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畢業(yè)設計-三相電壓型pwm整流器的研究-資料下載頁

2024-12-01 17:25本頁面

【導讀】隨著電力電子技術的發(fā)展,具有網(wǎng)側電流接近正弦波、功率因數(shù)近似為1、直流側輸出電壓穩(wěn)定、抗負載擾動能力強并且能夠在四象限運行的PWM整流器應運而生,本言研究的主要對象就是應用最為廣泛的三相電壓型PWM整流器。首先,本文介紹了PWM整流器研究的背景與意義,綜述了PWM技術的發(fā)展及現(xiàn)狀,礎上建立了其在ABC三相靜止坐標系、d-q同步旋轉坐標系和?兩相靜止坐標系三個。不同坐標系下的數(shù)學模型。驗證了方案的正確性和可行性。

  

【正文】 , d 軸和 q 軸變量之間相互耦合,那么,在 dq 坐標系耦合狀態(tài)下進行解耦,希望一個變量僅受另一個變量控制,系統(tǒng)解耦方法一般采用串聯(lián)補償解耦和前饋補償解耦,本文研究的系統(tǒng)主要采用前饋補償解耦控制的方法。 其控制結構圖如下: 圖 33 整流器控制結構圖 電流內環(huán)控制系統(tǒng)設計 由前面敘述可以知道,三相 VSR 的 dq模型可以描述為 ????????????????????LqqdddcdqqqqddddisisidtdvCLiRivedtdiLLiRivedtdiL)(23q ?? ( 31) 式中, de 、 qe —— 電網(wǎng)電動勢矢量 dqE? 的 d 、 q 分量; 河南理工大學畢業(yè)設計 21 dv 、 qv —— 三相 VSR 交流側電壓矢量 dqV? 的 d 、 q 分量; di 、 qi —— 三相 VSR 交流側電流矢量的 dqI? 的 d 、 q 分量。 從三相 VSR 的 dq 模型方程式可以看出,由于 VSR 的 d、 q 軸變量相 互耦合,給控制器的設計造成一定困難。為此,可以采用前饋解耦控制策略,當電流調節(jié)器采用 PI調節(jié)器時,則 dv 、 qv 的控制方程如下: **( ) ( )( ) ( )iId iP d d q diIq iP q q d qKv K i i Li esKv K i i Li es??? ? ? ? ? ? ????? ? ? ? ? ? ??? ( 32) 式中, iPK 、 iIK —— 電流內環(huán)比例調節(jié)增益和積分調節(jié)增益; ?qi 、 ?di —— qi 和 di 的電流指令值。 將式( 32)帶入式( 31),并化簡可得 **/ 010 /iIiPd d diIiPqq qiIiPKR K Li i is KpKii Ls iKR K Ls??????? ? ??????? ??? ? ? ????? ??? ? ? ??? ? ? ? ???????? ??? ? ? ? ??? ? ??????????? ( 33) 顯然,式( 33)表明:基于前饋的控制算式( 32)使 VSC 電流內環(huán)( di , qi )實現(xiàn)了解耦控制。 由此可以畫出電流內環(huán)的解耦控制 結構,如下圖: 圖 34 三相 VSR電流內環(huán)解耦控制結構 由于兩電流內環(huán)的對稱性,因而下面以 qi 控制為例討論電流調節(jié)器的設計??紤]電 河南理工大學畢業(yè)設計 22 流內環(huán)信號采樣的延遲和 PWM的小慣性特性,取 sT 為電流內環(huán)電流采樣周期(即為 PWM開關周期), PWMK 為橋路 PWM 等效增益, 模擬 PWM 的小慣性特性。已解耦的 qi 電流內環(huán)結構如圖 35所示。 1 1sTs ? iIip KK s? 1P W MsKTs? ?1/1 ( / )RL R s?qe qi*qi? ?? ? 圖 35 電流內環(huán)結構 將 PI調節(jié)器傳遞函數(shù)改寫成零極點形式,即 1iI iiP iPiiPiIiKsKKssKK????? ?????? ??? ( 34) 將小時間常數(shù) 、 sT 合并,得到簡化后電流環(huán)結構如圖 36所示。 1iipisKs??? 1P W MsKTs??1/1 ( / )RL R s?qe qi*qi? ??? 圖 36 電流內環(huán)簡化結構 由此可以按照典型Ⅱ型系統(tǒng)設計電流內環(huán)調節(jié)器,從圖 36 得到電流內環(huán)開環(huán)傳遞函數(shù)為 )( 1)( 2 ??? sTs sLKKsW sii P W MiPoi ?? (35) 為了盡量提高電流響應的快速性,對典型Ⅱ型系統(tǒng)而言,可設計適當?shù)闹蓄l寬 ih ,工程上常取 ?? sii Th ? 。按照典型Ⅱ型系統(tǒng)參數(shù)設計關系有 22 1iii PWMiP hLKK ?? ?? (36) 解得 : ????????????P W MsiiPiIP W MsP W MiiiPKTLKKKTLKLhK 1 261562)1(?? (37) 河南理工大學畢業(yè)設計 23 電壓外環(huán)控制系統(tǒng)設計 三相 VSR 的電壓環(huán)簡化結構如下圖所示。 *dcU? ( 1 )VVVK T sTs? 1evTs ?1sC dcU? 圖 37三相 VSR電壓環(huán)簡化結構結構 vK , vT — 電壓外環(huán) PI 調節(jié)器參數(shù) 。 由于電壓外環(huán)的主要控制作用是穩(wěn)定三相 VSR 直流電壓 ,故其控制系統(tǒng)整定時,應著重考慮電壓環(huán)的抗擾性能。