【導(dǎo)讀】AT89C51外文翻譯。Description. applications. Features. hardwarereset. VCC. Supplyvoltage. GND. Ground. Port0. Port1. verification. Port2

　　

【正文】 178。 XTAL1 振蕩器反相放大器的及內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端 178。 XTAL2 振蕩器反相放大器的輸出端 178。時(shí)鐘振蕩器 AT89C5l 中有一個(gè)用于構(gòu)成內(nèi)部振蕩器的高增益反相放大器引腳 XTAL1 和 XTAL2 分別是該放大器的輸入端和輸出端這個(gè)放大器與作為反饋元件的片外石英晶體或陶瓷諧振器一起構(gòu)成自激振蕩器振蕩電路參見(jiàn)圖 5 外接石英晶體或陶瓷諧振器及電容 C1C2 接在放大器的反饋回路中構(gòu)成并聯(lián)振蕩電路對(duì)外接電容 C1C2 雖然沒(méi)有十分嚴(yán)格的要求但電容容量的大小會(huì)輕微影響振蕩頻率的高低振蕩器工作的穩(wěn)定性起振的難易程序及溫度穩(wěn)定性如果使用石英晶體我們推薦電容使用 30pF177。 10pF 而如使用陶瓷諧振器建議選擇 40pF177。 10F 用戶也可以采用外部時(shí)鐘采用外部時(shí)鐘的電路如圖 5 右圖所示這種情況下外部時(shí)鐘脈沖接到 XTAL1端即內(nèi) 部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端 XTAL2則懸空由于外部時(shí)鐘信號(hào)是通過(guò)一個(gè) 2 分頻觸發(fā)器后作為內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)的所以對(duì)外部時(shí)鐘信號(hào)的占空比沒(méi)有特殊要求但最小高電平持續(xù)時(shí)間和最大的低電平持續(xù)時(shí)間應(yīng)符合產(chǎn)品技術(shù)條件的要求 178?？臻e節(jié)電模式 AT89C51 有兩種可用軟件編程的省電模式它們是空閑模式和掉電工作模式這兩種方式是控制專(zhuān)用寄存器 PCON即電源控制寄存器中的 PDPCON1和 IDLPCON0位來(lái)實(shí)現(xiàn)的 PD 是掉電模式當(dāng) PD 1 時(shí)激活掉電工作模式單片機(jī)進(jìn)入掉電工作狀態(tài) IDL是空閑等待方式當(dāng) IDL 1激活空閑工作模式單片機(jī)進(jìn)入睡 眠狀態(tài)如需同時(shí)進(jìn)入兩種工作模式即 PD 和 IDL 同時(shí)為 1 則先激活掉電模式 在空閑工作模式狀態(tài) CPU 保持睡眠狀態(tài)而所有片內(nèi)的外設(shè)仍保持激活狀態(tài)這種方式由軟件產(chǎn)生此時(shí)片內(nèi) RAM 和所有特殊功能寄存器的內(nèi)容保持不變空閑模式可由任何允許的中斷請(qǐng)求或硬件復(fù)位終止 終止空閑工作模式的方法有兩種其一是任何一條被允許中斷的事件被激活I(lǐng)DLPCON0 被硬件清除即刻終止空閑工作模式程序會(huì)首先響應(yīng)中斷進(jìn)入中斷服務(wù)程序執(zhí)行完中斷服務(wù)程序并緊隨 RETI 中斷返回指令后下一條要執(zhí)行的指令就是使單片機(jī)進(jìn)入空閑模式那條指令后面的一條指令 其二是通過(guò)硬件復(fù)位也可將空閑工作模式終止需要注意的是當(dāng)由硬件復(fù)位來(lái)終止空閑工作模式時(shí) CPU 通常是從激活空閑模式那條指令的下一條指令開(kāi)始繼續(xù)執(zhí)行程序的要完成內(nèi)部復(fù)位操作硬件復(fù)位脈沖要保持兩個(gè)機(jī)器周期 24 個(gè)時(shí)鐘周期有效在這種情況下內(nèi)部禁止 CPU訪問(wèn)片內(nèi) RAM而允許訪問(wèn)其它端口為了避免可能對(duì)端口產(chǎn)生意外寫(xiě)入激活空閑模式的那條指令后一條指令不應(yīng)是一條對(duì)端口或外部存儲(chǔ)器的寫(xiě)入指令 178。