微電子復(fù)習(xí)資料-wenkub.com
2025-04-13 23:19 本頁面
【正文】 綜上所述，21世紀(jì)的微電子技術(shù)仍將保持目前的高速度持續(xù)發(fā)展，并且仍將以硅基材料為主。（1）摩爾定律（2）等比例縮小定律（1）21世紀(jì)仍將以硅基CMOS電路為主流21世紀(jì)，至少是21世紀(jì)上半葉，微電子技術(shù)仍將以硅技術(shù)為主流，盡管微電子學(xué)在化合物和其它新材料方面的研究取得了很大進(jìn)展，但還遠(yuǎn)不具備替代硅基工藝的條件，另外，全世界數(shù)以萬億美元計(jì)的設(shè)備和技術(shù)投入，以使硅基工藝形成了非常強(qiáng)大的產(chǎn)業(yè)能力；同時(shí)，長期的科技投入使人們對(duì)硅及其衍生物各種屬性的了解達(dá)到十分深入、十分透徹的知識(shí)積累。（2）LIGA加工工藝LIGA技術(shù)采用深度X射線光刻、微電鑄成型和塑料鑄膜等技術(shù)相結(jié)合的一種綜合性加工技術(shù)，它是進(jìn)行三維立體微細(xì)加工最有前途的方法之一，同時(shí)也是制作非硅材料 系統(tǒng)的首選工藝。鍵合是指不利用任何粘合劑，只通過化學(xué)鍵和物理作用將硅片與硅片、硅片與玻璃或其它材料緊密地結(jié)合起來的方法。各向異性腐蝕是指對(duì)硅的不同晶面腐蝕速率不同的腐蝕技術(shù)。其中第二種方法與傳統(tǒng)IC工藝兼容性較好，可以實(shí)現(xiàn)微機(jī)械和微電子的系統(tǒng)集成，而且該方法適合于批量生產(chǎn)，已經(jīng)成為目前MEMS的主流技術(shù)。由于用硅材料加工高速旋轉(zhuǎn)的微結(jié)構(gòu)比較困難，而且機(jī)械磨損會(huì)使壽命變短，因此這種原理的陀螺不適于在實(shí)際中應(yīng)用。微機(jī)電系統(tǒng)內(nèi)部包含的單元主要有一下幾大類：（1） 微傳感器（2） 微執(zhí)行器（3） 微型構(gòu)件（4） 微機(jī)械光學(xué)器件（5） 真空微電子器件（6） 電力電子器件（1）微加速度計(jì)加速度計(jì)是應(yīng)用十分廣泛的慣性傳感器件之一，它的理論基礎(chǔ)實(shí)際上就是牛頓第二定律。MEMS在航空、航天、汽車工業(yè)、生物學(xué)、醫(yī)學(xué)、信息通訊、環(huán)境監(jiān)控、軍事及常用品等領(lǐng)域都有著十分廣闊的應(yīng)用前景。太空用太陽能電池的材料主要有硅、砷化鎵、磷化銦和多晶硅等，低成本的太陽能電池材料主要有非晶硅、硒銦銅、碲化鎘、硫化鎘等。載流子在半導(dǎo)體中輸運(yùn)并被某種電流增益機(jī)構(gòu)倍增。光電探測(cè)器的種類很多，其中主要的有對(duì)任意輻射波長都有響應(yīng)的熱探測(cè)器和對(duì)某一特定波長范圍的光才有響應(yīng)的光子探測(cè)器兩大類。（1） 發(fā)光器件半導(dǎo)體發(fā)光器件包括發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器兩類，它們都采用了pn結(jié)的注入式場(chǎng)致發(fā)光模式。TFT的應(yīng)用領(lǐng)域主要集中在大面積平板顯示——有源矩陣液晶顯示、電可擦除只讀存儲(chǔ)器（ROM）、靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）和線陣或面陣型圖像傳感器驅(qū)動(dòng)電路等方面，其中應(yīng)用最為成功的是有源矩陣液晶顯示方面。