【導(dǎo)讀】氣產(chǎn)品的生產(chǎn)、銷售。注冊資本為萬元。是一個(gè)朝氣蓬勃有強(qiáng)。特殊要求定造相應(yīng)產(chǎn)品，供貨能力極強(qiáng)。對企業(yè)銷售、市場發(fā)展趨勢和需求量進(jìn)行預(yù)測；規(guī)模，擬定合理工藝技術(shù)方案和設(shè)備選型；析，進(jìn)行不確定性分析，提出財(cái)務(wù)評價(jià)結(jié)論；大樓等建筑物，建筑面積為。項(xiàng)目年生產(chǎn)天數(shù)300天，勞動定員600人。的排放，以及噪聲的控制，均符合有關(guān)的排放標(biāo)準(zhǔn)。防范措施和工業(yè)衛(wèi)生防護(hù)措施。末全市總?cè)丝谌f人，其中城鎮(zhèn)人口萬人。率‰，死亡率‰，自然增長率‰。城市基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)完成投資108000萬元，增長23%。公路通車?yán)锍?，其中高速公路通車?yán)锍獭９仿每瓦\(yùn)輸量4142萬人次，比上年增長%。量12800萬元，增長1%；郵政業(yè)務(wù)總量萬元，

　　

【正文】 ，北和濟(jì)寧市鄒城市接壤。京滬鐵路、京福高速公路和京滬高速鐵路貫通境內(nèi)南北。全市總土地LED產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目 39 面積 1485 平方公里，境內(nèi)東西寬 45 公里，南北長 46 公里。 二、 氣候、氣象 滕州地處暖溫帶半濕潤地區(qū)南部，季風(fēng)型大陸性氣候明顯，大陸度為 %。四季分明，雨量充沛，光照充足 。年均日照 2383小時(shí)，年平均氣溫 ℃ ，年平均地溫 ℃ 。最熱月為 7 月，平均氣溫 ℃ ；最冷月為 1 月，平均氣溫 ℃ 。全年平均年降水量 毫米，年降水量最高為 毫米 (1964 年 )，最低為 毫米 (1981 年 )。年平均降水日為 ,平均降雪日數(shù) 7天。氣壓平均為 百帕。年平均風(fēng)速 米 /秒，主導(dǎo)風(fēng)向?yàn)闁|南風(fēng)，頻率為 12%。 三、交通 滕州區(qū)位優(yōu)越，交通便利， 104 國道、京福高速公路、京滬鐵路、京杭大運(yùn)河縱貫?zāi)媳保?8 條省級道路穿境而過，全市共有各類道路 2023 公里，硬化里程 1975 公里，實(shí)現(xiàn)全部行政村晴雨通車，形成了四通八達(dá)的公路、鐵路、水路交通網(wǎng)絡(luò)。方圓 200公里范圍內(nèi)有濟(jì)南、徐州、臨沂個(gè)機(jī)場。 公路通車?yán)锍?1983 公里，其中高速公路通車?yán)锍? 公里。全市擁有小型汽車 19029輛。村村通公路，村村通客車目標(biāo)已經(jīng)全部實(shí)現(xiàn)，路網(wǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。 四 、地形、地貌 xxxx 地處魯中南山區(qū)的西南麓延伸地帶，屬黃淮沖擊平原的一部分。地勢從東北向西南傾斜，依次為低山、丘陵、平原、濱湖。海拔最高點(diǎn) 米 (東郭鎮(zhèn)蓮青山 )，海拔最低點(diǎn) 米 (濱湖鎮(zhèn)湖東村 )，市駐地 海拔 米。低山丘陵區(qū)面積 454 平方公里，占全市總面積的 %；平原區(qū)面積 914 平方公里，占全市總面積的 %；濱湖區(qū)面積約 117 平方公里，占全市總面積的%。全市土壤總面積 公頃，分為 5 個(gè)土類、 12 個(gè)亞LED產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目 40 類、 22 個(gè)土屬、 90 個(gè)土種。褐土主要分布低山丘陵區(qū)，面積 萬公頃，占總面積的 %。潮土分布諸河流中下游、面積 公頃，占 %。棕壤分布山丘中下部、面積 10106 公頃，約占%。砂姜、黑土分布洼地、低平原地帶，面積 9684 公頃，占%。水稻土 分布湖洼地區(qū)，面積 308 公頃，占 %。滕州地層在全國屬華北地區(qū)型，在山東屬魯西底層分區(qū)的泰安地層小區(qū)與濟(jì)寧地層小區(qū)。地質(zhì)構(gòu)造以折皺和斷裂為主。境內(nèi)共有大小山頭 453 個(gè)，其中沙石山 130 個(gè)，青石山 323 個(gè)，最高峰為蓮青山摩天嶺，高 米，其次為龍山，主峰高 415 米，被稱為古滕八景之一的 谷翠雙峰 ，東峰高 400 米，西峰高 408 米，兩峰并起，其間洞壑玲瓏、虛谷相連。