【總結(jié)】?影響導(dǎo)體電阻的因素有哪些?―→如何通過實驗探究?―→電阻定律的內(nèi)容和公式是什么?―→?一、影響導(dǎo)體電阻的因素?探究方案一:實驗探究?實驗?zāi)康模禾骄侩娮枧c導(dǎo)體的材料、橫截面積、長度之間的關(guān)系.?實驗方法:控制變量法.?實驗原理:串聯(lián)電路中電壓和電阻成.?實驗電路:如下圖所示
2024-11-12 19:03
【總結(jié)】試卷結(jié)構(gòu):一、選擇題(每小題2分,共30分)二、填空題(每空2分,共20分)三、簡答題(每小題10分,共20分)四、證明題(10分)(第六章)五、計算題(20分)(第五章)§鍺和硅的晶體結(jié)構(gòu)特征金剛石結(jié)構(gòu)的基本特征(重點)§半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶電子共有化運(yùn)動概念:原子組成晶體后,由于電子殼層的交疊,電子不再完全局限在某一
2025-06-07 16:48
【總結(jié)】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝天津工業(yè)大學(xué)光電器件1光電器件現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝天津工業(yè)大學(xué)光電器件2本章內(nèi)容?輻射躍遷與光的吸收?發(fā)光二極管?半導(dǎo)體激光?光
2025-01-14 10:23
【總結(jié)】1先進(jìn)生產(chǎn)計劃及調(diào)度(APS)在半導(dǎo)體制造業(yè)中面臨的挑戰(zhàn)和機(jī)遇張濤(英特爾,上海)/鄭力(清華,北京)’03IEEMAdvancedPlanning/Scheduling(APS)inSemiconductorManufacturing:ChallengesandOpportunitiesMikeZHANG(Inte
2025-02-28 11:58
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wa
2025-03-01 04:33
【總結(jié)】一、填充題1.兩種不同半導(dǎo)體接觸后,?費(fèi)米能級較高的半導(dǎo)體界面一側(cè)帶正電達(dá)到熱平衡后兩者的費(fèi)米能級相等。2.半導(dǎo)體硅的價帶極大值位于空間第一布里淵區(qū)的中央,其導(dǎo)帶極小值位于【100】,因此屬于間接帶隙半導(dǎo)體。3.晶體中缺陷一般可分為三類:點缺陷,如空位間
2025-01-14 18:45
【總結(jié)】半導(dǎo)體物理習(xí)題解答(河北大學(xué)電子信息工程學(xué)院席礪莼)1-1.(P32)設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格,導(dǎo)帶極小值附近能量Ec(k)和價帶極大值附近能量Ev(k)分別為:Ec(k)=+和Ev(k)=-;m0為電子慣性質(zhì)量,k1=1/2a;a=。試求:①禁帶寬度;②導(dǎo)帶底電子有效質(zhì)量;③價帶頂電子有效質(zhì)量;④價帶頂電子躍遷到導(dǎo)帶底時準(zhǔn)動量的變化。[解]①禁帶寬度
2025-01-14 18:50
【總結(jié)】上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院半導(dǎo)體器件物理第一章半導(dǎo)體特性上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院第1章半導(dǎo)體特性半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶半導(dǎo)體中的雜質(zhì)與缺陷載流子的運(yùn)動非平衡載流子習(xí)題上海電子信息職業(yè)
2025-01-13 12:12
【總結(jié)】noneguilibriumcarriersG-R(非平衡載流子的產(chǎn)生與復(fù)合)Chapter5NoneguilibriumCarriers(非平衡載流子)產(chǎn)生率G復(fù)合率R如果在外界作用下,平衡條件破壞,偏離了熱平衡的狀態(tài)非平衡狀態(tài)。外界作用光
2025-05-06 12:47
【總結(jié)】半導(dǎo)體物理與器件第四章第二講邱偉彬§非本征半導(dǎo)體?非本征半導(dǎo)體:摻入定量的特定的雜質(zhì)原子(施主或受主),從而熱平衡電子和空穴濃度不同于本征載流子濃度的半導(dǎo)體材料。–摻入的雜質(zhì)原子會改變電子和空穴的分布。費(fèi)米能級偏離禁帶中心位置。–摻入施主雜質(zhì),雜質(zhì)電離形成導(dǎo)帶電子和正電中心(施主離子),而不產(chǎn)生空穴
2025-01-06 14:50
2025-06-07 17:02
【總結(jié)】導(dǎo)體,絕緣體和半導(dǎo)體物體的導(dǎo)電能力,一般用材料電阻率的大小來衡量。電阻率越大,說明這種材料的導(dǎo)電能力越弱。表1-1給出以電阻率來區(qū)分導(dǎo)體,絕緣體和半導(dǎo)體的大致范圍。物體電阻率導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體Ω·CM10e9
2025-01-13 12:26
【總結(jié)】第八章發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器●輻射復(fù)合與非輻射●LED的基本結(jié)構(gòu)和工作過程●LED的特性參數(shù)發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器-五族化合物中觀察到輻射復(fù)合PN結(jié)發(fā)光1962年砷化鎵發(fā)光二極管和激光器研制成功1970年砷化鎵-鋁鎵砷激光器實現(xiàn)室溫連續(xù)引言發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器
2025-05-06 12:46
【總結(jié)】Chapter2BasicPropertiesofBipolarJunctionTransistorsFundamentalofSemiconductorDevices第二章雙極結(jié)型晶體管基本特性Chapter
2025-04-29 04:52
【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體二極管內(nèi)容簡介本章首先介紹半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能和特點,進(jìn)而從原子結(jié)構(gòu)給與解釋。先討論P(yáng)N結(jié)的形成和PN結(jié)的特性,然后介紹半導(dǎo)體二極管特性曲線和主要參數(shù)。分析這些管子組成的幾種簡單的應(yīng)用電路,最后列出常用二極管參數(shù)及技能訓(xùn)練項目。知識教學(xué)目標(biāo)??,掌握PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦裕??、伏安特性和主要參數(shù);?
2025-04-17 00:00