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電力電子技術(shù)王兆安復(fù)習(xí)重點(diǎn)-wenkub

2023-05-02 07:08:02 本頁(yè)面
 

【正文】 l 在角度時(shí),給VT1 和VT4加觸發(fā)脈沖,此時(shí),說(shuō)明VT1 和VT4承受正向電壓,因此可靠導(dǎo)通。因此移相范圍為。l 為一水平線。③ :l 在角度時(shí),給VT2 和VT3加觸發(fā)脈沖,此時(shí)b點(diǎn)電壓高于a點(diǎn),VT2 和VT3承受正向電壓,因此可靠導(dǎo)通。l 電流從a點(diǎn)經(jīng)VT1 、L、R、VT4流回b點(diǎn)。④ 晶閘管電流平均值:VT1 、VT4與VT2 、VT3輪流導(dǎo)電,因此晶閘管電流平均值只有輸出直流電流平均值的一半,即。l 。l 同時(shí),VT2 和VT3未觸發(fā)導(dǎo)通,因此、。② :l 在角度時(shí),給VT1 和VT4加觸發(fā)脈沖,此時(shí)a點(diǎn)電壓高于b點(diǎn),VT1 和VT4承受正向電壓,因此可靠導(dǎo)通。 單相橋式全控整流電路 帶電阻負(fù)載的工作情況(1)單相橋式全控整流電路帶電阻負(fù)載時(shí)的原理圖① 由4個(gè)晶閘管(VT1 ~VT4)組成單相橋式全控整流電路。(7)幾個(gè)定義① “半波”整流:改變觸發(fā)時(shí)刻,和波形隨之改變,直流輸出電壓為極性不變但瞬時(shí)值變化的脈動(dòng)直流,其波形只在正半周內(nèi)出現(xiàn),因此稱(chēng)“半波”整流。(1)IGBT是三端器件,具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。 絕緣柵雙極晶體管IGBT(1)GTR和GTO是雙極型電流驅(qū)動(dòng)器件,其優(yōu)點(diǎn)是通流能力強(qiáng),耐壓及耐電流等級(jí)高,但不足是開(kāi)關(guān)速度低,所需驅(qū)動(dòng)功率大,驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜。(3)GTO導(dǎo)通后,若門(mén)極施加反向驅(qū)動(dòng)電流,則GTO關(guān)斷,也即可以通過(guò)門(mén)極電流控制GTO導(dǎo)通和關(guān)斷。 GTO的結(jié)構(gòu)(1)GTO與普通晶閘管的相同點(diǎn):是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),外部引出陽(yáng)極、陰極和門(mén)極。 晶閘管正常工作時(shí)的靜態(tài)特性(1)當(dāng)晶閘管承受反向電壓時(shí),不論門(mén)極是否有觸發(fā)電流,晶閘管都不會(huì)導(dǎo)通。(4)與構(gòu)成NPN的驅(qū)動(dòng)電流,繼續(xù)上述過(guò)程,形成強(qiáng)烈的負(fù)反饋,這樣NPN和PNP兩個(gè)晶體管完全飽和,晶閘管導(dǎo)通。5 半控型器件—晶閘管SCR將器件NP2半導(dǎo)體取傾斜截面,則晶閘管變成V1PNP和V2NPN兩個(gè)晶體管。(2)雙極型器件:由電子和空穴兩種載流子參數(shù)導(dǎo)電的器件。(2)電壓型器件:通過(guò)在控制端和公共端之間施加一定電壓信號(hào)的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通或關(guān)斷的電力電子器件。(3)不可控器件:不能用控制信號(hào)來(lái)控制其通斷的電力電子器件。4 電力電子器件的分類(lèi)根據(jù)控制信號(hào)所控制的程度分類(lèi)(1)半控型器件:通過(guò)控制信號(hào)可以控制其導(dǎo)通而不能控制其關(guān)斷的電力電子器件。3 電力電子系統(tǒng)基本組成與工作原理(1)一般由主電路、控制電路、檢測(cè)電路、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等組成。2 電力變換的種類(lèi)(1)交流變直流ACDC:整流(2)直流變交流DCAC:逆變(3)直流變直流DCDC:一般通過(guò)直流斬波電路實(shí)現(xiàn)(4)交流變交流ACAC:一般稱(chēng)作交流電力控制3 電力電子技術(shù)分類(lèi):分為電力電子器件制造技術(shù)和變流技術(shù)。第2章 電力電子器件1 電力電子器件與主電路的關(guān)系(1)主電路:指能夠直接承擔(dān)電能變換或控制任務(wù)的電路。(2)檢測(cè)主電路中的信號(hào)并送入控制電路,根據(jù)這些信號(hào)并按照系統(tǒng)工作要求形成電力電子器件的工作信號(hào)。如SCR晶閘管。如電力二極管。如MOSFET、IGBT。如SCR、GTO、GTR。晶閘管的導(dǎo)通工作原理(1)當(dāng)AK間加正向電壓,晶閘管不能導(dǎo)通,主要是中間存在反向PN結(jié)。 