其他著名的山有小白山、染山、馬鞍山、谷山、吉山、孤山、南龍山、落鳳山等。全市有大小河流近 100 條，其中流域面積在 20 平方公里左右的 22 條 ， 100 平方公里以上的 5 條，較大的河流有界河、北沙河、城河、郭河、薛河。 五 、 自然資源 礦產(chǎn)資源 滕州是全國有名的能源基地、建材之鄉(xiāng)，境內(nèi)探明礦產(chǎn)資源30 余種，其中煤炭總儲量為 億噸，分布于 14 個(gè)鄉(xiāng)鎮(zhèn)，煤地層共含煤 1822 層，是全國重點(diǎn)煤炭開發(fā)基地，石灰石總儲量 5億噸，花崗巖 13 億噸，水泥年產(chǎn)量 600 萬噸。河沙資源豐富，全是黃沙，粒度均勻，雜質(zhì)少，表面積大，強(qiáng)度高，是很好的建筑材料。此外，鋁釩土、石英石、花崗巖、白云石、黑色膽石、螢石等也有一定的儲量。 生物資源 農(nóng)作物品種資源有 18 科 323 個(gè)品種，主要糧食作物有小麥、玉米、地瓜、高梁、谷子、小雜糧等，是全國著名的糧食精種高LED產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目 41 產(chǎn)基地。油料作物有花生、大豆、芝麻等。林果資源有 46 科 144種。盛產(chǎn)野生中藥材。動物資源有 62 科 145 種，主要飼養(yǎng)牛、羊、豬、兔、雞、鴨、鵝、鵪鶉、肉鴿等，是全國著名的青山羊基地。 土壤資源 滕州土壤總面積 萬畝，分為褐土、潮土、棕壤、砂姜黑土、水稻土 5 個(gè)土類、 12 個(gè)亞類、 22 個(gè)土屬、 90 個(gè)土種。 六、公用條件 水資源 滕州水資源豐富，地下水綜合補(bǔ)給量 億立方米，總儲量 億立方米，地下水可利用量 億立方米，是我國北方的富水區(qū)。滕州境內(nèi)河流屬淮河流域、京杭大運(yùn)河水系，大都發(fā)源于市東、北部的山丘地帶，由東北流向西南，注入微山湖。全市共有大小河道近 100 條，有的自成體系，單獨(dú)出境。其中流域面積在 20 平方公里的有 22 條， 100 平方公里以上的 6 條，多為老年性季節(jié)河道。主要河道有城河、郭河、界河、北沙河、薛河、小蘇河、小魏河、小龍河等。境內(nèi)泉水眾多，據(jù)明代縣志記有 18泉，清代記有 32 泉，著名的有荊泉、羊莊泉群、魏莊泉群、馬莊古泉。荊泉為市區(qū)居民和工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)的主要源泉。馬莊古泉位于濱湖鎮(zhèn)馬莊村東北，豐水期 日涌水量 4838 立方米，屬優(yōu)質(zhì)礦泉水，水中含有人體需要的多種微量元素。 電力 滕州是全國有名的能源基地、建材之鄉(xiāng)，境內(nèi)探明礦產(chǎn)資源30 余種，其中煤炭地質(zhì)儲量 49 億噸，年生產(chǎn)能力 3000 萬噸，是全國重點(diǎn)煤炭開發(fā)基地，石灰石儲量 28 億噸，花崗巖 13 億噸，水泥年產(chǎn)量 600 萬噸；電力充足，總裝機(jī)容量 萬千瓦 ,電網(wǎng)可供能力達(dá) 100 萬千瓦，年社會用電量達(dá) 億千瓦時(shí)，用電量多年來位于山東省縣級市前列，供熱總能力為 310 萬噸 /年。境內(nèi)水LED產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目 42 資源總量 7 億立方米，且緊靠儲水量 17 億立方米的微山湖，是北方有名的富水區(qū) 。 LED產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目 43 第六章 工藝技術(shù)方案 第一節(jié) 項(xiàng)目組成 本項(xiàng)目擬建在 xxxx，新增土地面積 79 畝， 能 滿足生產(chǎn)的基本需求，形成年產(chǎn) LED 磊晶產(chǎn)品 （自用 45KK）、 LED封裝產(chǎn)品 （自用 ）、 LED 燈具 820K 的生產(chǎn)能力。 