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正文內(nèi)容

儀器分析武漢大學(xué)第二章原子發(fā)射光譜分析法eas(4)-wenkub.com

2024-10-16 10:07 本頁面
   

【正文】 作圖的方法 。 。ti1 S2 =γ 2lgH2 – i2 =γ 2 lgI2 4. 內(nèi)標(biāo)線及分析線自吸要小 。 設(shè)分析線和內(nèi)標(biāo)線的強度分別為 I1和 I2, 則 I1 = a1 C1b1 I2 = a2 C2b2 當(dāng)內(nèi)標(biāo)元素的含量一定時, C2為常數(shù);又當(dāng)內(nèi)標(biāo)線無自吸時, b2=1 此時 , I2 = a2 分析線對的強度可表示為: I1/I2 = a Cb 取對數(shù)后 , 得到 : log R = log( I1/I2) = b log C + log a 此為內(nèi)標(biāo)法定量分析的基本公式 。3. 哈維法 在激發(fā)條件一定 ,譜線自吸可以忽略的 情況下 。 使用內(nèi)標(biāo)法必須具備下列條件: 和電離電位 。 5. 分析線和內(nèi)標(biāo)線附近的背景應(yīng)盡 量小 。ti2 在同一塊的同一條譜帶上 , 曝光時間相等 , 即
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