晶閘管是半控型器件的原因(1)晶閘管導(dǎo)通后撤掉外部門(mén)極電流,但是NPN基極仍然存在電流,由PNP集電極電流供給,電流已經(jīng)形成強(qiáng)烈正反饋,因此晶閘管繼續(xù)維持導(dǎo)通。(2)當(dāng)晶閘管承受正向電壓時(shí),僅在門(mén)極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才能導(dǎo)通。(2)GTO與普通晶閘管的不同點(diǎn):GTO是一種多元的功率集成器件,其內(nèi)部包含數(shù)十個(gè)甚至數(shù)百個(gè)供陽(yáng)極的小GTO元,這些GTO元的陰極和門(mén)極在器件內(nèi)部并聯(lián)在一起,正是這種特殊結(jié)構(gòu)才能實(shí)現(xiàn)門(mén)極關(guān)斷作用。(4)通過(guò)AK間施加反向電壓同樣可以保證GTO關(guān)斷。(2)電力MOSFET是單極型電壓驅(qū)動(dòng)器件,其優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)速度快、所需驅(qū)動(dòng)功率小,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單。(2)IGBT由MOSFET和GTR組合而成。② 單相半波可控整流電路:如上半波整流,同時(shí)電路中采用了可控器件晶閘管,且交流輸入為單相,因此為單相半波可控整流電路。② VT1 和VT4組成一對(duì)橋臂,VT2 和VT3組成一對(duì)橋臂。l 電流從a點(diǎn)經(jīng)VT1 、R、VT4流回b點(diǎn)。④ :l 在角度時(shí),給VT2 和VT3加觸發(fā)脈沖,此時(shí)b點(diǎn)電壓高于a點(diǎn),VT2 和VT3承受正向電壓,因此可靠導(dǎo)通。(3)全波整流在交流電源的正負(fù)半周都有整流輸出電流流過(guò)負(fù)載,因此該電路為全波整流。 帶阻感負(fù)載的工作情況(1)單相橋式全控整流電路帶阻感負(fù)載時(shí)的原理圖(2)單相橋式全控整流電路帶阻感負(fù)載時(shí)的波形圖l 分析時(shí),假設(shè)電路已經(jīng)工作于穩(wěn)態(tài)下。l 為一水平線。l 由于VT2 和VT3的導(dǎo)通,使VT1 和VT4承受反向電壓而關(guān)斷。④ :l 雖然二次電壓已經(jīng)過(guò)零點(diǎn)變正,但因大電感的存在使VT2 和VT3持續(xù)導(dǎo)通。(5)晶閘管承受電壓:正向:;反向: 帶反電動(dòng)勢(shì)負(fù)載時(shí)的工作情況(1)單相橋式全控整流電路帶反電動(dòng)勢(shì)負(fù)載時(shí)的原理圖① 當(dāng)負(fù)載為蓄電池、直流電動(dòng)機(jī)的電樞(忽略其中的電感)等時(shí),負(fù)載可看成一個(gè)直流電壓源,即反電動(dòng)勢(shì)負(fù)載。② :l 在角度時(shí),說(shuō)明VT1 和VT4已經(jīng)開(kāi)始承受反向電壓關(guān)斷。② 變壓器二次側(cè)接成星形,以得到零線。① :a相電壓最高,則VD1導(dǎo)通,VD2和VD3反壓關(guān)斷。⑤ 自然換向點(diǎn):在相電壓的交點(diǎn)、處,出現(xiàn)二極管換相,即電流由一個(gè)二極管向另一個(gè)二極管轉(zhuǎn)移,這些交點(diǎn)為自然換向點(diǎn)。② :l b相電壓最高,VT2開(kāi)始承受正壓,在時(shí)刻觸發(fā)導(dǎo)通,而VT3和VT1反壓關(guān)斷。(4)三相半波可控整流電路帶電阻負(fù)載時(shí)的波形圖()定義:時(shí)刻為自然換向點(diǎn)后,和時(shí)刻依次間距。l 這樣,原來(lái)已經(jīng)導(dǎo)通的VT1仍然承受正向電壓()而持續(xù)導(dǎo)通。l ,VT1承受a點(diǎn)c點(diǎn)間電壓,即。② :l a相電壓過(guò)零變負(fù)(),而使VT1承受反壓關(guān)斷,而VT2(未觸發(fā)導(dǎo)通)和VT3仍為關(guān)斷。② 當(dāng)時(shí),負(fù)載電流處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài),各相仍導(dǎo)電。② 時(shí),整流電壓平均值(負(fù)載電流斷續(xù)):ll 當(dāng)時(shí),最小。② 當(dāng)時(shí),整流電壓波形與電阻負(fù)載時(shí)相同,因?yàn)閮煞N負(fù)載情況下,負(fù)載電流均連續(xù)。l 。l 。④ 結(jié)合上述分析,三相半波可控整流電路帶阻感負(fù)載時(shí)角的移相范圍為。(3)陽(yáng)極連接在一起的3只晶閘管(VTVTVT2)稱(chēng)為共陽(yáng)極組,處于橋臂下端。(2)波形圖分析① 階段Ⅰ:l a相電壓最大,b相電壓最小,觸發(fā)導(dǎo)通VT1(事實(shí)上,VT6已經(jīng)導(dǎo)通)l 。l 。l 。② 每個(gè)時(shí)刻均需2
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