微電子復(fù)習(xí)資料-wenkub
2023-05-01 23:19:50 本頁面
【正文】 定義出互連線的圖形（6） 為了降低接觸電阻率，在400176。4. 退火退火也叫熱處理，集成電路工藝中所說的在氮?dú)獾炔换顫姎夥罩羞M(jìn)行的熱處理過程都可以稱為退火。目前比較常見的擴(kuò)散方法主要有固態(tài)源擴(kuò)散和液態(tài)源擴(kuò)散等。濕法腐蝕是指利用液態(tài)化學(xué)試劑或溶液通過化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕的方法，干法腐蝕則主要是指利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的離子或游離基與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或通過轟擊等物理作用而達(dá)到刻蝕的目的。（2） 常見的光刻方法：根據(jù)曝光方法的不同，可以分為接觸式光刻、 接近式光刻和投影式光刻三類。（1） CMOS開關(guān)（2） 反相器（3） 開關(guān)串／并聯(lián)的邏輯特性當(dāng)MOS開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，信號可直接從一端傳送至另一端，所以又把MOS開關(guān)稱為傳輸門，通常把傳輸門的輸出信號對控制信號間的邏輯關(guān)系稱為傳輸門邏輯。特征尺寸通常是指集成電路中半導(dǎo)體器件的最小尺度，如MOSFET的最小溝道長度或雙極晶體管中的最小基區(qū)寬度，這是衡量集成電路加工和設(shè)計(jì)水平的重要參數(shù)，特征尺寸越小，加工精度越高，可能達(dá)到的集成度也越大，性能越好。（3）在半導(dǎo)體中可以實(shí)現(xiàn)非均勻摻雜。（2） 模擬集成電路：它是指處理模擬信號的集成電路。(2) 混合集成電路：是指將多個(gè)半導(dǎo)體集成電路芯片或半導(dǎo)體集成電路芯片與各種分立元器件通過一定的工藝進(jìn)行二次集成，構(gòu)成一個(gè)完整的，更復(fù)雜的功能器件，該功能器件最后被封裝在一個(gè)管殼中，作為一個(gè)整體使用，在混合集成電路中，主要由片式無源元件，半導(dǎo)體芯片，帶有互連金屬化層的絕緣基板以及封裝管殼組成。（3） 雙極－MOS集成電路：同時(shí)包括雙極和MOS晶體管的集成電路為雙極－MOS集成電路，雙極－MOS集成電路綜合了雙極和MOS器件兩者的優(yōu)點(diǎn)，但這種電路具有制作工藝復(fù)雜的缺點(diǎn)。（1） 雙極集成電路:這種電路采用的有源器件是雙極晶體管，在雙極集成電路中，又可以根據(jù)雙極晶體管的類型的不同，而將它們細(xì)分為NPN型和PNP型雙極集成電路。雙極集成電路的特點(diǎn)是速度高，驅(qū)動能力強(qiáng)，缺點(diǎn)是功耗較大，集成度相對較低。隨著CMOS集成電路中器件特征尺寸的減小，CMOS集成電路的速度越來越高，已經(jīng)接近雙極集成電路，因此，目前集成電路的主流技術(shù)仍然是CMOS技術(shù)。根據(jù)制作混合集成電路時(shí)所采用的工藝不同，還可以將它們分為厚膜集成電路和薄膜集成電路。（3） 數(shù)模混合集成電路：它是指即包含數(shù)字電路又包含模擬電路的新型電路。（4）光的輻照，高能電子等的注入可以影響半導(dǎo)體的電導(dǎo)率。 2．雙極集成電路基礎(chǔ)：（1）常用的晶體管根據(jù)使用目的的不同可將雙極晶體管分成放大晶體管和開關(guān)晶體管兩大類，它們主要差別是放大管的工作電壓較高，通常這兩種晶體管均制作在高電阻率的硅外延層上。5. 存儲器存儲器是各種數(shù)字計(jì)算機(jī)的主要部件，也是許多其他電子系統(tǒng)中必不可少的，存儲器功能可分為以下幾類：（1） 只讀存儲器（ROM）（2） 隨機(jī)存取存儲器(RAM)（3） 可編程只讀存儲器（PROM）通常一個(gè)完整的存儲器主要包括以下幾個(gè)部分：（1） 存儲單元（2） 地址譯碼器（3） 讀寫電路（4） 時(shí)序控制電路第四章 集成電路制造工藝要制造一塊集成電路，需要經(jīng)過集成電路設(shè)計(jì)、掩模板制造、原始材料制造、芯片加工、封裝、測試等工序，本章的重點(diǎn)是集成電路芯片加工工藝。（3） 刻蝕技術(shù)光刻得到的光刻膠圖形并不是器件的最終組成部分，光刻得到的只是由光刻膠組成的臨時(shí)圖形，為了得到集成電路真正需要的圖形，還必須將這些光刻膠圖形轉(zhuǎn)換成硅片上的圖形。2. 氧化在現(xiàn)代集成電路工藝中，氧化是必不可少的工藝技術(shù)，在硅表面上生長的氧化硅層不但能緊密依附在硅襯底上，而且具有非常穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)和電絕緣性，因此氧化硅層在集成電路中起著極其重要的作用。（2） 離子注入離子注入是將具有很高能量的帶電雜質(zhì)離子注入半導(dǎo)體襯底中的摻雜技術(shù)。退火的方法有很多，最早采用也是最方便的是爐退火，近年來發(fā)展了多種快速退火工藝，比較常用的有脈沖激光法、掃描電子束、連續(xù)波激光、非相干寬帶頻光源等。C~450176。8．封裝技術(shù)（1）封裝的工藝封裝的第一步是劃片，劃片后進(jìn)行鍵合封裝。設(shè)計(jì)方法及各種計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)手段在集成電路設(shè)計(jì)中起著越來越重要的作用。設(shè)計(jì)信息描述。（1） 全定制設(shè)計(jì)方法是指系統(tǒng)功能設(shè)計(jì)、邏輯和電路設(shè)計(jì)完成以后，在優(yōu)化每個(gè)器件的電路參數(shù)和器件參數(shù)的情況下，通過人機(jī)交互圖形系統(tǒng)，人工設(shè)計(jì)版圖中的各個(gè)器件和連線，以獲得最佳性能和最小芯片尺寸。（3） 標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)方法屬于定制設(shè)計(jì)方法，它需要設(shè)計(jì)出制備工藝所需要的所有掩模板。（5） 可編程邏輯器件設(shè)計(jì)方法（PLD）是指用戶通過生產(chǎn)商提的通用器件自行進(jìn)行現(xiàn)場編程和制造，或者通過對于一或矩陣進(jìn)行掩膜編程，得到所需的專用集成電路。本章主要講述系統(tǒng)描述以及模擬、綜合、邏輯模擬、電路模擬、時(shí)序分析、版圖設(shè)計(jì)的CAD工
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