項(xiàng)目組成 一覽 表 序號 工程類別 子項(xiàng)名稱 規(guī)模 備 注 1 生產(chǎn)項(xiàng)目 生產(chǎn)車間 面積： 21168m2 重工鉚焊車間 面積： 7056m2 2 公用工程 變電所 變壓器：2x2021kVA 3 服務(wù)性工程 辦公樓 面積： 3666m2 綜合樓 面積： 3666m2 研發(fā)大樓 面積： 第二節(jié) 生產(chǎn)技術(shù)方案 一、工藝流程圖 LED產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目 44 磊晶制程與說明 LED產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目 45 晶粒制程與說明 封裝制程與說明 LED產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目 46 燈具制程與說明 二、關(guān)鍵技術(shù) 說明 磊晶技術(shù)與工藝說明 LED 芯片有兩種基本結(jié)構(gòu)，橫向結(jié)構(gòu) (Lateral)和垂直結(jié)構(gòu)(Vertical)，如下圖。橫向結(jié)構(gòu) LED 芯片的兩個(gè)電極在 LED 芯片的同一側(cè)，電流在 n和 p類型限制層中橫向流動不等的距離。垂直結(jié)構(gòu)的 LED 芯片的兩個(gè)電極分別在 LED 外延層 的兩側(cè)，由于圖形化電極和全部的 p類型限制層作為第二電極，使得電流幾乎全部垂直流過 LED 外延層，極少橫向流動的電流，可以改善平面結(jié)構(gòu)的電流分布問題，提高發(fā)光效率，也可以解決 P 極的遮光問題，提升 LED 的發(fā)光面積。 制造垂直結(jié)構(gòu) LED 芯片技術(shù)主要有三種方法： (1)采用碳化硅 (SiC)基板生長 GaN 薄膜，優(yōu)點(diǎn)是在相同操作電流條件下，光衰少、壽命長，缺點(diǎn)是硅基板會吸光。 (2)利用芯片黏合及剝離技術(shù)制造。優(yōu)點(diǎn)是光衰少、壽命長，缺點(diǎn)是須對 LED 表面進(jìn)行處理以提高發(fā)光效率，以及芯片黏合和LED產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目 47 剝離工藝良率克服的問題。 (3)是采用異質(zhì)基板如硅基板成長氮化鎵 LED 磊晶層，優(yōu)點(diǎn)是散熱好、易加工，缺點(diǎn)是異質(zhì)外延成長工藝?yán)щy的克服。 生長在硅片上的垂直 GaN 基 LED 也有兩種結(jié)構(gòu)： (1)不剝離硅生長襯底：在導(dǎo)電硅生長襯底上層迭金屬反射層或?qū)щ?DBR 反射層，再生長氮化鎵基 LED 外延層在金屬反射層或?qū)щ?DBR 反射層上。 (2)剝離硅生長襯底：層迭金屬反射層在氮化鎵基 LED 外延層上，在金屬反射層上鍵合導(dǎo)電支持襯底，剝離硅生長襯底。 再簡單說明制造垂直氮化鎵基 LED 工藝流程：層迭反射層在氮化鎵基 LED 外延層上，在反射層上鍵合導(dǎo)電支持襯 底，剝離藍(lán)寶石生長襯底。導(dǎo)電支持襯底包括，金屬及合金襯底，硅襯底等。 Regular GaN LED VGaN LED 本項(xiàng)目 LED 芯片制程主要采用如下技術(shù)工藝進(jìn)行 垂直結(jié)構(gòu) LED 芯片的制造 (VGaN)：碳化硅 (SiC)基板生長GaN(氮化鎵 )薄膜、利用芯片黏合及剝離技術(shù)、采用異質(zhì)基板如硅基板成長氮化鎵 LED 磊晶層。其優(yōu)點(diǎn)是在相同操作電流條件下，光衰少、壽命長、散熱好、易加工等。此項(xiàng)技術(shù)工藝為了針對 LED 表面進(jìn)行處理以提 高發(fā)光效率、同時(shí)解決芯片黏合和剝離LED產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目 48 工藝及異質(zhì)外延成長工藝?yán)щy。 本項(xiàng)目所采用的技術(shù)和工藝制造的 LED，相比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu) LED有著較大的優(yōu)勢，具體表現(xiàn)在： (1)目前，所有顏色的垂直結(jié)構(gòu) LED：綠光 LED、藍(lán)光 LED及紫外光 LED，都可以制成通孔垂直結(jié)構(gòu) LED，有極大的應(yīng)用市場。 (2)所有的制造工藝都是在晶片 (wafer)水平進(jìn)行的。 (3)由于無需多打金線與外界電源相聯(lián)結(jié)，采用通孔垂直結(jié)構(gòu)的 LED 芯片的封裝的厚度降低。因此可以用于制造超薄型的器件，如背光源等。 此外本項(xiàng)目還將引入更多的 VGaN 工藝，包括電鍍 金屬材料的使用除了 Cu 外，也有采用 Ni、 In、 Au…等。透明導(dǎo)電層除使用 Ni/Au 或 ITO 外，也有采用 IZO、 ZnO…等。