微機接口第四章ppt課件-wenkub.com
2025-01-02 10:32 本頁面
【正文】 amp。 74LS138譯碼器的輸入端 C， B， A分別連地址線 A16~A14， A0、 BHE用來作為偶體 /奇體存儲器的體選控制信號 。 表 BHE和 A0組合的對應(yīng)操作 BHE A0 數(shù)據(jù)讀 /寫格式 使用數(shù)據(jù)線 需要的總線周期 0 0 從偶地址讀 /寫一個字 AD15~AD0 一個總線周期 1 0 從偶地址讀 /寫一個字節(jié) AD7~AD0 一個總線周期 0 1 從奇地址讀 /寫一個字節(jié) AD15~AD8 一個總線周期 0 1 1 0 從奇地址讀 /寫一個字 先讀 /寫字的低 8位（在奇體中） 再讀 /寫字的高 8位（在偶體中） AD15~AD8 AD7~AD0 兩個總線周期 2. 連接舉例： 要求用 4K 8的 EPROM芯片 2732， 8K 8的 RAM芯片 6264， 譯碼器 74LS138構(gòu)成 8K字 ROM和 8K字 RAM的存儲器系統(tǒng) ， 如圖 ， 系統(tǒng)配置為最小模式 。 (2) 奇數(shù)存儲體與 8086中 D8～ D15相連。 2732 (1) 2732 (4) 2732 (2) 2732 (3) CE CE CE CE Y0 Y1 Y2 Y3 G1 G2A G2B C B A M/IO A17 A16 A14 A13 A12 A11~A0 芯片 A19 ~ A15 A14~A12 A11 ~ A0 一個可用地址范圍 1 00 000 全 0~全 1 00000~00FFFH 2 00 001 全 0~全 1 01000~01FFFH 3 00 010 全 0~全 1 02022~02FFFH 4 00 011 全 0~全 1 03000~03FFFH 圖 部分譯碼 1. 8086存儲器組織 存儲器中 ， 任何兩相鄰的字節(jié)被定義一個字 ， 構(gòu)成字的兩個字節(jié)都有各自的字節(jié)地址 。 關(guān)于部分譯碼法例題見后面內(nèi)容。單片 2764（ 8K 8位，EPROM）在高位地址 A19~A13=0000110時被選中 。前一例采用門電路譯碼，后例采用 3~8譯碼器譯碼。 全譯碼法中，對剩余的全部高位地址線進行譯碼稱為 全譯碼法。 片選信號產(chǎn)生的方法 另一種常用的線選法是用高位地址的 每一根線 去分別控制各組芯片的片選端 。 2. 存儲器芯片的選擇 (片選 ) CPU對存儲器操作時，先進行片選，再從選中芯片中根據(jù)地址譯碼選擇存儲單元進行數(shù)據(jù)的存取。 (3) 選用存儲器芯片的類型和數(shù)量。 一般選高速存儲器 ， 避免需要在 CPU有關(guān)時序中插入 TW， 降低 CPU速度 ， 增加 WAIT信號產(chǎn)生電路 。 存儲器與 CPU的接口技術(shù) 數(shù)據(jù)總線 控制總線 CPU 地址總線 存 儲 器 圖 CPU與存儲器連接示意圖 一、存儲器與 CPU的連接 (一 ) 存儲器與 CPU連接時應(yīng)注意問題 1. CPU總線的負載能力。 特點： (3) 可直接執(zhí)行 由于省去了從磁盤到 RAM的加載步驟，查詢或等待時間僅決定于閃速存儲器，用戶可充分享受程序和文件的高速存取以及系統(tǒng)的迅速啟動。 ※ 閃速存儲器可以被擦除和重新編程幾十萬次而不會失效。 E2PROM的另一個優(yōu)點是 擦除可以按字節(jié)分別進行 （ 不像 EPROM擦除時把整個片子的內(nèi)容全變?yōu)?“ 1”） 。 Intel2764 芯 片 是 一 塊 8K 8bit 的EPROM芯片 ， 如圖所示： 允許輸出和片選邏輯 CE A0~A12 Y譯碼 X譯碼 輸出緩沖 Y門 8K?8位 存儲矩陣 … OE 數(shù)據(jù)輸出 ... (3) E2PROM電可擦除。 編程時 ， 通過字線選中某個晶體管 。 (2) 用戶根據(jù)自己需要對其進行設(shè)置 (編程 )。 A5 A6 A7 A8 A9 A0 A1 A2 A3 A4 VCC …… … 圖 復(fù)合譯碼的 MOS ROM電路 雙極型 ROM電路 雙極型 ROM的速度比 MOS ROM快，它的取數(shù)時間約為幾十 ns，可用于速度要求較高的微機系統(tǒng)中。 R R R R VCC 1 2 3 4 字線 位 4 位 3 位 2 位 1 輸出數(shù)據(jù)數(shù) 圖 二極管 ROM 二極管 ROM陣列 4 3 2 1 位 字 1 2 3 4 0 0 0 0 1 0 1 1 0 1 0 1 1 0 1 1 用 MOS三極 管取代二極管便構(gòu)成了 MOS ROM陣列 字線 1 字線 2 字線 3 字線 4 字 地 址 譯 碼 器 VDD D4 D3 D2 D1 A1 A0 00 01 10 11 位線1 位線2 位線3 位線4 4 3 2 1 位 字 1 2 3 4 0 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 0 0 D4 D3 D2 D1 圖 MOS管 ROM陣列 從二極管 ROM和 MOS ROM的介紹可知，這種存儲矩陣的內(nèi)容完全取決于芯片制造過程，而一旦制造好以后，用戶是無法變更的。 (2) 用于產(chǎn)品批量生產(chǎn)。 輸出電路 Y 譯碼 存儲矩陣 X 譯 碼 控 制 邏 輯 地 址 碼 利用外接多路開關(guān) ， 先由行選通信號 RAS選通 8位行地址并鎖存 。 (2) 集成度高 ， 功耗低 。因此，共需地址線 13條，即 A12~A0；數(shù)據(jù)線 8條即 I/O8~I/O WE、 OE、 CECE2的共同作用決定了 SRAM 6264
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