薄膜制備的真空技術(shù)基礎(chǔ)(2)-wenkub.com
2025-04-30 18:46 本頁面
【正文】 該方法是以石墨為碳源 , 利用射頻振蕩或直流激發(fā)的惰性氣體(Ar、 He) 離子轟擊石墨靶 , 濺射出來的碳原子 (或離子 )在基體表面上形成 DLC 膜 , 當(dāng)通入氣體是Ar 和 H2(或碳?xì)錃怏w )混合氣時可制得含氫 DLC 膜。下圖為幾種典型的 PVD 技術(shù)產(chǎn)生的沉積粒子的能量范圍。 離子束的轟擊將有利于致密的、具有較多 sp3 的 DLC 膜形成。 根據(jù)薄膜中碳原子的鍵合方式 ( C H, C C, C= C) 及各種鍵合方式比例的不同 ,DLC 膜可分為含氫 DLC (hydrogenated amorphous carbon (a C∶ H)) 膜和無氫 DLC(amorphous carbon (a C))膜兩大類。 真空的測量 Pirani真空規(guī) 工作原理 ?燈絲：測量燈絲、參比燈絲； ?參比燈絲密封在高真空管中； ?通過橋電流的大小測量氣體密度 (真空度 ) Pirani規(guī)的特點 ?價格低廉、方便、快捷、可靠 真空的測量 電離真空規(guī) 工作原理 ?由陰極、陽極和離子收集極組成； ?陰極電離氣體產(chǎn)生離子； ?離子收集極收集離子從而測量氣體密度。 特點：結(jié)構(gòu)簡單、工作可靠 缺點：油污染真空系統(tǒng)。設(shè)一真空部件使流動著的氣體形成一定程度的壓力降低，則其流導(dǎo) C的定義為： 21 ppQC??串連流導(dǎo)： 3211111CCCC ???并連流導(dǎo)： 321 CCCC ??? 氣體的流動狀態(tài)和真空抽速 真空泵的理論抽速 SP PQSP?P為真空泵入口處的氣體壓力； Q為 單位時間內(nèi)通過真空泵的氣體流量。 在流速較高的情況下，氣體的流動不再能夠維持相互平行的層流模式，而會轉(zhuǎn)變?yōu)橐环N漩渦式的流動模式。 分子流的特點 是氣體分子的平均自由程大于氣體容器的尺寸或與其相當(dāng)。 式中 d為氣體分子的有效截面直徑。真空度的上限就是一個標(biāo)準(zhǔn)大氣壓，即 760毫米汞柱。第 1章 薄膜制備的 真空技術(shù)基礎(chǔ) 1. 真空的定義：真空泛指壓力低于一個 大氣壓的任何氣態(tài)空間。 真空的基本知識 大氣壓 (atm): 標(biāo)準(zhǔn)的大氣壓力定義為 1 atm 帕 (Pa): N/m2 (常用單位： Pa) 巴 (Bar): Dy
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