嘉應(yīng)學(xué)院電力電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料-展示頁(yè)
2025-05-21 01:18本頁(yè)面
【正文】 波形的電流最大值均為Im，試計(jì)算各波形的電流平均值IdIdId3與電流有效值III3。試計(jì)算電流波形的平均值、有效值。不加VD，關(guān)斷時(shí)會(huì)在L上產(chǎn)生很高的自感電勢(shì)，使VT過(guò)壓，已損壞?！?？如題圖133所示，GTR帶電感性負(fù)載時(shí)，如果不接二極管VD會(huì)產(chǎn)生什么問(wèn)題？有了二極管VD是否還要加緩沖電路呢？GTR工作時(shí)不僅不能超過(guò)最大電壓Ucem，集電極最大電流Icm和最大耗散功率Pcm，也不能超過(guò)二次擊穿臨界線。驅(qū)動(dòng)電路：將信息電子電路傳遞過(guò)來(lái)的信號(hào)按照控制目標(biāo)的要求轉(zhuǎn)換成使電力電子器件開(kāi)通或關(guān)斷的信號(hào)，此信號(hào)加在器件的控制端和公共端之間，對(duì)半控型器件只需要提供開(kāi)通信號(hào)。，試說(shuō)明其中各個(gè)電路的作用？（單復(fù)合型電壓型，雙型為電流型）主電路：實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的系統(tǒng)功能。,在1/2或1/3額定電流以上區(qū)段具有正溫度系數(shù)。，以便與功率晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間相配合。，并用電阻將其消耗。，驅(qū)動(dòng)電流后沿應(yīng)是負(fù)脈沖_。 晶體管），一類是高壓集成電路，另一類是智能功率集成電路。（GTO門極可關(guān)斷晶閘管） 。（如何連接）在同一管芯上的功率集成器件?！。⊿CR晶閘管），維持電流IH與擎住電流IL在數(shù)值大小上有IL_大于IH 。，一般由_主電路_、_驅(qū)動(dòng)電路_、 _控制電路_三部分組成，由于電路中存在電壓和電流的過(guò)沖，往往需添加_保護(hù)電路_。第一章填空題：。，電力電子器件功率損耗主要為_(kāi)通態(tài)損耗_，而當(dāng)器件開(kāi)關(guān)頻率較高時(shí)，功率損耗主要為_(kāi)開(kāi)關(guān)損耗。，電力電子器件可分為單極型器件、雙極型器件、復(fù)合型器件三類。、快恢復(fù)二極管、肖特基二極管。、反向截止。（IL=2~4IH），UDRM_小于_Ubo。，其中前者的截止區(qū)對(duì)應(yīng)后者的_截止區(qū)_、前者的飽和區(qū)對(duì)應(yīng)后者的_放大區(qū)_、前者的非飽和區(qū)對(duì)應(yīng)后者的_飽和區(qū)_。（MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管、GTR電力晶體管、IGBT絕緣柵雙極型 的開(kāi)啟電壓UGE（th）隨溫度升高而_略有下降_，開(kāi)關(guān)速度_低于_電力MOSFET 。，可將電力電子器件分為電壓驅(qū)動(dòng)和電流驅(qū)動(dòng) 兩類。在過(guò)電流保護(hù)中，快速熔斷器的全保護(hù)適用于小功率裝置的保護(hù) 。，給每只管子并聯(lián)相同阻值的電阻R是_靜態(tài)均壓_措施，給每只管子并聯(lián)RC支路是動(dòng)態(tài)均流措施，當(dāng)需同時(shí)串聯(lián)和并聯(lián)晶閘管時(shí)，應(yīng)采用_先串后并_的方法。：電力二極管（Power Diode）、晶閘管（SCR）、門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）、電力晶體管（GTR）、電力場(chǎng)效應(yīng)管（電力MOSFET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）中，屬于不可控器件的是_電力二極管_，屬于半控型器件的是_晶閘管_，屬于全控型器件的是GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）、GTR（電力晶體管）、電力MOSFET（電力場(chǎng)效應(yīng)管）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