(lián)電阻值隨輻照變化的其中一個變量。目前對于Rsh(Gref)的實際測試有太陽能模擬器的IV測試法（STC）、DarkReverse IV測試法、External Parallel Resistance測試法等，從行業(yè)相關(guān)研究文獻(xiàn)[1]可知，一般使用太陽能模擬器測試出來的結(jié)果會明顯偏低，原因是電流微小變化時，從IV曲線上獲取Rsh(Gref)，太陽能模擬器缺乏足夠的測試和計算精度。由于缺乏實際測試數(shù)據(jù)，對XXX24060P組件，Rsh仍采用默認(rèn)值，這里介紹其調(diào)整方法，具體操作可參考PVsyst用戶手冊[2]。條件），第二種模式是
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