掉電模式 在掉電模式下振蕩器停止工作進(jìn)入掉電模式的指令是最后一條被執(zhí)行的指令片內(nèi) RAM 和特殊功能寄存器的內(nèi)容在終止掉電模式前被凍結(jié)退 出掉電模式的唯一方法是硬件復(fù)位復(fù)位后將重新定義全部特殊功能寄存器但不改變 RAM 中的內(nèi)容在 Vcc 恢復(fù)到正常工作電平前復(fù)位應(yīng)無(wú)效且必須保持一定時(shí)間以使振蕩器重啟動(dòng)并穩(wěn)定工作 空閑和掉電模式外部引腳狀態(tài) 178。程序存儲(chǔ)器的加密 AT89C51 可使用對(duì)芯片上的 3 個(gè)加密位 LB1LB2LB3 進(jìn)行編程 P 或不編程 U來(lái)得到如下表所示的功能加 密位保護(hù)功能表 注表中的 U 表示未編程 P 表示編程 當(dāng)加密位 LB1 被編程時(shí)在復(fù)位期間 EA端的邏輯電平被采樣并鎖存如果單片機(jī)上電后一直沒(méi)有復(fù)位則鎖存起的初始值是一個(gè)隨機(jī)數(shù)且這個(gè)隨機(jī) 數(shù)會(huì)一直保存到真正復(fù)位為止為使單片機(jī)能正常工作被鎖存的 EA 電平值必須與該引腳當(dāng)前的邏輯電平一致此外加密位只能通過(guò)整片擦除的方法清除 178。 Flash 閃速存儲(chǔ)器的編程 AT89C51 單片機(jī)內(nèi)部有 4k 字節(jié)的 Flash PEROM這個(gè) Flash 存儲(chǔ)陣列出廠時(shí)已處于擦除狀態(tài)即所有存儲(chǔ)單元的內(nèi)容均為 FFH 用戶隨時(shí)可對(duì)其進(jìn)行編程編程接口可接收高電壓 12V或低電壓 Vcc的允許編程信號(hào)低電壓編程模式適合于用戶在線編程系統(tǒng)而高電壓編程模式可與通用 EPROM 編程器兼容 AT89C51 單片機(jī)中有些屬于低電壓編程方式而有些則是 高電壓編程方式用戶可從芯片上的型號(hào)和讀取芯片內(nèi)的名字節(jié)獲得該信息見(jiàn)下表 AT89C51 的程序存儲(chǔ)器陣列是采用字節(jié)寫(xiě)入方式編程的每次寫(xiě)入一個(gè)字節(jié)要對(duì)整個(gè)芯片內(nèi)的 PEROM 程序存儲(chǔ)器寫(xiě)入一個(gè)非空字節(jié)必須使用片擦除的方式將整個(gè)存儲(chǔ)器的內(nèi)容清除 178。編程方法 編程前須按表 6和圖 6所示設(shè)置好地址數(shù)據(jù)及控制信號(hào)編程單元的地址加在P1 口和 P2 口的 P20－ P2311 位地址范圍為 0000H－ 0FFFH 數(shù)據(jù)從 P0 口輸入引腳P26P37的電平設(shè)置見(jiàn)表 6PSEN為低電平 RST保持高電平 EA／ Vpp 引腳是編程電源的輸入端按要求 加上編程電壓 ALE／ PROG 引腳輸入編程脈沖負(fù)脈沖編程時(shí)可采用 4－ 20MHz 的時(shí)鐘振蕩器 AT89C51 編程方法如下 1．在地址線上加上要編程單元的地址信號(hào) 2．在數(shù)據(jù)線上加上要寫(xiě)入的數(shù)據(jù)字節(jié) 3．激活相應(yīng)的控制信號(hào) 4．在高電壓編程方式時(shí)將 EA／ Vpp 端加上 12V 編程電壓 5．每對(duì) Flash存儲(chǔ)陣列寫(xiě)入一個(gè)字節(jié)或每寫(xiě)入一個(gè)程序加密位加上一個(gè) ALE／ PROG編程脈沖改變編程單元的地址和寫(xiě)入的數(shù)據(jù)重復(fù) 15步驟直到全部文件編程結(jié)束每個(gè)字節(jié)寫(xiě)入周期是自身定時(shí)的通常約為 15ms 178。數(shù)據(jù)查詢 AT89C51 單片機(jī)用數(shù)據(jù) 查詢方式來(lái)檢測(cè)一個(gè)寫(xiě)周期是否結(jié)束在一個(gè)寫(xiě)周期中如需讀取最后寫(xiě)入的那個(gè)字節(jié)則讀出的數(shù)據(jù)的最高位 P07 是原來(lái)寫(xiě)入字節(jié)最高位的反碼寫(xiě)周期完成后有效的數(shù)據(jù)就會(huì)出現(xiàn)在所有輸出端上此時(shí)可進(jìn)入下一個(gè)字節(jié)的寫(xiě)周期寫(xiě)周期開(kāi)始后可在任意時(shí)刻進(jìn)行數(shù)據(jù)查詢 178。 Ready／ Busy 字節(jié)編程的進(jìn)度可通過(guò) RDY／ BSY 輸出信號(hào)監(jiān)測(cè)編程期間 ALE變?yōu)楦唠娖?H 后 P34RDY ／ BSY端電平被拉低表示正在編程狀態(tài)忙狀態(tài)編程完成后 P34變?yōu)楦唠娖奖硎緶?zhǔn)備就緒狀態(tài) 178。