Ⅱ型系統(tǒng)設計對恒值給定可以實現(xiàn)無靜差跟蹤,顯然,同樣可按典型Ⅱ型系統(tǒng)設計電壓調節(jié)器,由圖 37得電壓環(huán)開環(huán)傳遞函數(shù)為 )1( )1()( 2 ??? sTsCT sTKsW evv vvov (38) 由此,得電壓環(huán)中頻寬 vh 為 evvv TTh? (39) 由典型Ⅱ型系統(tǒng)控制器參數(shù)整定關系,得 222 evvvv v ThhCTK ?? (310) 綜合考慮電壓環(huán)控制系統(tǒng)的抗擾性和跟隨性,取 5/ ?? evvv TTh ,計算出電壓環(huán) PI 調節(jié)器參數(shù)為 ???????????)3(5454 )3(55svevvsvevvTCTCK TTT?? (311) PWM 整流器參數(shù)的設計 交流側電感的設計 在 VSR系統(tǒng)設計中,交流側電感的設計至關重要。這是因為 VSR 交流側電感的取值 河南理工大學畢業(yè)設計 24 不僅影響到電流環(huán)的動、靜態(tài)響應,而且還制約著 VSR 輸出功率、功率因數(shù)以及直流電壓。 VSR 交流側電 感的作用歸結如下: (1)隔離電網(wǎng)電動勢與 VSR 交流側電壓。通過 VSR 交流側電壓幅值、相位的 PWM 控制,或通過 VSR交流側電流幅值、相位的 PWM 控制都可實現(xiàn) VSR 四象限運行。 (2)慮除 VSR 交流側 PWM 諧波電流,從而實現(xiàn) VSR 交流側正弦波電流或一定頻帶范圍內的任意電流波形控制。 (3)使 VSR 獲得良好電流波形的同時,還可向電網(wǎng)傳輸無功功率,甚至實現(xiàn)網(wǎng)側純電感、純電容運行特性。 (4)使 VSR 控制系統(tǒng)獲得了一定的阻尼特性,從而有利于控制系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。 (5)使 VSR 具有 Boost 型 PWM AC/DC 變換 性能以及直流側受控電流源特性。 可見, VSR 交流側電感對 VSR 系統(tǒng)的影響和作用是綜合的。以下將從穩(wěn)態(tài)條件下滿足 VSR輸出有功 (無功 )功率以及電流波形品質指標兩方面討論 VSR 交流側電感的設計。 1 滿足功率指標時電感的設計 穩(wěn)態(tài)條件下, VSR 交流側矢量關系如圖 38,圖中忽略了 VSR 交流側電阻 R,且只討論基波正弦電量。 由圖 38看出:當 E 不變,且 I 一定條件下,通過控制 VSR 交流側電壓 V的幅值、相位,即可實 現(xiàn) VSR四象限運行,且矢量 V端點軌跡是以 LV 為半徑的圓。由于 LV LI?? ,因此 VSR 交 流側穩(wěn)態(tài)矢量關系體現(xiàn)了對其交流側電感 L 的約束。 E—— 交流電網(wǎng)電動勢 V—— VSR 交流側相電壓 I—— 交流側相電流 LV —— 交流側電感電壓 EβαCVIBDAφVLθ 圖 38 VSR穩(wěn)態(tài)交流側矢量關系 河南理工大學畢業(yè)設計 25 圖 38 中, B、 D 點為 VSR 單位功率因數(shù)整流、逆變狀態(tài)運行點, A、 C 點為 VSR 純電感、純電容特性運行點,并且通過α、β坐標軸將 VSR 運行狀態(tài)分為四個運行象限。當 VSR直流側電壓 dcV 確定后, VSR交流側電壓最大峰值也得以確定,既: max dcV Mv? ( 312) M—— PWM 相電壓最大利用率 為使 VSR 獲得四象限運行特性, F 點應可處于圓 軌跡上任一點,為此必須確保 VSR能輸出足夠大的 V 。但由于 dcV Mv? ,因此必須限制 VSR 交流側電感,使 LV 足夠小,才能使 VSR 四象限運行,且可以輸出足夠大的交流電流。 VSR 交流側功率因數(shù)角 φ, 90?? ?? ,利用余弦定理得 2 2 2 2 c o sLLV E V E V ?? ? ? 22 2 sinLLE V E V? ? ? ? ( 313) 將 LV LI?? 代入式( 313),化簡得 2 2 22 2 sin 0L I E I E V?? ? ? ? ? ? ( 314) 求解上式得 2 2 22si n si nE E V EL ? ? ? ? ???? 2 2 2 2s in s inm m m mmE E V EI? ? ? ? ?? ? ( 315) 式中 Em—— 電網(wǎng)相電動勢峰值; Im—— VSR 交流側相電流基波峰值; Vm—— VSR 交流側相電壓基波峰值。 由上面可得: m dcV Mv? ( 316) 將式( 316)代入( 315)得 2 2 2 2 2s in s inm m d c mmE E M v EL I? ? ? ? ?? ? ( 317) 顯然式( 317)中的分子大于零,所以 mdc EV M? ( 318) 式( 318)體現(xiàn)了實現(xiàn) VSR 四象限運行時直流側電壓 dcV 取值的下限。 對于三相 VSR,若采用 SPWM 控制則 M=1/2,而采用空間矢量 (SVPWM) 控制時, 則 河南理工大學畢業(yè)設計 26 3/3M? 。 所以,在該仿真系統(tǒng)中有以上的參數(shù)可得: 20033dcV ? ( 319) 則: ? 本文選取直流側電壓值為: 400V。 設三相 VSR 采用 SVPWM 控制,且忽略 VSR
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