第七章 幾類重要的特種微電子器件（Thin Film Transistor TFT）通常是指利用半導(dǎo)體薄膜材料制成的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管。計(jì)算機(jī)輔助測(cè)試包括：（1） 測(cè)試向量生成測(cè)試向量的生成方法包括軟件自動(dòng)生成、人工生成、從激勵(lì)碼轉(zhuǎn)換生成和根據(jù)輸入端數(shù)目從輸入序列中隨機(jī)選取等。版圖設(shè)計(jì)是根據(jù)電路功能和性能的要求以及工藝條件的限制，設(shè)計(jì)集成電路制造過程中必須的光刻掩模板圖。目前最具代表性、應(yīng)用最廣泛的電路軟件是SPICE程序。2. 綜合綜合是指從設(shè)計(jì)的高層次向低層次轉(zhuǎn)換的過程，是一種自動(dòng)設(shè)計(jì)的過程，根據(jù)起始的層次不同，綜合可以相應(yīng)地分為高級(jí)綜合和邏輯綜合，目前的綜合系統(tǒng)一般都以VHDL、Verilog、HardwareC等語言作為輸入描述。第六章：集成電路設(shè)計(jì)的CAD系統(tǒng)CAD技術(shù)介入了包括系統(tǒng)功能設(shè)計(jì)、邏輯和電路設(shè)計(jì)以及版圖設(shè)計(jì)等在內(nèi)的集成電路設(shè)計(jì)的各個(gè)環(huán)節(jié)。（4） 積木塊設(shè)計(jì)方法（BBL方法）定制式設(shè)計(jì)在標(biāo)準(zhǔn)單元方法基礎(chǔ)上，提出了積木塊方法，在這種技術(shù)中可以采用任意形狀和單元，而且沒有布線通道概念，單元可以放在芯片的任意位置，因此可以得到更高的布圖密度。門陳列設(shè)計(jì)具有設(shè)計(jì)周期短、設(shè)計(jì)成本低等特點(diǎn)，缺點(diǎn)是設(shè)計(jì)靈活性較低，門利用率也較低，而且單元中某些器件空置。4. 集成電路的設(shè)計(jì)方法集成電路設(shè)計(jì)方法主要有：全定制設(shè)計(jì)方法、定制設(shè)計(jì)方法、半定制設(shè)計(jì)方法、可編程邏輯器件以及基于這些方法的兼容設(shè)計(jì)方法等。（4） 集成電路作為一個(gè)高度復(fù)雜的電路系統(tǒng)，在功能設(shè)計(jì)、邏輯與電路設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)方面都必須采取分層分級(jí)設(shè)計(jì)和模塊化設(shè)計(jì)。第五章 集成電路設(shè)計(jì)隨著集成度的不斷提高，設(shè)計(jì)成本和設(shè)計(jì)周期已成為集成電路特別是超大規(guī)模集成電路產(chǎn)品成本和產(chǎn)品周期德主要部分。在VLSI工藝中，最常用的隔離工藝是等平面氧化物隔離和溝槽隔離工藝。氣相淀積（CVD）常用的主要有三種：常壓化學(xué)汽相淀積（APCVD）、低壓化學(xué)汽相淀積(LPCVD)和等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積（PECVD）.6. 接觸與互聯(lián)接觸與互聯(lián)的基本工藝步驟為：（1） 為了減小接觸電阻，在需要進(jìn)行互聯(lián)的區(qū)域首先要進(jìn)行高濃度摻雜（2） 淀積一層絕緣介質(zhì)膜（3） 通過光刻、刻蝕等工藝在該介質(zhì)膜上制作出接觸窗口，又叫歐姆接觸孔（4） 利用蒸發(fā)、濺射或CVD等方法形成互連材料膜（5） 利用光刻、刻蝕技術(shù)
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