程序校驗(yàn)如果加密位 LB1LB2 沒(méi)有進(jìn)行編程則代碼數(shù)據(jù)可通過(guò)地址和數(shù)據(jù)線讀回原編寫(xiě) 的數(shù)據(jù)采用下圖的電路程序存儲(chǔ)器的地址由 P1 和 P2 口的 P20－P23 輸入數(shù)據(jù)由 P0 口讀出 P26P37 的控制信號(hào)見(jiàn)表 6PSEN 保持低電平 ALEEA和 RST 保持高電平校驗(yàn)時(shí) P0 口須接上 10k 左右的上拉電阻 表 6 Flash 存儲(chǔ)器編程真值表 注片擦除操作時(shí)要求 PROG 脈沖寬度為 10ms 圖 5 編 程 電 路 圖 6 校驗(yàn)電路 加密位不可直接校驗(yàn)加密位的校驗(yàn)可通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)器的校驗(yàn)和寫(xiě)入狀態(tài)來(lái)驗(yàn)證 Flash 存儲(chǔ)器編程和 校驗(yàn)時(shí)序圖 7 高電壓編程和圖 8 低電壓編程 Flash 存儲(chǔ)器編程和校驗(yàn)的波形時(shí)序高電壓編程 VPP 12V Flash 存儲(chǔ)器編程和校驗(yàn)的波形時(shí)序低電壓編程 VPP 5V 178。芯片擦除利用控制信號(hào)的正確組合表 6 并保持 ALE／ PROG 引腳 10mS 的低電平脈沖寬度即可將 PEROM 陣 列 4k 字節(jié)和三個(gè)加密位整片擦除代碼陣列在片擦除操作中將任何非空單元寫(xiě)入 1 這步驟需再編程之前進(jìn)行 178。讀片內(nèi)簽名字節(jié) AT89C51 單片機(jī)內(nèi)有 3 個(gè)簽名字節(jié)地址為 030H031H 和032H 用于聲明該器件的廠商型號(hào)和編程電壓讀簽名字節(jié)的過(guò)程和單 元 030H031H及 032H 的正常校驗(yàn)相仿只 電平返回值意義如下 030H 1EH 聲明產(chǎn)品由 ATMEL 公司制造 031H 51H 聲明為 AT89C51 單片機(jī) 032H FFH 聲明為 12V 編程電壓 032H 05H 聲明為 5V 編程電壓 178。編程接口 采用控制信號(hào)的正確組合可對(duì) Flash 閃速存儲(chǔ)陣列中的每一代碼字節(jié)進(jìn)行寫(xiě)入和存儲(chǔ)器的整片擦除寫(xiě)操作周期是自身定時(shí)的初始化后它將自動(dòng)定時(shí)到操作完成 Flash 編程和校驗(yàn)特性 TA 0℃ to 70℃ Vcc 50V177。 10 注僅用于 12V 編程模式 178。 AT89C51 的極限工 作參數(shù) 極限參數(shù) 178。直流特性 TA 40℃ to 85℃ Vcc 50V177。 20unless otherwise noted 注 1 在穩(wěn)定狀態(tài)無(wú)輸出條件下 IOL 有以下限制 每一引腳最大 IOL10mA 每一 8 位端口 P0 口 26mAP1P2 和 P315mA 全部輸出引腳最大 IOL71mA 掉電模式的最小 Vcc 為 2V 178。交流特性 在以下條件下 P0 口 ALE／ PSENPSEN 的負(fù)載電容為 100pF 其他輸出口負(fù)載電容為 80pF 外部程序存儲(chǔ)器讀周期 外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀周期 外部時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)波形 外部時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)特性 串行口時(shí)序移位寄存 器測(cè)試條件 Vcc 50V177。 20 負(fù)載容抗 80pF 移位寄存器時(shí)序波形 注 AC 輸入測(cè)試在 Vcc 邏輯 0 時(shí)序測(cè)試在 VIH 為最小值和 VIL 為最大值 時(shí)測(cè)量 注在浮空狀態(tài)下端口引腳在負(fù)載出現(xiàn) 100mV 電壓變化即為浮空也即當(dāng)一個(gè)端口電壓從 VOH 到 VOL 變化時(shí)出現(xiàn) 100mV 電壓時(shí)為浮空狀態(tài) 1