【正文】 rphous Silicon 解釋?zhuān)汗璧囊环N同素異形體，它的原子間的晶格網(wǎng)絡(luò)呈無(wú)序排列，不存在晶體硅的延展性晶格結(jié)構(gòu)。無(wú)定形硅中的部分原子含有懸空鍵(dangling bond)，雖然可以被氫所填充，但在光的照射下，氫化無(wú)定形硅的導(dǎo)電性能將會(huì)顯著衰退。：分布式光伏系統(tǒng)英文：Distributed PV Systems 解釋?zhuān)盒⌒湍K化、分散式、布置在用戶(hù)附近的，依靠光伏組件發(fā)電的電力系統(tǒng)。：分流電阻/并聯(lián)電阻英文：Shunt Resistance 解釋?zhuān)涸谔?yáng)能電池等效電路中，并聯(lián)于電池兩端的漏電阻。該電阻會(huì)分流掉部分光電流，因此并聯(lián)電阻越大越好：封裝英文：Encapsulation 解釋?zhuān)褐笇⒁鸦ヂ?lián)的電池通過(guò)層壓密封到電池組件里。封裝可以實(shí)現(xiàn)電池組件防水，防潮，并且增強(qiáng)電池的機(jī)械性能。：峰瓦英文：Peak Watts 解釋?zhuān)航M件在理想的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下的輸出功率，該功率值也是組件的額定功率。：峰值日照小時(shí)數(shù)英文：Peak Sun Hours 解釋?zhuān)哼@是一個(gè)等效概念，表征一天中太陽(yáng)的輻射總能量。數(shù)值上等于一天中太陽(yáng)的總輻射能量(千瓦時(shí)/平方米)除以1 千瓦/平方米：伏安特性曲線英文：IV Curve 解釋?zhuān)河脕?lái)表征電子器件的在外部電壓偏置的情況下電流隨外部變壓變化的特性曲線。：復(fù)合英文：Rembination解釋?zhuān)河址Q(chēng)為載流子復(fù)合，是指半導(dǎo)體中的載流子（電子和空穴）成對(duì)消失的過(guò)程。：復(fù)合損失英文：Rebination Loss解釋?zhuān)涸诒浑姌O收集之前 電子與空穴的復(fù)合使電能流失。：副柵線英文：Fingers解釋?zhuān)禾?yáng)能電池的電極的一部分，用于收集積累于電池表面的電荷從而形成外電路電流。副柵線通常由絲網(wǎng)印刷金屬漿料或者電鍍金屬形成，寬度小于130微米，與主柵（bus bar）相連。G ：跟蹤英文：Tracking 解釋?zhuān)涸陔姵亟M件上安裝智能的制動(dòng)系統(tǒng)使組件始終朝向太陽(yáng)以獲得最大輻射量：光捕獲/光陷阱英文：Light Trapping 解釋?zhuān)和ㄟ^(guò)散射與折射使光進(jìn)入電池后就被限制在電池內(nèi)部傳播直至大部分被完全吸收：光伏效應(yīng) 英文：Photovoltaic Effect 解釋?zhuān)褐冈诠庹占ぐl(fā)下的半導(dǎo)體或半導(dǎo)體與金屬組合的部位間產(chǎn)生電勢(shì)差的現(xiàn)象。由于材料內(nèi)部的參雜不均勻，在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下，受到激勵(lì)的電子和失去電子的空穴向相反方向移動(dòng)，而形成了正負(fù)兩級(jí)。此效應(yīng)最早于1839年由法國(guó)物理學(xué)家亞歷山大埃德蒙貝克勒爾發(fā)現(xiàn)。：光譜響應(yīng)英文：Spectral Response 解釋?zhuān)褐鸽姵貙?duì)不同波長(zhǎng)的單色光的響應(yīng)。通常以量子效率來(lái)呈現(xiàn)這種響應(yīng)。：光學(xué)損失英文：Optical Loss 解釋?zhuān)喝肷涔庥捎谑艿诫姵氐谋砻娣瓷?，電極遮擋等因素影響而無(wú)法在電池中激發(fā)載流子形成的損失。通過(guò)光陷阱的設(shè)計(jì)和對(duì)電極遮擋的優(yōu)化可以有效減少光學(xué)損失。：光照強(qiáng)度英文：Light Intensity 解釋?zhuān)簡(jiǎn)挝幻娣e接收到的光照功率，單位是 瓦/平方米：光子英文：Photon 解釋?zhuān)菏莻鬟f電磁相互作用的基本粒子，也是電磁輻射的載體。光子具有波利二象性：既能表現(xiàn)經(jīng)典波的折射、干涉和衍射等性質(zhì)，作為粒子性的光子只能傳遞量子化的能量，即： E=hv，其中h是普朗克常數(shù)，v是光波的頻率。