【正文】 式子稱為穿透電流。*輸入特性曲線同二極管。* 輸出特性曲線(飽和管壓降，用UCES表示放大區(qū)發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。截止區(qū)發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。溫度升高，輸入特性曲線向左移動。溫度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。（簡化）hie輸出端交流短路時的輸入電阻，常用rbe表示；hfe輸出端交流短路時的正向電流傳輸 常用β表示；、VCC、Rb、Rc、CC2的作用。、不失真、能傳輸。比， *概念直流電流通的回路。*畫法電容視為開路。*作用確定靜態(tài)工作點(diǎn)*直流負(fù)載線由VCC=ICRC+UCE 確定的直線。*電路參數(shù)對靜態(tài)工作點(diǎn)的影響1）改變Rb ：Q點(diǎn)將沿直流負(fù)載線上下移動。2）改變Rc ：Q點(diǎn)在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動。3）改變VCC：直流負(fù)載線平移，Q點(diǎn)發(fā)生移動。*概念交流電流流通的回路*畫法電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。*作用分析信號被放大的過程。*交流負(fù)載線連接Q點(diǎn)和V CC’點(diǎn) V CC’= UCEQ+ICQR L’的直線。（1）截止失真*產(chǎn)生原因Q點(diǎn)設(shè)置過低*失真現(xiàn)象NPN管削頂，PNP管削底。*消除方法減小Rb，提高Q。（2）飽和失真*產(chǎn)生原因Q點(diǎn)設(shè)置過高*失真現(xiàn)象NPN管削底，PNP管削頂。*消除方法增大Rb、減小Rc、增大VCC。（1）Uopp是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。（2）范圍*當(dāng)（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ）時，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。*當(dāng)（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ）時，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。*當(dāng)（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。 （1）靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算（2）Q點(diǎn)在放大區(qū)的條件欲使Q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿足RB＞βRc。* 放大倍數(shù)* 輸入電阻* 輸出電阻 放大電路的等效電1．靜態(tài)分析射 路法2．動態(tài)分析 *電壓放大倍數(shù)在Re兩端并一電解電容Ce后輸入電阻在Re兩端并一電解電容Ce后* 輸出電阻 1．靜態(tài)分析2．動態(tài)分析 * 電壓放大倍數(shù)* 輸入電阻* 輸出電阻* 電壓放大倍數(shù)為正，且略小于1，稱為射極跟隨器，簡稱射隨器。* 輸入電阻高，輸出電阻低。第三章 場效應(yīng)管及其基本放大電路（JFET）（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）轉(zhuǎn)移特性曲線 UP截止電壓（MOSFET）分為增強(qiáng)型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號*NEMOS的輸出特性曲線* NEMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線式中，IDO是UGS=2UT時所對應(yīng)的iD值。* NDMOS的輸出特性曲線注意：uGS可正、可零、可負(fù)。轉(zhuǎn)移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結(jié)型場效應(yīng)管一致。 (表明場效應(yīng)管是電壓控制器件)EMOS 的跨導(dǎo)gm * 靜態(tài)分析動態(tài)分析若帶有Cs，則 * 靜態(tài)分析* 動態(tài)分析若源極帶有Cs，則* 靜態(tài)分析或* 動態(tài)分析第四章 多級放大電路；能有效地傳輸交流信號；體積小，成本低。但不便于集成，低頻特性差。，可以實(shí)現(xiàn)阻抗變換。體積大，成本高，無法采用集成工藝；不利于傳輸?shù)皖l和高頻信號。，便于集成。各級靜態(tài)工作點(diǎn)不獨(dú)立，互相有影響。存在“零點(diǎn)漂移”現(xiàn)象。*零點(diǎn)漂移當(dāng)溫度變化或電源電壓改變時，靜態(tài)工作點(diǎn)也隨之變化，致使uo偏離初始值“零點(diǎn)”而作隨機(jī)變動。 1．中頻段(fL≤f≤fH)波特圖幅頻曲線是20lgAusm=常數(shù)，相頻曲線是φ=180o。2．低頻段(f ≤fL)‘3．高頻段(f ≥fH)4．完整的基本共射放大電路的頻率特性1．下限頻率的估算2．上限頻率的估算 的頻 第五章 功率放大電路 導(dǎo)通角為360o，ICQ大，管耗大，效率低。ICQ≈0，導(dǎo)通角為180o，效率高，失真大。導(dǎo)通角為180o~360o，效率較高，失真較大。 216。 任意狀態(tài)：Uom≈Uim 216。 盡限狀態(tài)：Uom=VCCUCES 216。 