項(xiàng)目一半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)-wenkub.com
2025-05-10 03:50 本頁(yè)面
【正文】 ⑥ 最大漏極功耗 PDM 最大漏極功耗可由 PDM= VDS ID決定，與雙極型三極管的 PCM相當(dāng)。 ③ 飽和漏極電流 IDSS 耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管 , 當(dāng) VGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性相似，它也分為恒流區(qū)、可變電阻區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)。 2 vGS=0 , vDS 0 V vDS | Vp | ,預(yù)夾斷 后ID不為 0時(shí)，電流 iD 由未被夾斷區(qū)域中的載流子形成，基本不隨 vDS的增加而增加，呈恒流特性。光敏三極管制成達(dá)林頓形式時(shí)，可獲得很大的輸出電流而能直接驅(qū)動(dòng)某些繼電器。 溫度每升高 10℃ ， |VBE|大約下降2～ 。 α體現(xiàn)共基極接法下的電流放大作用。 β體現(xiàn)共射極接法之下的電流放大作用 。A 10 181。 三極管輸入特性曲線與二極管特性相似 放大區(qū) 截止區(qū) 飽 和 區(qū) vCE /V ICEO iC / mA 50 181。 2．三極管放大電流時(shí)，被放大的 IC 是由電源 VCC 提供的，并不是三極管自身生成的，放大的實(shí)質(zhì)是小信 號(hào)對(duì)大信號(hào)的控制作用 。當(dāng) ICICBO時(shí) , β又可寫(xiě)成 (113) (114) C E OBC B OBC IIIII ???????? ??? )1(則 其中 ICEO稱(chēng)為穿透電流 , 即 C B OC E O II )1(??? ?一般三極管的 β約為幾十～幾百 。 Ｉ Ｅｎ 又分成兩部分 , 主要部分是Ｉ Ｃｎ , 極少部分是Ｉ Ｂｎ 。 IC 基區(qū)的空穴來(lái)源： 基極電源提供 (IB) 集電區(qū)少子漂移 (ICBO) 所以 IBN ? IB + ICBO IB = IBN – ICBO 圖 三極管的電流傳輸關(guān)系 集電極電流Ｉ Ｃ 由兩部分組成：Ｉ Ｃｎ 和Ｉ ＣＢＯ , 前者是由發(fā)射區(qū)發(fā)射的電子被集電極收集后形成的 , 后者是由集電區(qū)和基區(qū)的少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)形成的 ,稱(chēng)為反向飽和電流 。 共基極接法 ， 基極作為公共電極，用 CB表示。 波形圖如圖１ １９ (ｂ )所示 。 uｉ ＞０時(shí)二極管導(dǎo)通 , uo＝０ V； ui＜０ V, 二極管截止 , uo＝ uｉ 。 二極管： 死區(qū)電壓 =0 .5V，正向壓降 ?(硅二極管 ) 理想二極管： 死區(qū)電壓 =0 ，正向壓降 =0 特殊二極管 一 . 穩(wěn)壓二極管 符號(hào) 工作條件： 反向擊穿 穩(wěn)壓二極管在工作時(shí)應(yīng)反接，并串入一只電阻。顯然， rd與工作電流的大小有關(guān)，即 rd =?VF /?IF 二極管的主要參數(shù) 1. IF — 最大整流電流 (最大正向平均電流 ) 2. URM — 最高反向工作電壓 ， 為 U(BR) / 2 3. IR — 反向電流 (越小 ,單向?qū)щ娦栽胶?) 4. fM — 最高工作頻率 (超過(guò)時(shí) ,單向?qū)щ娦宰儾?) 影響工作頻率的原因 — PN 結(jié)的電容效應(yīng) 以上均是二極管的直流參數(shù)，二極管的應(yīng)用是主要利用它的單向?qū)щ娦裕饕獞?yīng)用于整流、限幅、保護(hù)等等。硅二極管的反向電流一般在納安 (nA)級(jí)；鍺二極管在微安 (?A)級(jí)。 )1(e TS ?? VVII半導(dǎo)體二極管的參數(shù) (1) 最大整流電流 IF—— 二極管長(zhǎng)期連續(xù)工 作時(shí)，允許通過(guò)二 極管的最大整流 電流的平均值。 (2) 面接觸型二極管 — PN結(jié)面積大，用 于工頻大電流整流電路。 PN結(jié)的反向擊穿 當(dāng) PN結(jié)的反向電壓增加到一定數(shù)值時(shí)，反向電流突然快速增加，此現(xiàn)象稱(chēng)為 PN結(jié)的 反向擊穿。 三、 PN 結(jié)的伏安特性 反向飽和電流 加正向電壓時(shí) 加反向電壓時(shí) 反向擊穿 O V /V I /mA 正向特性 )1(eTS ??VVIITS eVVII ?SII ??電擊穿 熱擊穿 反向擊穿 原因 ： 齊納擊穿 ： (Zener) 雪崩擊穿： — PN 結(jié)未損壞，斷電即恢復(fù)。少子漂移加強(qiáng)，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流， PN結(jié)呈現(xiàn)高阻性。 二、 PN 結(jié)的單向?qū)щ娦? 1. PN結(jié)外加正向電壓時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài) － － － － + + + + R E P N 內(nèi)電場(chǎng) 外電場(chǎng) 內(nèi)電場(chǎng)被削弱，多子的擴(kuò)散加強(qiáng)，形成較大的擴(kuò)散電流。 +3 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 硼原子 P型半導(dǎo)體的特點(diǎn)： ① 空穴是多子，自由電子是少子； ② 主要靠空穴導(dǎo)電。 3. 本征半導(dǎo)體導(dǎo)電能力弱，并與溫度有關(guān) 。 電子空穴對(duì) 本征激發(fā) 產(chǎn)生自由電子 和 空穴對(duì) 復(fù)合 使自由電子空穴對(duì)消失 圖 本征激發(fā)和復(fù)合的過(guò)程 半導(dǎo)體中有自由電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電。 圖 硅和鍺的原子結(jié)構(gòu)和簡(jiǎn)化模型 空穴 自由 電子 圖 硅單晶共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 圖 本征激發(fā)產(chǎn)生 電子－空穴對(duì) 本征半導(dǎo)體 — 純凈的不含任何雜質(zhì)的半導(dǎo)體。 自由運(yùn)動(dòng)的帶電粒子。半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí) 1. 本征半導(dǎo)體 2. 雜質(zhì)半導(dǎo)體 3. PN 結(jié) 本征半導(dǎo)體 — 本征半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 — 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。 載流子 — 共價(jià)鍵 — 相鄰原子共有價(jià)電子所形成的束縛。如 硅、鍺單晶體。 半導(dǎo)體中存在兩種載流子：自由電子和空穴。 雜質(zhì)半導(dǎo)體 一、 N 型半導(dǎo)體 在純凈的硅或鍺晶體中摻入少量的 5價(jià)元素（如磷）。 P 型半導(dǎo)體的簡(jiǎn)化圖示 負(fù)離子 多數(shù)載流子 少數(shù)載流子 PN結(jié) 一、 PN 結(jié)的形成 多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 內(nèi)電場(chǎng)促進(jìn)少子漂移運(yùn)動(dòng) 空間電荷區(qū) 雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū) PN結(jié) 內(nèi)電場(chǎng)建立 內(nèi)電場(chǎng)
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