：光伏建筑一體化英文：Building Integrated PV(BIPV)解釋?zhuān)菏鞘褂锰?yáng)能光伏材料取代傳統(tǒng)建筑材的一種應(yīng)用方式，通常利用天窗和外墻是作為最大的接光面，使建筑物本身能夠?yàn)樽陨硖峁┠茉?，可以部分或全部供?yīng)建筑用電，而不必用外加方式加裝太陽(yáng)能板。由于在建筑設(shè)計(jì)階段提前規(guī)劃，所以發(fā)電率和成本比值最佳。H ：耗盡區(qū)/耗盡層英文：Depletion Region 解釋?zhuān)褐冈赑N節(jié)中P型與N型的交界面周?chē)膮^(qū)域，通常有幾個(gè)微米寬。由于該區(qū)域內(nèi)建電場(chǎng)的存在，多數(shù)載流子被排斥而形成耗盡區(qū)。J ：激光刻槽埋柵太陽(yáng)能電池英文：Laser Ｇrooved, Buried Ｃontact Ｓolar Cells 解釋?zhuān)河尚履贤柺看髮W(xué)研究中心開(kāi)發(fā)的電極設(shè)計(jì)。激光刻槽使副柵線深埋入電池，在減少電極遮光的同時(shí)保持良好的導(dǎo)電。：寄生電阻英文：Parasitic Resistance 解釋?zhuān)弘姵卮?lián)電阻與并聯(lián)電阻的總稱(chēng)。：價(jià)帶 英文：Valence Band 解釋?zhuān)和ǔＪ侵赴雽?dǎo)體中在絕對(duì)零度下能被電子占滿(mǎn)的最高能帶。全充滿(mǎn)的價(jià)帶中的電子不能在固體中自由運(yùn)動(dòng)。：交錯(cuò)背接觸電池英文：Interdigitated Back Contact(IBC)Cell 解釋?zhuān)弘姵氐恼?fù)極接觸都在背面，并且相互交叉，其結(jié)構(gòu)如圖所示。：減反膜英文：Antireflection Coating 解釋?zhuān)涸陔姵乇砻驽兩系谋∧?，它使入射光由于干涉相消而減少反射率，理想情況下，單層減反膜可使一個(gè)特定波長(zhǎng)的光的反射率降為零：金屬化（形成電極）英文：Metallisation 解釋?zhuān)涸陔姵氐恼砻婊虮潮砻嫔霞由辖饘偈闺姵匦纬呻姌O接觸 ：金字塔（表面制絨結(jié)構(gòu)）英文：Pyramids 解釋?zhuān)簤A溶液對(duì)單晶硅的腐蝕是各項(xiàng)異性的，在制絨過(guò)程中單晶硅的特定晶面會(huì)暴露出來(lái)，使得制絨后的硅表面出現(xiàn)數(shù)微米高的金字塔：禁帶英文：Forbidden Gap 解釋?zhuān)涸谀軒ЫY(jié)構(gòu)中能態(tài)密度為零的能量區(qū)間。常用來(lái)表示價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的能態(tài)密度為零的能量區(qū)間。：?jiǎn)尉Ч?晶體硅英文：Crystalline Silicon/Monocrystalline Silicon 解釋?zhuān)汗璧膯尉w，具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)，純度高。：接觸電阻英文：Contact Resistance解釋?zhuān)褐鸽娏髁鬟^(guò)半導(dǎo)體與電極金屬界面所克服的電阻。該電阻是電池總串聯(lián)電阻的一部分：間接帶隙半導(dǎo)體英文：Indirect Bandgap semiconductor解釋?zhuān)褐赴雽?dǎo)體的能帶圖上導(dǎo)帶底與價(jià)帶頂不在同一動(dòng)量上。需要光子與聲子共同作用來(lái)激發(fā)電子孔穴對(duì)。硅就是常見(jiàn)的間接帶隙半導(dǎo)體：聚光光伏英文：Concentrator PV(CPV)解釋?zhuān)和ㄟ^(guò)光學(xué)器件將太陽(yáng)光聚集到電池表面，等效于太陽(yáng)能電池有了更大的受光面積K ：開(kāi)路電壓英文：Open Circuit Voltage(Voc)解釋?zhuān)弘姵毓庹障虏⑶译娐诽幱陂_(kāi)路狀態(tài)時(shí)，正負(fù)電極之間產(chǎn)生的電勢(shì)差。開(kāi)路電壓衡量了電池可以達(dá)到的最高電壓。：擴(kuò)散英文：Diffusion 解釋?zhuān)菏橇Ｗ油ㄟ^(guò)隨機(jī)運(yùn)動(dòng)從高濃度區(qū)域向低濃度區(qū)域的網(wǎng)狀的傳播。