【總結(jié)】嘉應(yīng)學(xué)院專(zhuān)科畢業(yè)實(shí)習(xí)報(bào)告專(zhuān)業(yè)建筑工程技術(shù)培養(yǎng)層次高升專(zhuān)函授站點(diǎn)廣州市番禺區(qū)培賢教育培訓(xùn)中心姓名學(xué)號(hào)
2025-05-13 23:05
【總結(jié)】本科生畢業(yè)論文撰寫(xiě)規(guī)范嘉應(yīng)學(xué)院本科生畢業(yè)論文撰寫(xiě)規(guī)范本科生畢業(yè)論文是本科生四年學(xué)習(xí)的全面總結(jié),是代表其學(xué)習(xí)情況的文獻(xiàn)資料,是申請(qǐng)和授予相應(yīng)學(xué)位的基本依據(jù)。畢業(yè)論文撰寫(xiě)是本科生培養(yǎng)過(guò)程的重要環(huán)節(jié)和基本訓(xùn)練之一,必須按照確定的規(guī)范認(rèn)真執(zhí)行。指導(dǎo)教師應(yīng)加強(qiáng)指導(dǎo),嚴(yán)格把關(guān)。論文撰寫(xiě)應(yīng)符合國(guó)家及各專(zhuān)業(yè)部門(mén)制定的有關(guān)標(biāo)準(zhǔn),符合漢語(yǔ)語(yǔ)法規(guī)范。第一部分論文撰寫(xiě)一、基本要求1、本科畢
2025-05-29 23:17
【總結(jié)】第一篇:數(shù)字電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料4 第四章自我檢查題 一、填空題 。2編碼器按功能不同分為三種:,:,,共輸出個(gè)最小項(xiàng)。 ,其輸出標(biāo)準(zhǔn)與或表達(dá)式共有 ,它們分別為,;輸出端有兩個(gè),分別為、7.?dāng)?shù)...
2024-11-09 22:13
【總結(jié)】嘉應(yīng)學(xué)院學(xué)報(bào)論文排版規(guī)范(開(kāi)本).用紙型(尺寸為×297mm),雙欄編排,頁(yè)面設(shè)置為上空2cm,下空2cm,,,將論文內(nèi)容安排在所定版心之內(nèi),不能超出版心。文中的度量單位一律使用國(guó)家規(guī)定的計(jì)量單位(制)。.論文排版要求論文題目:字號(hào)為小二,宋體,上空兩行(即打印在距離版心上限行處),居中。作者姓名:按署名順序排列。作者之間以“,”分隔。作者姓名與題目之間留空行
2025-04-08 22:24
【總結(jié)】課題二直流調(diào)速裝置直流調(diào)速裝置是電力電子技術(shù)應(yīng)用中較為典型的一種裝置,本課題通過(guò)對(duì)與直流調(diào)速裝置相關(guān)的知識(shí):?jiǎn)蜗鄻蚴饺卣麟娐?、單相橋式半控整流電路、有源逆變電路以及可關(guān)斷晶閘管等內(nèi)容介紹和分析。使學(xué)生能夠理解這些電路的工作原理,掌握分析電路的方法。一、本課題學(xué)習(xí)目標(biāo)與要求1.會(huì)分析單相橋式可控整流電路(電阻性、電感性負(fù)載)輸出電壓ud、電流id和晶閘管兩端電壓uT的波形。
2025-07-14 02:40
【總結(jié)】電力電子技術(shù)總復(fù)習(xí)題型?(20分)?(25分)?(30分)?(15分)?(10分)第一章電力電子器件本章重點(diǎn)內(nèi)容:各種器件的工作原理、基本特性、主要參數(shù)以及選擇和使用中應(yīng)注意的一些問(wèn)題。電力電子器件的驅(qū)動(dòng)、保護(hù)問(wèn)題。?電力電子
2025-05-15 12:30
【總結(jié)】電力電子技術(shù)試題第1章電力電子器件__開(kāi)關(guān)__狀態(tài)。,電力電子器件功率損耗主要為_(kāi)_通態(tài)損耗__,而當(dāng)器件開(kāi)關(guān)頻率較高時(shí),功率損耗主要為_(kāi)_開(kāi)關(guān)損耗__。,一般由__控制電路__、_驅(qū)動(dòng)電路_、_主電路_三部分組成,由于電路中存在電壓和電流的過(guò)沖,往往需添加_保護(hù)電路__。,電力電子器件可分為_(kāi)單極型器件_
2024-11-07 18:25
