【正文】
開(kāi)通角α。 ,當(dāng)控制角a<j(j=arctan(wL/R) )時(shí),VT1的導(dǎo)通角為π,VT2的導(dǎo)通角為π。(電流連續(xù)工作方式),已知E=200V,R=10Ω,L值極大,EM=30V,T=50μs,ton=20μs,計(jì)算輸出電壓平均值Uo,輸出電流平均值Io。設(shè)V處于斷態(tài)的時(shí)間為toff,則在此期間電感L上釋放的能量為(u0E)I1toff。簡(jiǎn)答題:?! 。好}沖寬度調(diào)制、頻率調(diào)制和混合型。簡(jiǎn)答題:、三相橋式全控整流電路中,當(dāng)負(fù)載分別為電阻負(fù)載或電感負(fù)載時(shí),要求的晶閘管移相范圍分別是多少?單相橋式全控整流電路中,當(dāng)負(fù)載為電阻負(fù)載時(shí),要求的晶閘管移相范圍為0o~180o 當(dāng)負(fù)載為電感負(fù)載時(shí),要求的晶閘管移相范圍為0o~90o三相橋式全控整流電路中,當(dāng)負(fù)載為電阻負(fù)載時(shí),要求的晶閘管移相范圍為0o~120o 當(dāng)負(fù)載為電感負(fù)載時(shí),要求的晶閘管移相范圍為0o~90o?①出現(xiàn)換向重疊角γ,整流輸出電壓平均值ud降低;②整流電路的工作狀態(tài)增多;③晶閘管的di/dt減小,有利于晶閘管的安全開(kāi)通;④換向時(shí)晶閘管電壓出現(xiàn)缺口,產(chǎn)生正的du/dt,可能使晶閘管誤導(dǎo)通,必須加吸收電路;⑤換向使電網(wǎng)電壓出現(xiàn)缺口,成為干擾源;=100A,當(dāng)流過(guò)晶閘管的實(shí)際電流如題圖241所示, 求允許平均電流Id的值(不考慮環(huán)境溫度與安全裕量)?,設(shè)交流電壓有效值U2=220V,控制角 a =p/3 rad,負(fù)載電阻Rd=5W,試求:(1)輸出電壓的平均值 Ud ;(2)輸出電流有效值I?! ?,當(dāng)交流側(cè)和電網(wǎng)連結(jié)時(shí),這種電路稱(chēng)為有源逆變,欲實(shí)現(xiàn)有源逆變,只能采用全控電路 ,當(dāng)控制角 0 a p /2 時(shí),電路工作在整流狀態(tài); p /2 a p 時(shí),電路工作在逆變狀態(tài)。 ,設(shè)交流側(cè)電抗為零,直流電感L為足夠大?!?0176?! ?,單相橋式全控整流電路的波形與單相全波可控整流電路的波形基本相同,只是后者適用于低輸出電壓的場(chǎng)合。第二章填空題: ,在單相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中,晶閘管控制角α的最大移相范圍是180o。有了二極管VD還要加緩沖電路,以抑制電力電子器件過(guò)電壓降低du/dt?。?1所示。檢測(cè)電路:檢測(cè)主電路和應(yīng)用現(xiàn)場(chǎng)的信號(hào),再根據(jù)這些信號(hào)按照系統(tǒng)的工作要求形成控制信號(hào)。:電力二極管(Power Diode)、晶閘管(SCR)、門(mén)極可關(guān)斷晶閘管(GTO)、電力晶體管(GTR)、電力場(chǎng)效應(yīng)管(電力MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)中,屬于不可控器件的是_電力二極管_,屬于半控型器件的是_晶閘管_,屬于全控型器件的是GTO(門(mén)極可關(guān)斷晶閘管)、GTR(電力晶體管)、電力MOSFET(電力場(chǎng)效應(yīng)管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管);屬于單極型電力電子器件的有電力MOSFET(電力場(chǎng)效應(yīng)管),屬于雙極型器件的有晶閘管(SCR)、GTO(門(mén)極可關(guān)斷晶閘管)、GTR(電力晶體管)、電力二極管,屬于復(fù)合型電力電子器件得有IGBT(絕緣柵雙極型晶體管);在可控的器件中,容量最大的是GTO(門(mén)極可關(guān)斷晶閘管),工作頻率最高的是IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),屬于電壓驅(qū)動(dòng)的是電力MOSFET(電力場(chǎng)效應(yīng)管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),屬于電流驅(qū)動(dòng)的是晶閘管(SCR)、GTO(門(mén)極可關(guān)斷晶閘管)、GTR(電力晶體管)、電力二極管。在過(guò)電流保護(hù)中,快速熔斷器的全保護(hù)適用于小功率裝置的保護(hù) 。,可將電力電子器件分為電壓驅(qū)動(dòng)和電流驅(qū)動(dòng) 兩類(lèi)。,其中前者的截止區(qū)對(duì)應(yīng)后者的_截止區(qū)_、前者的飽和區(qū)對(duì)應(yīng)后者的_放大區(qū)_、前者的非飽和區(qū)對(duì)應(yīng)后者的_飽和區(qū)_。(IL=2~4IH),UDRM_小于_Ubo。、快恢復(fù)二極管、肖特基二極管。,電力電子器件功率損耗主要為_(kāi)通態(tài)損耗_,而當(dāng)器件開(kāi)關(guān)頻率較高時(shí),功率損耗主要為_(kāi)開(kāi)關(guān)損耗。,一般由_主電路_、_驅(qū)動(dòng)電路_、 _控制電路_三部分組成,由于電路中存在電壓和電流的過(guò)沖,往往需添加_保護(hù)電路_。(如何連接)在同一管芯上的功率集成器件。,驅(qū)動(dòng)電流后沿應(yīng)是負(fù)脈沖_。,以便與功率晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間相配合。,試說(shuō)明其中各個(gè)電路的作用?(單復(fù)合型電壓型,雙型為電流型)主電路:實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的系統(tǒng)功能?!??如題圖133所示,GTR帶電感性負(fù)載時(shí),如果不接二極管VD會(huì)產(chǎn)生什么問(wèn)題?有了二極管VD是否還要加緩沖電路呢?GTR工作時(shí)不僅不能超過(guò)最大電壓Ucem,集電極最大電流Icm和最大耗散功率Pcm,也不能超過(guò)二次擊穿臨界線。試計(jì)算電流波形的平均值、有效值?! 。趩蜗喟氩煽卣鲙ё韪胸?fù)載并聯(lián)續(xù)流二極管的電路中,晶閘管控制角α的最大移相范圍是180o,其承受的最大正反向電壓均為√2U2,續(xù)流二極管承受的最大反向電壓為√2U2(設(shè)U2為相電壓有效值)?! ?,共陰極組中處于通態(tài)的晶閘管對(duì)應(yīng)的是最大(正的最多)的相電壓,而共陽(yáng)極組中處于導(dǎo)通的晶閘管對(duì)應(yīng)的是最小(負(fù)的最多)的相電壓;這種電路 a 角的移相范圍是0o~120o,ud波形連續(xù)得條件是a≤60o。變化時(shí),整流輸出的電壓ud的諧波幅值隨 a 的增大而增大,當(dāng) a 從90176。當(dāng) a =30176?! ?,能夠?qū)崿F(xiàn)有源逆變的有單相全控、三相橋式全控整流電路等(可控整流電路均可),其工作在有源逆變狀態(tài)的條件是要有直流電動(dòng)勢(shì),其極性需與晶閘管的導(dǎo)通方向一致,其值應(yīng)大于變流器直流側(cè)的平均電壓和要求晶閘管的控制角ap /2,使ud為負(fù)值。,設(shè)交流電壓有效值U2=400V,負(fù)載電阻Rd=10W, 控制角 a= p/2 rad, 試求:(1