在光伏應(yīng)用中，擴(kuò)散用于向襯底中參雜施主或受主原子以形成pn結(jié)或高低結(jié)：擴(kuò)散長(zhǎng)度/載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度英文：Diffusion Length 解釋?zhuān)喊雽?dǎo)體中載流子在復(fù)合前平均移動(dòng)的距離。與少子壽命及擴(kuò)散系數(shù)成正比，一般擴(kuò)散長(zhǎng)度越長(zhǎng)材料的質(zhì)量越高。L ：理想二極管定律英文：Ideal Diode Law 解釋?zhuān)弘姵卦跓o(wú)光照情況下的電流電壓關(guān)系滿(mǎn)足如下理想二極管公式 I=I_0*(exp(qV/kT)1)：理想因子英文：Ideality Factor 解釋?zhuān)河糜诿枋鲭姵氐刃щ娐纺Ｐ椭械亩O管和理想二極管的接近程度。由于理想二極管方程有一些前提假設(shè)，而實(shí)際二極管會(huì)因一些二階效應(yīng)的影響表現(xiàn)出與理想二極管不同，理想因子被用于表征這種差異。：硫化（蓄電池）英文：Sulfation 解釋?zhuān)河捎陂L(zhǎng)期處在低充電量狀態(tài)下，蓄電池電極出現(xiàn)硫酸鉛晶體的現(xiàn)象稱(chēng)為硫化。硫化會(huì)使電池容量及充放電效率降低。M ：漫射輻射英文：Diffuse Radiation 解釋?zhuān)和ǔＶ戈幪鞐l件下的太陽(yáng)光輻射，其特點(diǎn)是輻射能量沿各個(gè)方向傳播且光強(qiáng)低。：冥王星電池英文：Pluto solar cells 解釋?zhuān)河缮械码娏χ鲗?dǎo)研發(fā)的一種高效率太陽(yáng)能電池。它具備激光參雜，選擇性發(fā)射級(jí)，以及背表面局部接觸等特點(diǎn)。2012年初，%。N ：N 型（半導(dǎo)體）英文：Ｎtype(semiconductor)解釋?zhuān)涸诎雽?dǎo)體中由于摻入施主元素而使得電子成為半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子。常用來(lái)制成N型半導(dǎo)體的施主元素為磷：逆變器英文：Inverter 解釋?zhuān)河址Q(chēng)變流器、反流器，或稱(chēng)反用換流器、電壓轉(zhuǎn)換器，是一個(gè)利用高頻電橋電路將直流電變換成交流電的電子器件，其目的與整流器相反。P ：PN 結(jié)英文：pn junction 解釋?zhuān)篜型與N型半導(dǎo)體相接處形成的特殊界面。由于內(nèi)建電場(chǎng)存在，電流容易從P型流向N型，反之則困難。太陽(yáng)能電池利用PN節(jié)將被光激發(fā)的少數(shù)載流子從PN節(jié)的一端遷移到另一端：P 型（半導(dǎo)體）英文：ptype(semiconductor)解釋?zhuān)涸诎雽?dǎo)體中由于摻入受主元素而使得空穴成為半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子。常用來(lái)制成P型半導(dǎo)體的施主元素為硼：旁路二極管 英文：Bypass diode 解釋?zhuān)菏请姵亟M件中用于防止組件由于遮擋產(chǎn)生局部過(guò)熱而附加的安全器件。旁路二極管與其所保護(hù)的電池并聯(lián)，但是二極管極性與電池相反。R ：日照常數(shù)英文：Solar Constant 解釋?zhuān)簲?shù)值上等于峰值日照小時(shí)數(shù)，沒(méi)有單位。S ：砷化鎵英文：Gallium Arsenide 解釋?zhuān)河散驛族元素Ga和ⅤA族元素As化合而成的半導(dǎo)體材料。分子式為GaAs。，屬直接躍遷型能帶結(jié)構(gòu)。：失諧損失英文：Mismatch Losses 解釋?zhuān)喝绻M件中串聯(lián)的電池板輸出電流的不一致，則總電流受最小電流限制，因而造成功率損失。：死層英文：Dead Layer 解釋?zhuān)簠㈦s濃度過(guò)高的電池前表面參雜區(qū)域。這會(huì)導(dǎo)致表層載流子壽命顯著減少，電池對(duì)短波長(zhǎng)光譜反映嚴(yán)重衰減。T ：體電阻英文：Bulk Resistance 解釋?zhuān)弘娏髁鞔╇姵匾r底時(shí)所需克服的電阻。