【總結(jié)】2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過(guò)電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。,也稱(chēng)漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無(wú)摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可以承受很高的電壓而不被擊穿。2-2.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?答:使晶閘管導(dǎo)通的條件是:晶閘管承受正
2025-04-17 07:00
【總結(jié)】......一.選擇填空1.在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于C,而少數(shù)載流子的濃度則與A有很大關(guān)系。2.P型半導(dǎo)體中空穴是A,帶C電;自由
2025-06-23 23:31
【總結(jié)】2439電工電子技術(shù)-0002試卷總分:100答題時(shí)間:60分鐘客觀題單項(xiàng)選擇題(共8題,共40分)1.題圖所示電路為三個(gè)二端網(wǎng)絡(luò),其中可以相互等效變換。(a)(b)(c)A(a)和(b)B(b)和(c)C(a)和(c)參考答案:C;考生答案:B;試題分
2024-10-28 08:47
【總結(jié)】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)(脈沖)復(fù)習(xí)題1一、填空題1、數(shù)字量取值是離散的,我們常用________和_______兩個(gè)數(shù)字來(lái)表示輸入和輸出信號(hào)的狀態(tài)。2、完成下列數(shù)制轉(zhuǎn)換(1)()10=()2 (2)(4F)16=()10(3)()2=()103、邏輯代數(shù)的三種基本運(yùn)算是________、_____
2025-04-17 01:11
【總結(jié)】嘉應(yīng)學(xué)院櫻花日語(yǔ)協(xié)會(huì)日語(yǔ)口譯比賽主辦單位:嘉應(yīng)學(xué)院櫻花日語(yǔ)協(xié)會(huì)一、活動(dòng)背景為營(yíng)造全校濃厚的日語(yǔ)學(xué)習(xí)氛圍,豐富同學(xué)們的課余文化生活,我們以日語(yǔ)情景模擬這種新穎的形式來(lái)增強(qiáng)同學(xué)們對(duì)日語(yǔ)學(xué)習(xí)的興趣,充分發(fā)揮和提高同學(xué)們的日語(yǔ)口語(yǔ)水平,在輕松娛樂(lè)的氣氛中體現(xiàn)日語(yǔ)的魅力。同時(shí),以日語(yǔ)情境模擬大賽為平臺(tái)增強(qiáng)同學(xué)們的團(tuán)隊(duì)意識(shí)和集體榮譽(yù)感。最重要的是,讓同學(xué)們?cè)谖?/span>
2025-06-22 00:45
【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。本征半導(dǎo)體中載流子熱平衡濃度的高低取決于溫度和價(jià)電子擺脫共價(jià)鍵所需的能量4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱(chēng)為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征
2025-08-11 02:51
【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱(chēng)為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素(多子是電子,少子是空穴)。6.雜質(zhì)半導(dǎo)體的
2025-04-17 04:21
【總結(jié)】《汽車(chē)電工與電子技術(shù)基礎(chǔ)》復(fù)習(xí)資料及答案第1頁(yè)共3頁(yè)《汽車(chē)電工與電子技術(shù)基礎(chǔ)》復(fù)習(xí)資料及答案一、填空題1.電路圖上標(biāo)示的電流、電壓方向稱(chēng)為,假定某元件是負(fù)載時(shí),該元件兩端的電壓和通過(guò)元件的電流方向應(yīng)為方向。2.電路有、和三種工作狀態(tài)。
2024-10-24 09:09