基板除使用 Si wafer或 Cu substrate 外，亦有使用具有彈性的 flexible substrate 再搭配ECA(elastic conductive adhesive)，讓 LED 更能廣泛的使用于應(yīng)用產(chǎn)品上。 LED 封裝技術(shù)與工藝說明 大功率 LED 封裝由于結(jié)構(gòu)和工藝復(fù)雜，并直接影響到 LED的使用性能和壽命，一直是近年來的研究熱點(diǎn)，特別是大功率白光 LED 封裝更是研究熱點(diǎn)中的熱 點(diǎn)。 LED 封裝的功能主要包括： (1)機(jī)械保護(hù) 。 以提高可靠性； (2)加強(qiáng)散熱 。 以降低芯片結(jié)溫，提高 LED 性能； (3)光學(xué)控制，提高出光效率，優(yōu)化光束分布； (4)供電管理，包括交流 /直流轉(zhuǎn)變，以及電源控制等。 LED 封裝方法、材料、結(jié)構(gòu)和工藝的選擇主要由芯片結(jié)構(gòu)、光電 /機(jī)械特性、具體應(yīng)用和成本等因素決定。經(jīng)過 40 多年的發(fā)展， LED 封裝先后經(jīng)歷了支架式 (Lamp LED)、貼片式 (SMD LED)、LED產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目 49 功率型 LED(Power LED)、 COBLED 共晶 等發(fā)展階段。隨著芯片功率的增大，特別是固態(tài)照明技術(shù)發(fā)展 的需求，對 LED 封裝的光學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)和機(jī)械結(jié)構(gòu)等提出了新的、更高的要求。為了有效地降低封裝熱阻，提高出光效率，必須采用全新的技術(shù)思路來進(jìn)行封裝設(shè)計(jì)。 對于現(xiàn)有的 LED 光效水平而言，由于輸入電能的 80％左右轉(zhuǎn)變成為熱量，且 LED 芯片面積小，因此，芯片散熱是 LED 封裝必須解決的關(guān)鍵問題。主要包括芯片布置、封裝材料選擇 (基板材料、熱界面材料 )與工藝、熱沉設(shè)計(jì)等。 LED 封裝熱阻主要包括材料 (散熱基板和熱沉結(jié)構(gòu) )內(nèi)部熱阻和界面熱阻。散熱基板的作用就是吸收芯片產(chǎn)生的熱量，并傳導(dǎo)到熱沉上，實(shí)現(xiàn)與外界的熱交換。常用的散 熱基板材料包括硅、金屬 (如鋁，銅 )、陶瓷 (如 AlN， SiC)和復(fù)合材料等。 本項(xiàng)目封裝采用技術(shù)和工藝如下： 目前，市面上流通的高演色 LED 背光面板、商業(yè)照明、學(xué)校照明、實(shí)驗(yàn)室照明、博物館照明等燈具都有稍微偏藍(lán)甚至藍(lán)色光暈現(xiàn)象 , 紅色不足的狀況。針對此狀況，本項(xiàng)目運(yùn)用次世代 LED封裝技術(shù)可以生產(chǎn)高演色 LED使紅色光頻寬能量充足 , 顏色色域更寬廣 , 色彩飽和度可超越 90%以上 (一般為 80％ )呈現(xiàn)更接近真實(shí)色彩的人物影像 , 如臉部輕微泛紅的效果也能達(dá)到。 本項(xiàng)目屬于次世代 LED 封裝層級，除了具備高信賴性及高流明值 的基本特性外，藉由驅(qū)動 IC 控制能在更寬廣的范圍調(diào)節(jié)光波顏色變化，使 LED 光源模塊能發(fā)出來的趨近自然光線的光色，并且擁有更寬廣的色域，更高的演色性，更低的功耗。本項(xiàng)目制造的燈具應(yīng)用于液晶顯示屏幕、商業(yè)照明、博物館照明、學(xué)校照明、實(shí)驗(yàn)室照明等領(lǐng)域可以創(chuàng)造 100%以上的獲利率，尤其應(yīng)用于印刷工業(yè)界以及醫(yī)療界的廣色域的顯示器 ,電視以及色教燈具、特種LED產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目 50 照明燈具及生物光電等領(lǐng)域其獲利率更可高達(dá) 400%以上。 LED 燈具技術(shù)與工藝說明 本項(xiàng)目 LED 應(yīng)用燈具一方面采用高傳導(dǎo)散熱合金材料，另一方面運(yùn)用熱力學(xué)、空氣動力學(xué)等學(xué)科技術(shù)進(jìn)行燈具散熱體設(shè)計(jì)，使燈具的散熱特性與面光源的特性充分融合，使之燈體的溫度在攝氏 55 度以下，從而保證光源的低光衰，延長燈具使用壽命。說明如下： (