由電池的本底摻雜濃度決定：填充因子英文：Fill Factor 解釋?zhuān)憾x了電池最大輸出功率和開(kāi)路電壓與短路電流乘積的比值。在圖形上，填充因子描述了電池伏安特性曲線的“直方性”。填充因子越大，伏安曲線約接近于方形。：銅銦鎵硒薄膜電池英文：CuInxGa(1x)Se2(CIGS)解釋?zhuān)壕哂蟹€(wěn)定性好、抗輻照性能好、成本低、效率高等優(yōu)點(diǎn)。但也面臨三個(gè)主要的問(wèn)題：制程復(fù)雜，投資成本高；關(guān)鍵原料的供應(yīng)不足；緩沖層CdS具有潛在的毒性。：同質(zhì)節(jié)英文：Homojunctions 解釋?zhuān)篜N節(jié)兩端由同種半導(dǎo)體組成，例如晶硅太陽(yáng)能電池：太陽(yáng)光譜英文：solar spectrum 解釋?zhuān)禾?yáng)光在各個(gè)波長(zhǎng)的輻射能量分布。不同的太陽(yáng)光譜可能導(dǎo)致不同的電池效率，即使總光強(qiáng)一致。通常測(cè)試所用光譜的 X ：吸收系數(shù)英文：absorption coefficient 解釋?zhuān)何障禂?shù)決定了某一波長(zhǎng)的光在材料中被吸收前能穿透的深度。例如藍(lán)光在硅中的吸收系數(shù)高，所以藍(lán)光在穿透很薄的硅后就被吸收了：效率英文：efficiency 解釋?zhuān)河址Q(chēng)為光電轉(zhuǎn)換效率，是衡量電池質(zhì)量的最重要標(biāo)準(zhǔn)之一。電池效率由電池的最大輸出功率和輸入功率的比值決定。在標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件（STC）下，輸入功率為：1瓦每平方米 X 電池面積。Y ：異質(zhì)結(jié)英文：Heterojunctions 解釋?zhuān)篜N節(jié)兩端由不同的半導(dǎo)體組成Z ：載流子壽命英文：carrier lifetime 解釋?zhuān)菏且粋€(gè)等效概念，指載流子從產(chǎn)生到復(fù)合經(jīng)歷的平均時(shí)長(zhǎng)。載流子壽命高的材料通常能做出電壓更高的電池。：遮光英文：shading 解釋?zhuān)弘姵剡\(yùn)作時(shí)部分面積被遮擋而接收不到光照。：遮光損失英文：shading losses 解釋?zhuān)河捎谡诠獾絹?lái)的光電流乃至效率的損失：折射率英文：refractive index 解釋?zhuān)汉?jiǎn)單來(lái)說(shuō)，某材料的折射率表征光在真空中的速度與光在該材料中的速度之比率。：主柵線英文：busbars 解釋?zhuān)弘姵厥芄饷嫔陷^粗的導(dǎo)電電極。通常有兩三根貫穿整個(gè)電池，寬度幾毫米：阻流二極管 /阻滯二極管英文：blocking diode 解釋?zhuān)捍?lián)在組件上，阻止與之并聯(lián)的其它組件向其輸送電流的二極管：組件 英文：modules 解釋?zhuān)壕哂蟹庋b及內(nèi)部連接的、能單獨(dú)提供直流電輸出的、不可分割的太陽(yáng)能電池組合裝置。通常由太陽(yáng)能電池片、鋼化玻璃、EVA、透明TPT背板以及鋁合金邊框組成。：最大功率點(diǎn)英文：maximum power point 解釋?zhuān)褐鸽姵鼗蚪M件在特定光照條件下輸出功率最大的工作點(diǎn)：最大功率點(diǎn)跟蹤器英文：maximum power point tractor 解釋?zhuān)赫系焦夥到y(tǒng)電路中能自動(dòng)調(diào)整組件運(yùn)作電壓使其輸出功率達(dá)到最大的電子器件：載流子注入英文：carrier injection解釋?zhuān)褐付噙^(guò)剩流子的注入?？梢酝ㄟ^(guò)在電池上加正偏電壓或提供光照來(lái)實(shí)現(xiàn)：雜質(zhì)英文：Impurities解釋?zhuān)喊雽?dǎo)體中除了半導(dǎo)體材料本身以外的其它雜質(zhì)。：直接帶隙半導(dǎo)體英文：direct bandgap semiconductor解釋?zhuān)褐赴雽?dǎo)體的能帶圖上導(dǎo)帶底與價(jià)帶頂在同一動(dòng)量上。單一光子作用即可激發(fā)電子空穴對(duì)。砷化鎵是常見(jiàn)的直接帶隙半導(dǎo)體