）；屬于單極型電力電子器件的有電力MOSFET（電力場(chǎng)效應(yīng)管），屬于雙極型器件的有晶閘管（SCR）、GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）、GTR（電力晶體管）、電力二極管，屬于復(fù)合型電力電子器件得有IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）；在可控的器件中，容量最大的是GTO（門極可關(guān)斷晶閘管），工作頻率最高的是IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），屬于電壓驅(qū)動(dòng)的是電力MOSFET（電力場(chǎng)效應(yīng)管）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），屬于電流驅(qū)動(dòng)的是晶閘管（SCR）、GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）、GTR（電力晶體管）、電力二極管。保護(hù)電路：防止電路的電壓或電流的過(guò)沖對(duì)系統(tǒng)的破壞。檢測(cè)電路：檢測(cè)主電路和應(yīng)用現(xiàn)場(chǎng)的信號(hào)，再根據(jù)這些信號(hào)按照系統(tǒng)的工作要求形成控制信號(hào)。GTR的安全工作區(qū)就是在這些限制條件規(guī)定下的區(qū)域。有了二極管VD還要加緩沖電路，以抑制電力電子器件過(guò)電壓降低du/dt?。?1所示。若取安全裕量為2，問(wèn)額定電流為100A的晶閘管，其允許通過(guò)的電流平均值和最大值為多少？ 第二章填空題： ，在單相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中，晶閘管控制角α的最大移相范圍是180o?！ ?，帶純電阻負(fù)載時(shí)，α角移相范圍為0o~180o，單個(gè)晶閘管所承受的最大正向電壓和反向電壓分別為√2/2 U2 和√2U2 ；帶阻感負(fù)載時(shí)，α角移相范圍為0o~90o，單個(gè)晶閘管所承受的最大正向電壓和反向電壓分別為√2U2和√2U2； ，當(dāng)控制角α大于不導(dǎo)電角d時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角q =παd?！ ?，單相橋式全控整流電路的波形與單相全波可控整流電路的波形基本相同，只是后者適用于低輸出電壓的場(chǎng)合?！ ?，換相重迭角的影響，將使用輸出電壓平均值下降?！?0176?！?80176?！ ?，設(shè)交流側(cè)電抗為零，直流電感L為足夠大。時(shí)，三相電流有效值與直流電流的關(guān)系為I＝√2／3 Id ，交流側(cè)電流中所含次諧波次數(shù)為6k177。 ，當(dāng)交流側(cè)和電網(wǎng)連結(jié)時(shí)，這種電路稱為有源逆變，欲實(shí)現(xiàn)有源逆變，只能采用全控電路 ，當(dāng)控制角 0 a p /2 時(shí)，電路工作在整流狀態(tài)； p /2 a p 時(shí)，電路工作在逆變狀態(tài)?！ 。?dāng)電流連續(xù)時(shí)，電動(dòng)機(jī)的機(jī)械特性為一組平行的直線，當(dāng)電流斷續(xù)時(shí)，電動(dòng)機(jī)的理想空載轉(zhuǎn)速將抬高，隨 a 的增加，進(jìn)入斷續(xù)區(qū)的電流變化很小也可引起很大的轉(zhuǎn)速變化。簡(jiǎn)答題：、三相橋式全控整流電路中，當(dāng)負(fù)載分別為電阻負(fù)載或電感負(fù)載時(shí)，要求的晶閘管移相范圍分別是多少？單相橋式全控整流電路中，當(dāng)負(fù)載為電阻負(fù)載時(shí)，要求的晶閘管移相范圍為0o~180o 當(dāng)負(fù)載為電感負(fù)載時(shí)，要求的晶閘管移相范圍為0o~90o三相橋式全控整流電路中，當(dāng)負(fù)載為電阻負(fù)載時(shí)，要求的晶閘管移相范圍為0o~120o 當(dāng)負(fù)載為電感負(fù)載時(shí)，要求的晶閘管移相范圍為0o~90o？①出現(xiàn)換向重疊角γ，整流輸出電壓平均值ud降低；
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