集成電路封裝芯片互連技術研究畢業(yè)論-wenkub.com
2025-06-03 12:04 本頁面
【正文】 高密度封裝具有多學科交叉的特點，而封裝的一項重要技術，即集成電路封裝芯片互聯(lián)技 術， 包括倒裝芯片 (ili p ch ip ,FC )凸點制備 /轉移技術 !導電膠高密度互連技術 ， 疊層芯片封裝技術及封裝可靠性等方面，從來也一直是國內國際電子的一個主要研究方向。正是由此，如今對于電子的研究從未減少投入，更是從未間斷。 TS V 被稱為第四代封裝技術 , 其在高度方向的堆疊密度最大 , 產(chǎn)品外形尺寸最小 ,極大地改善了芯片的速度并降低功耗。 倒裝芯片鍵合技術 其他焊接方法 ： 環(huán)氧樹脂光固化倒裝焊接法（利用光敏樹脂固化時產(chǎn)生的收縮力將凸點和基板上金屬焊區(qū)互連在一起）；各向異性導電膠倒裝焊接法。 凸點下金屬層 (UBM)： 芯片上的凸點，實際上包括凸點及處在凸點和鋁電極之間的多層金屬膜 (Under Bump Metallurgy)，一般稱為凸點下 金屬層，主要起到粘附和擴散阻擋的作用。引線再鍵合到觸突上 , 通過觸突與鋁搭接片電接觸與芯片內部電路相電連接。 用 金作為緩沖觸突的材料 , 提高了抗腐蝕性能 , 因為它軟 ( 99?99%含量 ) , 引線鍵合時起到緩沖應力的作用 , 防止搭接片或芯片的開裂。為了適應高密度的 I/ O 引線的要求 , TAB 技術中采用引線排全體同時一起鍵合連接。 TAB 技術是將芯片上的 I/ O 搭 接片用引線排與外界相連接的技術。內引線鍵合如圖所示。載帶的邊上有供傳輸帶用的齒孔。載帶的寬度為 8~ 70mm。引線鍵合過程如圖 1所示。引線鍵合前 ,先從金屬帶材上截取引線框架材料 (外引線 ) , 用熱壓法將高純 S i或 G e的半導體元件壓在引線框架上所選好的位置 , 并用導電樹脂如銀漿料在引線框架表面涂上一層或在其局部鍍上一層金 。根據(jù)集成功率模塊的特殊性 ,主要利用焊接工藝將焊料凸點、金屬柱等焊接在芯片的電極引出端 ,并與任一基板或芯片互連。由于封裝材料復雜性的不斷增加 ,半導體封裝技術也越來越復雜 ,封裝和工藝流程也越來越復雜。一些新型封裝材料和技術為創(chuàng)新型封裝設計鋪路領航，不斷改進產(chǎn)品性能。 北華航天工業(yè)學院論文 發(fā)展趨勢 據(jù)預測，未來 5年 IC產(chǎn)業(yè)結構將進一步得到優(yōu)化，芯片的設計、制造、封測形成較為均衡的產(chǎn)業(yè)結構，其比重將依次分別為 28％、 35％、 37％。產(chǎn)業(yè)鏈不夠完善，難以滿足國內設計和芯片制造發(fā)展的要求，需要持續(xù)穩(wěn)步擴大產(chǎn)業(yè)規(guī)模，加強技術創(chuàng)新，加快產(chǎn)品結構調整，加速人才培育，加大對外合作交流。 第 3章 常見芯片互連方法 ................................................... 5 引線鍵合技術 （ WB） ................................................... 5 載帶自動鍵合技術 （ TAB） .............................................. 6 倒裝芯片鍵合技術 （ FCB） .............................................. 7 小結 ................................................................. 7 第 4章 總結 ............................................................... 8 參考文獻 ..............................
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