理想狀態(tài)：Uom≈VCC Pc1m=% 在兩管交替時出現(xiàn)波形失真——交越失真(本質(zhì)上是截止失真)。216。 甲乙類雙電源互補(bǔ)對稱功率放大器OCL利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生偏置電壓。動態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算。216。 甲乙類單電源互補(bǔ)對稱功率放大器OTL電容 C2 上靜態(tài)電壓為VCC/2，并且取代了OCL功放中的負(fù)電源VCC。動態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算，只是用VCC/2代替。=β1β 2第六章 集成運(yùn)算放大電路，以減小零漂。(或共源)放大電路，以提高放大倍數(shù)。，為各級提供合適的靜態(tài)電流。 ↑→ iCiC2↑→ iEiE2 ↑→ uE↑→ uBEuBE2↓→ iBiB2↓→ iCiC2↓。Re對溫度漂移及各種共模信號有強(qiáng)烈的抑制作用，被稱為“共模反饋電阻”。2靜態(tài)分析1)計(jì)算差放電路IC 設(shè)UB≈0，則UE=－，得2)計(jì)算差放電路UCE ? 雙端輸出時? 單端輸出時(設(shè)VT1集電極接RL)對于VT1：對于VT2：1）差模電壓放大倍數(shù)? 雙端輸出 ?? 單端輸出時從VT1單端輸出 ：從VT2單端輸出 ：2）差模輸入電阻3）差模輸出電阻 ? 雙端輸出：? 單端輸出:當(dāng)uI在+Uim與Uim之間，運(yùn)放工作在線性區(qū)域 ： * 開環(huán)電壓放大倍數(shù) Aod→∞； * 差模輸入電阻 Rid→∞； * 輸出電阻 Ro→0；* 共模抑制比KCMR→∞； 1)運(yùn)放工作在線性區(qū): * 電路特征——引入負(fù)反饋* 電路特點(diǎn)——“虛短”和“虛斷”: “虛短”“虛斷”2)運(yùn)放工作在非線性區(qū)* 電路特征——開環(huán)或引入正反饋 * 電路特點(diǎn)——輸出電壓的兩種飽和狀態(tài): 當(dāng)u+u時，uo=+Uom當(dāng)u+兩輸入端的輸入電流為零: i+=i=0第七章 放大電路中的反饋＊開環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａ ＊閉環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａｆ ＊反饋深度－－－１＋ＡＦ ＊環(huán)路增益－－－ＡＦ：1．當(dāng)ＡＦ＞０時，Ａｆ下降，這種反饋稱為負(fù)反饋。2．當(dāng)ＡＦ＝０時，表明反饋效果為零。3．當(dāng)ＡＦ＜０時，Ａｆ升高，這種反饋稱為正反饋。4．當(dāng)ＡＦ＝－１時，Ａｆ→∞。放大器處于 “ 自激振蕩”狀態(tài)。二．反饋的形式和判斷。、直流或交直流。直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存 在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋 則為交、直流反饋。：反饋量取樣于輸出電壓；具有穩(wěn)定輸出電壓的作用。（輸出短路時反饋消失）電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。（輸出短路時反饋不消失）：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電流形式相疊加。Rs越大反饋效果越好。反饋信號反饋到輸入端）串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。Rs越小反饋效果越好。反饋信號反饋到非輸入端）：（1）假定某輸入信號在某瞬時的極性為正（用+表示），并設(shè)信號的頻率在中頻段。（2）根據(jù)該極性，逐級推斷出放大電路中各相關(guān)點(diǎn)的瞬時極性（升高用 + 表示，降低用 － 表示）。（3）確定反饋信號的極性。（4）根據(jù)Xi 與X f 的極性，確定凈輸入信號的大小。Xid 減小為負(fù)反饋；Xid 增大為正反饋。某反饋元件引入級間（本級）直流負(fù)反饋和交流電壓（電流）串聯(lián)（并聯(lián)）負(fù)反饋。 、輸出電阻*串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增加1+AF倍 *并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小1+AF倍 *電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小1+AF倍 *電流負(fù)反饋使輸出電阻增加1+AF倍 附加相移將負(fù)反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。若表示為幅值和相位的條件則為：第八章 信號的運(yùn)算與處理分析依據(jù)“虛斷”和“虛短” R2 =R1//Rf R2=R1//RfR4=R1//R2//R3//RfR1//R2//R3//R4=Rf//R5R1//R2//Rf=R3//R4//R5 第九章 信號發(fā)生電路(人為的直接引入正反饋)自激振蕩的平衡條件 : 即幅值平衡條件： 相位平衡條件：: 幅值條件 ：相位條件:、分類 正弦波振蕩器的組成(1)放大電路建立和維持振蕩。(2)正反饋網(wǎng)絡(luò)與放大電路共同滿足振蕩條件。(3)選頻網(wǎng)絡(luò)以選擇某一頻率進(jìn)行振蕩。(4)穩(wěn)幅環(huán)節(jié)使波形幅值穩(wěn)定，且波形的形狀良好。* 正弦波振蕩器的分類(1)RC振蕩器振蕩頻率較低,1M以下。(2)LC振蕩器振蕩頻率較高,1M以上。(3)石英晶體振蕩器振蕩頻率高且穩(wěn)定。